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PKC26BB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NIKO-SEM/台湾尼克森微
产品描述: 2.3mΩ@ 4.5V,20A 151A
供应商型号: PKC26BB
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
NIKO-SEM/台湾尼克森微 场效应管(MOSFET) PKC26BB

PKC26BB概述


    产品简介


    产品名称:G-48-2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PKC26BB
    G-48-2 是一款由 NIKO-SEM 生产的N沟道增强模式场效应晶体管(FET)。其紧凑的 PDFN 5x6P 封装使其非常适合空间受限的应用场合。该晶体管具有低导通电阻和优化的栅极电荷,有助于最小化导通和开关损耗,从而在广泛的电力应用中表现出色。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 封装类型:PDFN 5x6P
    - 特性:无卤素、无铅、符合RoHS标准
    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 连续漏电流 (ID):151A(TC = 25°C),95A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):200A
    - 额定功率耗散 (PD):73W(TC = 25°C),29W(TC = 100°C)
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(ON)):1.6mΩ(VGS = 4.5V,ID = 20A)
    - 门槛电压 (VGS(th)):1.3V 至 2.35V
    - 输入电容 (CISS):3499pF(VGS = 0V,VDS = 15V,f = 1MHz)

    产品特点和优势


    G-48-2 的主要优势在于其超低的导通电阻(1.6mΩ)和优化的栅极电荷,这有助于显著降低开关和导通损耗。其耐高温能力高达150°C,使得该晶体管在各种恶劣环境下都能稳定工作。此外,无卤素和无铅的设计使其环保,满足全球环境保护的要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:G-48-2 广泛应用于计算机中的DC到DC转换器和保护电路中。例如,在直流电源转换器中,它能有效地进行电压调节和电流控制。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,在设计电路时需要考虑散热管理。此外,确保在高电流条件下合理布局PCB,以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    G-48-2 与市场上常见的各种电子设备和元件兼容,可广泛应用于多个领域。NIKO-SEM 提供全面的技术支持,包括安装指南、详细的电气参数表和技术咨询服务,确保客户能够充分利用该产品的功能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现瞬态过电压。
    - 解决方案:增加外部缓冲电路或使用合适的瞬态电压抑制器。
    - 问题2:电路在高温环境下性能不稳定。
    - 解决方案:优化散热设计,采用更大的散热片或散热器。

    总结和推荐


    总体而言,G-48-2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PKC26BB 在性能上表现卓越,具有出色的导通电阻和开关特性,特别适合于电力管理和电源转换应用。推荐给对性能和可靠性有较高要求的设计者和工程师。

PKC26BB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3mΩ@ 4.5V,20A
Id-连续漏极电流 151A
FET类型 -

PKC26BB数据手册

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PKC26BB封装设计

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9000+ ¥ 1.4775
12000+ ¥ 1.4383
15000+ ¥ 1.3729
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