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BUK7Y10-30B,115

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 85W(Tc) 4V@1mA 18.8nC@ 10 V 1个N沟道 30V 10mΩ@ 25A,10V 1.183nF@25V LFPAK 贴片安装
供应商型号: Q-BUK7Y10-30B,115
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BUK7Y10-30B,115

BUK7Y10-30B,115概述

    # Nexperia BUK7Y10-30B 技术手册

    1. 产品简介


    1.1 基本描述
    Nexperia的BUK7Y10-30B是一款标准等级的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装。该产品基于高性能汽车(HPA)级TrenchMOS技术制造,并符合AEC标准,适用于汽车关键应用。
    1.2 主要功能
    - 支持标准等级门极驱动源
    - 具有高热稳定性(额定温度达175°C)
    - 集成高性能增强型MOSFET技术
    1.3 应用领域
    - 12V负载控制
    - 汽车系统
    - 通用电源开关
    - 马达、灯泡及电磁阀控制

    2. 技术参数


    以下是BUK7Y10-30B的技术规格详细列表:
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏-源电压 | Tj ≥ 25°C; Tj ≤ 175°C | - | - | 30 | V |
    | ID | 漏电流 | VGS = 10V; Tmb = 25°C | - | - | 67 | A |
    | Ptot | 总功耗 | Tmb = 25°C | - | - | 85 | W |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = 10V; ID = 25A | - | 7.8 | 10 | mΩ |
    | QGD | 门极-漏极电荷 | ID = 25A; VDS = 24V; VGS = 10V | - | 5.6 | - | nC |
    更多详细技术数据可参考《产品数据表》中列出的图表。

    3. 产品特点和优势


    产品特点:
    - Q101合规性认证,确保质量稳定
    - 能够在高温环境中可靠运行(175°C)
    - 使用方便,适合多种门极驱动电路设计
    产品优势:
    - 极高的可靠性,特别是在汽车电子和工业设备中表现卓越
    - 出色的热稳定性和耐久性,适应恶劣工作条件
    - 高效能输出,降低能耗并提升系统效率

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 汽车电子(如点火系统和电机控制模块)
    - 工业设备中的开关电源设计
    - 日常消费类电子产品,例如家电或照明设备的电源控制
    使用建议:
    1. 在设计电路时,根据Ptot(最大总功耗)选择合适的散热设计以避免过热。
    2. 当需要更高的额定电压或电流时,可考虑并联多个BUK7Y10-30B器件。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 可与其他标准N沟道增强型MOSFET一起用于替代应用中。
    - 兼容SOT669封装,方便集成到现有设计中。
    厂商支持:
    Nexperia提供详尽的产品技术支持和售后服务,具体可通过官网获取更多帮助信息。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何选择合适的工作电压?
    解答: 确保VDS不超过30V的额定范围,以防止器件损坏。
    问题2:在高频应用中如何减少功耗?
    解答: 优化电路设计,合理设置门极电阻值(RGS)以最小化QGD值。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    BUK7Y10-30B凭借其高性能和可靠性成为汽车电子和工业领域首选的功率MOSFET产品之一。它的高能效输出、热稳定性和广泛的应用场景使其在市场上极具竞争力。
    推荐:
    对于需要高性能和高可靠性的应用场景,强烈推荐使用Nexperia BUK7Y10-30B。
    以上为对Nexperia BUK7Y10-30B的全面技术解析与应用指南,如有进一步需求请访问官方网站查询最新版本的数据手册。
    © Nexperia B.V. 2017. All rights reserved.

BUK7Y10-30B,115参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.183nF@25V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 18.8nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 25A,10V
最大功率耗散 85W(Tc)
通道数量 -
通用封装 LFPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装

BUK7Y10-30B,115厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BUK7Y10-30B,115数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BUK7Y10-30B,115 BUK7Y10-30B,115数据手册

BUK7Y10-30B,115封装设计

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