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BUK661R8-30C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 263W 30V
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BUK661R8-30C

BUK661R8-30C概述


    产品简介


    产品类型: 中等级门驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,并利用先进的TrenchMOS技术制造。
    主要功能: 该产品适用于高性能汽车应用,并符合AEC Q101标准,具备高可靠性。
    应用领域: 主要应用于12伏特汽车系统、电动及电液转向系统、电机、灯和电磁阀控制、启停微混动应用、变速箱控制和超高性能电源开关等领域。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = 30V
    - 最大电流:ID = 120A(连续)
    - 总功耗:Ptot = 263W
    - 导通电阻:RDSon = 1.6mΩ(VGS=10V;ID=25A;Tj=25°C)
    - 耐热性:工作温度范围为-55°C至175°C
    - 栅源电压:VGS = ±16V(直流);VGS = ±20V(脉冲)

    产品特点和优势


    - AEC Q101合规:保证在恶劣环境中具有出色的性能和可靠性。
    - 适合多种门驱动源:既可以用于标准门驱动,也可以用于逻辑电平门驱动。
    - 适用于高热需求环境:可在高达175°C的环境中稳定工作,非常适合高温应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 12伏汽车系统:作为电机和灯的开关,确保系统的高效运行。
    - 电动和电液动力转向:可以提高转向系统的响应速度和稳定性。
    - Start-Stop微混合应用:有助于优化启动停止过程,提高能效。
    - 使用建议:根据具体应用需求选择合适的散热设计以避免过热,注意使用过程中温度监测,确保正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品可与市场上多数电子控制系统兼容,支持广泛的汽车系统。
    - 支持信息:提供详细的技术文档和支持服务,包括常见问题解答和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间工作导致过热。
    解决方案:安装适当的散热器,增加通风孔,确保良好的散热条件。
    - 问题2:启动不稳定。
    解决方案:检查电路连接是否正确,调整门驱动信号强度,确保良好的门驱动性能。

    总结和推荐


    总体评估:BUK661R8-30C是一个专为汽车应用设计的高性能FET,具备出色的热稳定性和可靠性能。
    推荐意见:鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高性能电源管理的汽车电子系统中使用。如果您的项目需要一个可靠的N沟道FET来实现高效功率转换和控制,那么这款产品无疑是最佳选择之一。

BUK661R8-30C参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 263W
Vgs-栅源极电压 -
配置 -

BUK661R8-30C厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BUK661R8-30C数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BUK661R8-30C BUK661R8-30C数据手册

BUK661R8-30C封装设计

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