处理中...

首页  >  产品百科  >  BUK7107-55ATE,118

BUK7107-55ATE,118

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 272W(Ta) 4V@1mA 116nC@ 10 V 1个N沟道 55V 7mΩ@ 50A,10V 4.5nF@25V D2PAK 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) BUK7107-55ATE,118

BUK7107-55ATE,118概述


    产品简介


    BUK7107-55ATE:N-沟道TrenchPLUS标准电平FET
    基本介绍
    BUK7107-55ATE是一种N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装和TrenchMOS技术制造。它包括用于静电放电(ESD)保护和温度传感的TrenchPLUS二极管,适用于汽车关键应用并符合AEC标准。
    主要功能
    1. 支持温度监控,集成温度传感器
    2. 高静电鲁棒性,集成保护二极管
    3. 低导通损耗,导通电阻小
    4. 符合Q101标准
    5. 适合标准电平栅极驱动源
    应用领域
    - 汽车和通用电源开关
    - 电动助力转向(EPAS)
    - 风扇控制
    - 发动机可变气门正时

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | Tj ≥ 25°C;Tj ≤ 175°C | - | - | 55 | V |
    | ID | 漏电流 | VGS = 10 V;Tmb = 25°C; | - | - | 140 | A |
    | Ptot | 总功率耗散 | Tmb = 25°C | - | - | 272 | W |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = 10 V;ID = 50 A;Tj = 25°C | - | 5.8 | 7 | mΩ |

    产品特点和优势


    1. 响应式温度监测:内置温度传感器,便于实时温度监测。
    2. 高静电鲁棒性:内置保护二极管,抗静电能力强。
    3. 低导通损耗:低导通电阻设计,降低功耗。
    4. Q101合规性:符合行业标准,确保产品质量。
    5. 适配标准级栅极驱动源:适合常见的驱动源,应用范围广泛。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 汽车应用:如EPAS系统,用于电动助力转向,提高能源效率。
    - 风扇控制:控制电机运行,保证散热效果。
    - 发动机可变气门正时:通过精准控制,提升发动机性能。
    使用建议
    1. 在高温环境下使用时,需注意散热设计,避免过热。
    2. 考虑到温度对导通电阻的影响,建议在使用时监控温度变化,以优化性能。
    3. 在多场景应用中,结合其他电子元件进行系统设计,确保整体系统的稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    BUK7107-55ATE兼容多种电子系统和设备,特别适用于需要高鲁棒性的汽车电子应用。
    支持和维护
    Nexperia公司提供全方位的技术支持和售后服务,如有任何问题,可通过官方网站或电子邮件联系销售人员。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何应对过高的漏电流?
    - A:检查电路设计,确保合适的栅极驱动源,避免过大的栅极电压。

    2. Q:如何优化温度传感器的性能?
    - A:在高温环境下使用时,合理布局传感器,确保温度监测的准确性。
    3. Q:如何防止静电损坏?
    - A:在操作时采取防静电措施,例如使用防静电手环。

    总结和推荐


    综合评估
    BUK7107-55ATE是一款高性能的N沟道TrenchPLUS标准电平FET,具有出色的温度监测能力、高静电鲁棒性和低导通损耗。适用于多种应用场景,特别是汽车领域,能够显著提升系统效率和可靠性。
    推荐使用
    鉴于其优良的性能和广泛的适用性,强烈推荐在相关电子设备和系统中使用BUK7107-55ATE。无论是新设计还是升级现有系统,这款FET都能为您的项目带来显著的优势。

BUK7107-55ATE,118参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
最大功率耗散 272W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.5nF@25V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 50A,10V
栅极电荷 116nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装

BUK7107-55ATE,118厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BUK7107-55ATE,118数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NXP SEMICONDUCTORS 场效应管(MOSFET) NXP SEMICONDUCTORS BUK7107-55ATE,118 BUK7107-55ATE,118数据手册

BUK7107-55ATE,118封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336