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PHT8N06LT

产品分类:
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
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NXP SEMICONDUCTORS  PHT8N06LT

PHT8N06LT概述


    产品简介


    TrenchMOS PHT8N06LT 是一种N沟道增强型逻辑电平场效应功率晶体管,封装形式为SOT223。它特别适合表面贴装,并且具有非常低的导通电阻。这款产品适用于直流-直流转换器以及各种开关应用。内置的稳压二极管提供了静电放电(ESD)保护,使得该产品在使用过程中更加安全可靠。

    技术参数


    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源电压 (VDS) | V | - | 55 | - |
    | 漏极电流 (ID) | A | - | 7.5 | - |
    | 总功率耗散 (Ptot) | W | - | 1.8 | - |
    | 结温 (Tj) | ℃ | - | 150 | - |
    | 导通电阻 (RDS(ON)) | mΩ | - | 80 | - |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:TrenchMOS技术赋予了PHT8N06LT非常低的导通电阻(RDS(ON)),这有助于减少功耗并提高效率。
    2. 高耐压能力:最高能承受55V的漏源电压,使其适用于高压环境。
    3. 内置ESD保护:内置的稳压二极管提供了ESD保护,确保产品的可靠性和耐用性。
    4. 宽工作温度范围:可在-55℃到150℃之间稳定工作,适应多种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC-DC转换器:PHT8N06LT非常适合用于直流-直流转换器中,可以有效地降低损耗,提高转换效率。
    - 电池充电电路:利用其低导通电阻的特点,可以在电池充电电路中充当高效开关,减少发热。
    - 电机驱动电路:在电机驱动电路中,可以有效控制电机的启停和速度,保证电路的稳定运行。
    使用建议
    - 散热管理:由于该器件具有一定的热阻,需要考虑良好的散热设计,特别是在高功率应用中。
    - 电路布局:注意电路布局的合理性,避免寄生电感和寄生电容对性能的影响。
    - 电源稳定:保证输入电源的稳定性,避免瞬态电压影响器件的工作性能。

    兼容性和支持


    该产品可以与其他标准N沟道MOSFET兼容,可以轻松替换现有的解决方案。此外,Philips Semiconductors公司提供详尽的技术支持文档和客户服务,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温下性能下降。
    - 解决方法:选择合适的散热设计,例如加装散热片或散热风扇。
    2. 问题:器件在高频应用中表现不佳。
    - 解决方法:注意电路布局,尽量减小寄生电感和寄生电容的影响。
    3. 问题:无法实现预期的电流输出。
    - 解决方法:检查电路连接,确保正确的电源电压和电流等级。

    总结和推荐


    TrenchMOS PHT8N06LT 在其适用的应用领域中表现出色,尤其是在低损耗、高压环境下的应用。其卓越的导通电阻和内置ESD保护使其成为市场上极具竞争力的产品。然而,在使用时需要注意合理的散热管理和电路布局,以充分发挥其性能优势。总体来说,我们强烈推荐此产品给需要高性能MOSFET的应用开发工程师。

PHT8N06LT厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

PHT8N06LT数据手册

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PHT8N06LT封装设计

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