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A2I25D025GNR1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: RF Amp Dual Power Amp 2.9GHz 32V 17-Pin TO-270WBG EP T/R
供应商型号: 568-15236-6-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) A2I25D025GNR1

A2I25D025GNR1概述

    NXP Semiconductors RF Power Products: Selector Guide
    NXP Semiconductors has been a global leader in RF innovation and technology for over six decades, offering a comprehensive portfolio of RF power transistors designed for various applications such as wireless infrastructure, industrial, scientific, medical (ISM), broadcast, two-way radio, aerospace and defense, cooking, and low-power applications.

    产品简介


    NXP的RF功率产品线涵盖了从1.8 mW到1.8 kW的范围,频率从直流到6000 MHz,采用LDMOS、GaN和GaAs技术。这些产品广泛应用于无线基础设施、工业、科学和医疗(ISM)广播、双向无线电、航空航天与国防等领域,满足多样化的通信需求。

    技术参数


    以下是NXP RF功率产品的主要技术参数和性能指标:
    - 频率范围:1 MHz至6000 MHz
    - 输出功率:1.8 mW至1.8 kW
    - 电压范围:7.2–12.5 V LDMOS, 28–32 V GaN, 48–65 V LDMOS
    - 封装形式:塑料封装
    - 应用场景:无线基站、工业自动化、医疗设备、广播电视等

    产品特点和优势


    NXP的RF功率产品具备以下显著特点和优势:
    - 广泛的频率覆盖:支持从低频到高频的应用,适应不同频段的需求。
    - 高性能输出:从微瓦级到千瓦级输出功率,提供多样化的选择。
    - 先进材料技术:采用LDMOS、GaN和GaAs技术,确保高效率和可靠性。
    - 卓越的热管理和电磁迁移率计算:通过精确的热模拟和计算工具,提高设备长期稳定运行的能力。

    应用案例和使用建议


    根据技术手册,NXP的RF功率产品广泛应用于多个领域,例如:
    - 无线基础设施:MRFE6VP61K25H适用于470 MHz至600 MHz的通信系统。
    - 工业应用:MMRF5014H适用于高达2700 MHz的宽频带应用。
    - 医疗设备:MRF1K50N适合用于ISM频段的医疗设备。
    - 航空航天:MRFE6VP100H可用于S频段雷达应用。
    对于实际使用场景,建议如下:
    - 匹配网络设计:确保负载和源阻抗的匹配以最大化输出功率。
    - 散热管理:合理设计散热结构,确保产品在高功耗下的稳定运行。
    - 电磁干扰抑制:采取屏蔽措施减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    NXP的产品与多种标准兼容,支持多平台仿真工具,例如Keysight Advanced Design System和AWR Microwave Office®。厂商提供了详细的文档和模型库,包括数据表、应用指南、封装信息等,帮助客户快速进行设计。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及其解决方法:
    - 过温保护失效:检查散热设计是否合理,确保适当的空气流通。
    - 输出功率下降:重新校准电源和负载阻抗,确保良好的匹配。
    - 噪声过大:检查接地情况,确保良好的信号完整性。

    总结和推荐


    NXP的RF功率产品以其广泛的频率覆盖、高性能输出、先进的材料技术和可靠的热管理能力,成为市场上极具竞争力的选择。无论是无线基础设施、工业自动化还是医疗设备,都能找到合适的解决方案。强烈推荐使用NXP的RF功率产品,特别是在需要高性能、高可靠性的应用场景中。

A2I25D025GNR1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
18.29mm(Max)
9.07mm(Max)
2.67mm(Max)
通用封装 TO-270WBG-17
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

A2I25D025GNR1厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

A2I25D025GNR1数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS A2I25D025GNR1 A2I25D025GNR1数据手册

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