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BAS86,115

产品分类: 整流二极管/整流桥
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 50V 5A 4ns 5μA 200mA 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NXP SEMICONDUCTORS 整流二极管/整流桥 BAS86,115

BAS86,115概述

    BAS86 Schottky Barrier Diode 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:肖特基势垒二极管
    主要功能:低正向电压、高反向击穿电压、静电释放保护、小型密封表面贴装封装。
    应用领域:超高速开关、电压钳位、保护电路、阻断二极管。

    2. 技术参数


    - 极限值:
    - 连续反向电压 \(VR\):\( -50 \, \text{V} \)
    - 连续正向电流 \(IF\):\( -200 \, \text{mA} \)
    - 平均正向电流 \(I{AV}\):\( -200 \, \text{mA} \)
    - 重复峰值正向电流 \(I{FRM}\):\( -500 \, \text{mA} \)
    - 非重复峰值正向电流 \(I{FSM}\):\( -5 \, \text{A} \)
    - 存储温度 \(T{stg}\):\( -65 \sim +150 \, ^\circ\text{C} \)
    - 结温 \(Tj\):\( -125 \, ^\circ\text{C} \)
    - 工作环境温度 \(T{amb}\):\( -65 \sim +125 \, ^\circ\text{C} \)
    - 电气特性(环境温度 \(T{amb} = 25 \, ^\circ\text{C}\)):
    - 正向电压 \(VF\)(典型值):
    - \(IF = 0.1 \, \text{mA} \rightarrow 300 \, \text{mV} \)
    - \(IF = 1 \, \text{mA} \rightarrow 380 \, \text{mV} \)
    - \(IF = 10 \, \text{mA} \rightarrow 450 \, \text{mV} \)
    - \(IF = 30 \, \text{mA} \rightarrow 600 \, \text{mV} \)
    - \(IF = 100 \, \text{mA} \rightarrow 900 \, \text{mV} \)
    - 反向电流 \(IR\)(典型值):\(VR = 40 \, \text{V} \rightarrow 5 \, \mu\text{A} \)
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\):\(4 \, \text{ns} \)
    - 二极管电容 \(Cd\)(典型值):\(f = 1 \, \text{MHz}, \, VR = 1 \, \text{V} \rightarrow 8 \, \text{pF} \)
    - 热特性(标准焊接条件):
    - 热阻 \(R{thj-a}\):\(320 \, \text{K/W} \)

    3. 产品特点和优势


    - 低正向电压:保证较低的功耗和较高的效率。
    - 高反向击穿电压:确保在高电压环境下稳定工作。
    - 静电释放保护:集成保护环,增加产品的可靠性和稳定性。
    - 小型密封表面贴装封装:适合自动放置工艺,可承受浸焊。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 超高速开关:适用于需要快速响应的应用,如通信系统中的信号调节。
    - 电压钳位:在电源设计中用于保护敏感元件免受电压波动的影响。
    - 保护电路:用于防止反向电流损坏电路。
    使用建议:
    - 在设计中考虑到散热问题,避免因过热导致的性能下降。
    - 根据具体应用选择合适的正向电流等级,以满足不同负载需求。
    - 考虑到长期使用可能会影响可靠性,定期进行性能测试。

    5. 兼容性和支持


    - 与大多数自动装配线兼容,支持浸焊工艺。
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,以确保客户能够顺利集成和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:工作时出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热措施是否足够,必要时增加散热片或风扇。
    - 问题2:反向恢复时间较长。
    - 解决方案:调整外部电路,降低反向恢复时间要求,或者更换更适用于高频应用的二极管型号。
    - 问题3:工作时出现不稳定的输出。
    - 解决方案:检查是否存在噪声干扰,或者调整滤波电容大小,提高电路的稳定性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,BAS86肖特基势垒二极管以其低正向电压、高反向击穿电压、静电释放保护及小型密封表面贴装封装等特点,非常适合应用于超高速开关、电压钳位、保护电路和阻断二极管等场合。其优良的电气性能和可靠的工作表现使其在市场上具有很强的竞争力。因此,强烈推荐在相关应用中使用BAS86肖特基势垒二极管。

BAS86,115参数

参数
Ir - 反向电流 5μA
Vr-反向电压 50V
反向恢复时间 4ns
正向浪涌电流 5A
配置 -
If - 正向电流 200mA
3.7mm(Max)
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

BAS86,115厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BAS86,115数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 整流二极管/整流桥 NXP SEMICONDUCTORS BAS86,115 BAS86,115数据手册

BAS86,115封装设计

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