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PSMN4R3-80PS,127

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 306W(Tc) 4V@1mA 111nC@ 10 V 1个N沟道 80V 4.3mΩ@ 25A,10V 8.161nF@40V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: CY-PSMN4R3-80PS,127
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) PSMN4R3-80PS,127

PSMN4R3-80PS,127概述

    Nexperia PSMN4R3-80PS 技术手册解析

    产品简介


    PSMN4R3-80PS 是一款标准级别的N沟道MOSFET,封装为TO220,适用于高达175°C的工作温度。该产品设计用于工业、通信及家用设备等多种应用场合,具有高效率、低损耗等特点。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | VDS | 漏源电压 | TJ ≥ 25°C; TJ ≤ 175°C | - | - | 80 | V |
    | ID | 漏极电流 | Tmb = 25°C; VGS = 10V; 见图1 | - | - | 120 | A |
    | Ptot | 总功耗 | Tmb = 25°C; 见图2 | - | - | 306 | W |
    | Tj | 结温 | -55 | - | 175 | °C |
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | RDSon | 漏源导通电阻 | VGS = 10V; ID = 25A; TJ = 25°C; 见图13 | - | 3.7 | 4.3 | mΩ |
    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | ID = 250μA; VGS = 0V; TJ = -55°C | 73 | - | - | V |

    产品特点和优势


    - 高效性:由于低开关损耗和导通损耗,适用于各种负载下的高效应用。
    - 适合标准门驱动电路:简化了系统设计和集成。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:直流到直流转换器、负载开关、电机控制、服务器电源供应等。
    - 使用建议:确保电路设计合理,特别是散热措施,以避免过热和可靠性问题。推荐采用低热阻的设计来提高整体性能和寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准门驱动器完全兼容。
    - 支持:Nexperia提供详细的技术支持文档,包括安装指南和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的漏源电压会导致器件损坏。
    - 解决方案:确保设计中使用适当的保护电路,如限流器和过压保护电路。
    - 问题:过载情况下器件可能失效。
    - 解决方案:选择合适的散热方式,并考虑使用外部散热片来降低结温。

    总结和推荐


    PSMN4R3-80PS MOSFET凭借其高效性、低损耗以及广泛的适用范围,在多种应用场合表现出色。其紧凑的TO220封装使其易于集成,且具备良好的可靠性和长期稳定性。综上所述,强烈推荐此产品用于需要高性能、高可靠性的应用场合。
    通过以上解析,PSMN4R3-80PS 作为一款高性能的N沟道MOSFET,在工业和消费电子产品中有着广泛的应用前景。无论是从技术指标还是实际应用来看,都是一款值得推荐的产品。

PSMN4R3-80PS,127参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3mΩ@ 25A,10V
栅极电荷 111nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 306W(Tc)
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.161nF@40V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

PSMN4R3-80PS,127厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

PSMN4R3-80PS,127数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R3-80PS,127数据手册

PSMN4R3-80PS,127封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.417 ¥ 12.0817
100+ $ 1.3915 ¥ 11.9738
300+ $ 1.3787 ¥ 11.8659
500+ $ 1.366 ¥ 11.7581
1000+ $ 1.3277 ¥ 11.2187
5000+ $ 1.3277 ¥ 11.2187
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