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PDTC114ET,235

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: Nexperia NPN数字晶体管, TO-236封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压50 V
供应商型号: AV-S-PHSPDTC114ETT3
供应商: Avnet
标准整包数: 10000
NEXPERIA 三极管(BJT) PDTC114ET,235

PDTC114ET,235概述

    产品概述
    Nexperia PDTC114E系列 NPN电阻配备晶体管
    产品简介:
    PDTC114E系列是NPN电阻配备晶体管,封装形式为小尺寸表面贴装(SMD)塑料封装。该系列产品广泛应用于汽车和工业数字控制领域,可作为BC847/857系列的替代品,在降低设计复杂度的同时节约成本。
    主要功能和应用领域:
    - 输出电流能力:100mA
    - 内置偏置电阻:R1 = 10kΩ,R2 = 10kΩ
    - 适用于数字控制应用,如汽车和工业领域的控制系统。
    - 能有效减少组件数量,降低成本,简化电路设计。
    - 满足AEC-Q101标准,适合汽车应用。

    技术参数


    基本参数:
    - 最大集电极-发射极电压 (VCEO):50V
    - 输出电流 (IO):100mA
    - 输入电压 (VI):正向:+40V,反向:−10V
    - 最大峰值集电极电流 (ICM):单脉冲;脉宽tp ≤ 1ms时为100mA
    - 总功耗 (Ptot):在环境温度Tamb ≤ 25°C下,PDTC114EE (SOT416)为150mW,PDTC114EM (SOT883)为250mW,PDTC114ET (SOT23)为250mW,PDTC114EU (SOT323)为200mW。
    - 工作温度范围:结温Tj:-65°C ~ +150°C,环境温度Tamb:-65°C ~ +150°C,存储温度Tstg:-65°C ~ +150°C。
    特性参数:
    - 内置电阻R1:输入端,7kΩ ~ 13kΩ
    - R2与R1的电阻比:0.8 ~ 1.2
    - 截止电流(ICBO, ICEO, IEBO):分别为100nA, 1μA, 400μA(不同温度下的变化)
    - DC电流增益 (hFE):30至无限制
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCEsat):典型值小于150mV
    - 过渡频率 (fT):典型值为230MHz
    - 集电极电容 (Cc):典型值为2.5pF

    产品特点和优势


    - 简化设计:内置偏置电阻,降低了设计复杂度,减少了外部电路的需要。
    - 成本节约:适合替换BC847/857系列,能够节省整体成本。
    - 应用灵活:适应多种应用,尤其是汽车和工业数字控制领域。
    - 高可靠性:通过AEC-Q101认证,符合汽车电子产品要求。
    - 小型化设计:提供多种SMD封装选择,非常适合空间受限的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    PDTC114E系列适用于多种电子控制系统,例如汽车空调控制系统、工业自动化设备的开关控制、电子门禁系统等。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保电源电压不超过最大额定值50V,以避免过压损坏。
    - 尽量避免瞬态大电流冲击,特别是在开关操作时。
    - 建议使用贴片式封装,以提高安装效率和减小PCB面积。

    兼容性和支持


    - 兼容性:支持与多种标准SMD封装接口兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持和售后服务,确保用户能顺利完成产品应用和调试。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 集电极-发射极饱和电压过高
    - A1: 确认输入信号幅值,适当调整基极电阻R1或R2的阻值,以减小饱和电压。

    - Q2: 输出电流不足
    - A2: 检查供电电压是否正常,必要时更换更高功率的产品型号。

    总结和推荐


    总结:
    PDTC114E系列NPN电阻配备晶体管凭借其出色的性能、可靠性和小型化设计,在众多应用场景中表现出色。其简化的设计、成本节约以及高可靠性使其成为现代电子控制系统中的理想选择。
    推荐:
    鉴于该产品的诸多优点和广泛适用性,强烈推荐电子控制系统设计者和制造商选用Nexperia PDTC114E系列晶体管,尤其是在空间有限且对可靠性有高要求的应用场合。

PDTC114ET,235参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 10V
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
配置 独立式
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 100mA
集电极截止电流 1μA
最大功率耗散 250mW
最大集电极发射极饱和电压 150mV@ 500µA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 150mV@ 500µA,10mA
长*宽*高 3mm*1.4mm*1mm
通用封装 TO-236AB
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PDTC114ET,235厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PDTC114ET,235数据手册

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NEXPERIA 三极管(BJT) NEXPERIA PDTC114ET,235 PDTC114ET,235数据手册

PDTC114ET,235封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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60000+ $ 0.0118 ¥ 0.1046
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