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BUK652R1-30C,127

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 263W(Tc) 16V 2.8V@1mA 168nC@ 10 V 1个N沟道 30V 2.4mΩ@ 25A,10V 10.918nF@25V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: CY-BUK652R1-30C,127
供应商: Avnet
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BUK652R1-30C,127

BUK652R1-30C,127概述

    BUK652R1-30C N-Channel TrenchMOS Intermediate Level FET

    1. 产品简介


    1.1 基本描述
    BUK652R1-30C 是一款采用先进TrenchMOS技术制造的N沟道增强型场效应晶体管(FET),封装形式为塑料包。这款产品已经过设计并符合AEC Q101标准,适用于高性能汽车应用。
    1.2 主要功能与优势
    - 符合AEC Q101标准
    - 适合标准及逻辑电平门驱动源
    - 能够适应热需求环境,由于其175°C的额定温度
    1.3 应用领域
    - 12V汽车系统
    - 电动和电液助力转向系统
    - 电机、灯泡和电磁阀控制
    - 微混动启动-停止系统
    - 变速箱控制
    - 高性能电源开关

    2. 技术参数


    2.1 快速参考数据
    - 漏极-源极电压 \( V{DS} \): 最大值30V
    - 漏极电流 \( ID \): 在\( V{GS} = 10V \)时最大值为120A
    - 总功耗 \( P{tot} \): 最大值为263W
    - 导通电阻 \( R{DSon} \):
    - 在\( V{GS} = 10V, ID = 25A \)时最小值为2.02mΩ
    - 在\( V{GS} = 5V, ID = 15A \)时最小值为11.1mΩ
    2.2 限值
    - 漏极-源极电压 \( V{DS} \): 最大值30V
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \): 直流情况下,最大值为±16V;脉冲情况下,最大值为±20V
    - 漏极电流 \( ID \): 最大值为120A(在25°C时)
    - 峰值漏极电流 \( I{DM} \): 最大值为960A(脉冲情况)
    - 总功耗 \( P{tot} \): 最大值为263W(在25°C时)
    2.3 热特性
    - 结至安装基座的热阻 \( R{th(j-mb)} \): 最大值为0.57K/W
    - 结至环境的热阻 \( R{th(j-a)} \): 最大值为60K/W

    3. 产品特点和优势


    BUK652R1-30C 的关键特点包括:
    - 具有高可靠性的AEC Q101认证,适用于汽车领域
    - 低导通电阻,特别是在较低的栅极电压下表现良好
    - 能承受高达175°C的工作温度,使得它能够在高温环境下稳定运行

    4. 应用案例和使用建议


    4.1 应用案例
    - 在电动和电液助力转向系统中,能够提供高效且稳定的电力转换
    - 在微混动启动-停止系统中,有助于减少启动和停止过程中的能量损失
    4.2 使用建议
    - 为了确保最佳性能,建议在选择外部电阻时考虑漏极电流的影响
    - 定期监测设备温度,以确保不会超过175°C的最大额定温度

    5. 兼容性和支持


    此产品可与其他常见的汽车级组件兼容,如电感和电容。此外,制造商提供详尽的技术支持文档和客户服务中心,帮助用户更好地理解和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    6.1 问题:如何确定合适的外部栅极电阻?
    - 解决方案:根据所需的电流和栅极充电时间来计算合适的电阻值。推荐查阅应用笔记或技术手册获取更多详细信息。
    6.2 问题:如何避免高温引起的性能下降?
    - 解决方案:通过适当的散热措施,例如使用散热片或液体冷却系统来保持结温低于175°C。

    7. 总结和推荐


    7.1 综合评估
    BUK652R1-30C 提供了出色的性能,尤其是在高温和严格的汽车应用环境中表现出色。其低导通电阻和高可靠性使其成为高性能电源转换应用的理想选择。
    7.2 推荐
    我们强烈推荐将 BUK652R1-30C 用于各种高性能电源转换和汽车控制系统中,尤其是那些需要高可靠性、低功耗的应用场景。

BUK652R1-30C,127参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.918nF@25V
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 168nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4mΩ@ 25A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 16V
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 263W(Tc)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

BUK652R1-30C,127厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BUK652R1-30C,127数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BUK652R1-30C,127 BUK652R1-30C,127数据手册

BUK652R1-30C,127封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8322 ¥ 7.1613
300+ $ 0.8246 ¥ 7.0968
500+ $ 0.817 ¥ 7.0323
1000+ $ 0.7941 ¥ 6.7097
5000+ $ 0.7941 ¥ 6.7097
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