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BUK7E5R2-100E,127

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 349W(Tc) 4V@1mA 180nC@ 10 V 1个N沟道 100V 5.2mΩ@ 25A,10V 11.81nF@25V I2PAK 通孔安装
供应商型号: Q-BUK7E5R2-100E,127
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BUK7E5R2-100E,127

BUK7E5R2-100E,127概述

    BUK7E5R2-100E N-Channel TrenchMOS Standard Level FET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    BUK7E5R2-100E 是一款采用沟槽式TrenchMOS技术制造的N沟道标准电平场效应晶体管(FET),封装形式为SOT226。
    主要功能:
    - 用于高可靠性的汽车应用
    - 具备重复雪崩额定值
    - 支持热设计严苛的应用环境
    - 在高达175°C的工作温度下具有真正的标准电平门极
    应用领域:
    - 12V、24V和48V汽车系统
    - 电动和电液转向系统
    - 电机、灯和电磁阀控制
    - 微混合动力启停系统
    - 变速箱控制
    - 超高性能电源开关

    2. 技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | TJ ≥ 25°C;TJ ≤ 175°C | - | - | 100 | V |
    | ID | 漏电流 | VGS = 10V;TMB = 25°C;图1 | - | - | 120 | A |
    | Ptot | 总耗散功率 | TMB = 25°C;图2 | - | - | 349 | W |
    | RDSon | 漏源导通电阻 | VGS = 10V;ID = 25A;TJ = 25°C;图11 | - | 4.1 | 5.2 | mΩ |
    | QGD | 门极漏电荷 | VGS = 10V;ID = 25A;VDS = 80V;TJ = 25°C;图13;图14 | - | 65 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    - AEC Q101合规: 确保了在汽车应用中的高可靠性。
    - 重复雪崩额定值: 适用于需要极高可靠性的应用场合。
    - 耐高温: 在175°C的环境下也能保持稳定运行。
    - 标准电平门极: 门极阈值电压在175°C下仍大于1V,确保在恶劣环境下的稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在汽车空调系统的12V和24V系统中作为直流电机控制器。
    - 电动和电液转向系统中的高压控制应用。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议选择带有散热装置的安装基座以确保散热良好。
    - 在驱动高感性负载时,可以考虑增加软启动电路以减少瞬间电流冲击。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与标准的12V、24V和48V汽车系统兼容,适用于多种电机和控制模块。
    - 支持: Nexperia公司提供详细的技术文档和支持服务,包括快速响应的技术支持热线和详细的故障排查指南。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下漏电流增大 | 确保良好的散热设计,必要时增加外部散热片。 |
    | 开关频率过高导致发热严重 | 减少开关频率或增加栅极电阻以减缓开关速度。 |
    | 输出电流不足 | 检查输入电压和负载情况,必要时更换更高额定值的产品。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    BUK7E5R2-100E N-Channel TrenchMOS标准电平场效应晶体管具备高可靠性、耐高温和高重复雪崩额定值的特点,在各种汽车和工业应用中表现出色。
    推荐:
    对于需要在极端环境中工作的高压控制和电机驱动应用,我们强烈推荐使用此产品。Nexperia公司在技术支持和售后服务方面提供了强有力的保障,使您能够放心地使用这款高性能的FET。

BUK7E5R2-100E,127参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 349W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 180nC@ 10 V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.81nF@25V
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.2mΩ@ 25A,10V
通用封装 I2PAK
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

BUK7E5R2-100E,127厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BUK7E5R2-100E,127数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BUK7E5R2-100E,127 BUK7E5R2-100E,127数据手册

BUK7E5R2-100E,127封装设计

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