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PEMZ1,115

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 200mV@ 5mA,50mA 1 NPN,1 PNP 200mW 5V 100nA 50V 40V 100mA SOT-666 贴片安装 1.7mm*1.3mm*600μm
供应商型号: AV-E-PEMZ1,115
供应商: Avnet
标准整包数: 4000
NEXPERIA 三极管(BJT) PEMZ1,115

PEMZ1,115概述


    产品简介


    产品类型: PEMZ1 是一款由 NXP Semiconductors 生产的 NPN/PNP 双极型晶体管对,采用 SOT666 封装形式。这种晶体管广泛应用于通用的开关和放大电路中,同时也适用于开关电源中的互补 MOSFET 驱动器及音频放大器中的互补驱动器。
    主要功能:
    - 作为开关电路中的核心组件,实现电流控制功能。
    - 在放大电路中进行信号放大。
    - 在开关电源中用作驱动器。
    - 在音频放大器中提供互补驱动能力。
    应用领域:
    - 一般用途的开关和放大应用。
    - 开关电源中互补 MOSFET 的驱动器。
    - 音频放大器中的互补驱动器。

    技术参数


    | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VCBO | 开路发射极 | - | - | -50 | V |
    | VCEO | 开路基极 | - | - | -40 | V |
    | VEBO | 开集电极开路 | - | - | -5 | V |
    | IC | 直流集电极电流 | - | - | -100 | mA |
    | ICM | 峰值集电极电流 | - | - | -200 | mA |
    | IBM | 峰值基极电流 | - | - | -200 | mA |
    | Ptot | 总功率耗散(最大温度 25°C) | - | - | -300 | mW |
    | Rth j-a | 结到环境热阻 | - | 416 | - | K/W |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 总功率耗散高达 300 毫瓦。
    - 非常小巧的 1.6×1.2 毫米超薄封装。
    - 焊接时可自动对齐。
    - 可以替代两个安装在相同 PCB 区域内的 SC-75/SC-89 封装的晶体管。
    - 减少了所需的 PCB 面积。
    - 减少了拾放成本。
    优势:
    - 高集成度: 可以在一个小区域内替代多个传统晶体管,节省 PCB 面积。
    - 高性能: 高功率耗散能力和良好的热阻性能使其适合在高负荷条件下运行。
    - 易用性: 自动对齐的设计降低了组装难度和成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 一般用途的开关和放大应用。
    - 开关电源中互补 MOSFET 的驱动器。
    - 音频放大器中的互补驱动器。
    使用建议:
    - 在设计时需确保总功率耗散不超过规定的最大值,以防止过热损坏。
    - 考虑到焊接时的自动对齐特性,建议在自动装配线上使用该产品,提高生产效率。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - PEMZ1 适用于各种标准的电子设计,如开关电源和音频放大器。
    - 由于其紧凑的尺寸,可以很容易地替换其他类似的小型封装晶体管。
    支持:
    - 请联系当地的销售办公室,获取更多技术支持和产品更新信息。
    - 通过电子邮件 `salesaddresses@nexperia.com` 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1: 如何正确使用 PEMZ1 进行电路设计?
    - 解答: 仔细阅读产品数据手册,确保所有电气特性和限定值都得到正确处理。例如,在设计时需要考虑总功率耗散和结到环境的热阻,以避免过热。
    问题2: 如何处理焊接时的自动对齐问题?
    - 解答: 使用自动化设备进行焊接,以确保晶体管在焊接过程中能够自动对齐。手动焊接可能无法达到最佳效果。

    总结和推荐


    综合评估:
    - PEMZ1 是一款高性能、高集成度的 NPN/PNP 晶体管对,非常适合用于多种通用和特定应用场合。其小巧的尺寸和强大的性能使其在市场上具有较高的竞争力。
    推荐使用:
    - 推荐使用 PEMZ1,特别是在需要紧凑封装和高集成度的应用场合。对于要求高可靠性且需要长时间工作的系统,这款产品将是一个理想的选择。

PEMZ1,115参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 50V
晶体管类型 1 NPN,1 PNP
最大功率耗散 200mW
最大集电极发射极饱和电压 200mV@ 5mA,50mA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
配置
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 200mV@ 5mA,50mA
集电极截止电流 100nA
集电极电流 100mA
长*宽*高 1.7mm*1.3mm*600μm
通用封装 SOT-666
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,卷带包装

PEMZ1,115厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PEMZ1,115数据手册

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NEXPERIA 三极管(BJT) NEXPERIA PEMZ1,115 PEMZ1,115数据手册

PEMZ1,115封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.1875 ¥ 1.6313
12000+ $ 0.186 ¥ 1.6182
40000+ $ 0.1845 ¥ 1.6052
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起订量: 4000 增量: 4000
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最小起订量为:4000
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