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BUK6213-30A,118

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 102W(Tc) 3V@1mA 44nC@ 10 V 1个N沟道 30V 13mΩ@ 10A,10V 1.986nF@25V DPAK 贴片安装
供应商型号: CY-BUK6213-30A,118
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BUK6213-30A,118

BUK6213-30A,118概述

    # Nexperia BUK6213-30A N-Channel TrenchMOS Intermediate Level FET 技术概述

    1. 产品简介


    1.1 基本描述
    Nexperia BUK6213-30A 是一款采用沟槽式MOS(TrenchMOS)技术制造的中等级N沟道增强模式场效应晶体管(FET)。它具有出色的性能和稳定性,适用于各种工业及汽车领域的关键应用。此产品符合AEC-Q101标准,确保其在高要求环境下的可靠性和耐用性。
    1.2 功能与优势
    - 符合AEC-Q101标准,适用于汽车级应用;
    - 逻辑或标准门驱动源均适用;
    - 高温耐受能力,可在高达175°C的工作温度下稳定运行;
    - 高可靠性设计,具备强大的抗雪崩能力和抗浪涌性能。
    1.3 应用领域
    - 12V负载控制;
    - 汽车系统(如发动机管理系统、车身控制模块等);
    - 通用电源开关;
    - 马达、灯泡和电磁阀控制。
    1.4 快速参考数据
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | V | - | - | 30 |
    | 漏极电流 | ID | A | - | - | 55 |
    | 总耗散功率 | Ptot | W | - | - | 102 |
    | 导通电阻 | RDSon | mΩ | - | 10 | 13 |

    2. 技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 最大值 |

    | 漏源电压 | VDS | V | - | 30 |
    | 漏栅电压 | VDGR | V | - | 30 |
    | 栅源电压 | VGS | V | -20 | 20 |
    | 漏极电流 | ID | A | - | 55 |
    | 峰值漏极电流 | IDM | A | - | 257 |
    | 热阻 | Rth(j-mb) | K/W | - | 1.4 |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 总栅极电荷 | QG(tot) | nC | - | 44 | - |
    | 输入电容 | Ciss | pF | - | 1490 | 1986 |
    3. 产品特点与优势
    BUK6213-30A 结合了先进的TrenchMOS技术与严格的质量控制流程,能够提供高效能和高可靠性的电力管理解决方案。此外,该产品具有卓越的热性能,能够在极端温度环境中保持稳定运行。
    4. 应用案例与使用建议
    应用场景
    该产品广泛应用于汽车电子控制单元(ECU)、电机驱动电路以及照明系统中。例如,在电动车窗控制器中,BUK6213-30A可作为开关元件来控制电路的接通与断开。
    使用建议
    为了充分发挥其潜力,建议在实际部署时注意以下几点:
    1. 确保良好的散热措施以避免过热问题;
    2. 选择合适的驱动电路以优化功耗表现;
    3. 在恶劣环境下考虑额外保护措施。
    5. 兼容性与支持
    兼容性
    该器件与多种主流平台兼容,便于集成到现有的硬件架构中。同时,Nexperia还提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手并解决问题。
    支持服务
    Nexperia提供全面的技术支持和售后服务,包括在线资源库访问、专业工程师咨询以及定期培训活动等。

    6. 常见问题与解决方案


    问题一:如何提高器件使用寿命?
    解决方案:加强散热设计,使用更高效的热管理策略如加装散热片或风扇。
    问题二:出现异常发热现象怎么办?
    解决方案:检查是否存在不当的连接方式或过高频率操作导致的问题,并调整相应参数设置。
    7. 总结与推荐
    综上所述,Nexperia BUK6213-30A凭借其优异的技术指标和广泛的应用范围成为一款极具竞争力的产品。对于需要高性能且稳定可靠的电力管理解决方案的企业而言,这款产品无疑是一个值得信赖的选择。我们强烈推荐将其纳入考量范围之内!

BUK6213-30A,118参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 10A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
栅极电荷 44nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 102W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.986nF@25V
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装

BUK6213-30A,118厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BUK6213-30A,118数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BUK6213-30A,118 BUK6213-30A,118数据手册

BUK6213-30A,118封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.1865 ¥ 1.605
1000+ $ 0.1812 ¥ 1.5314
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