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NX7002BKMYL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 350mW(Ta),3.1W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 1nC@ 10 V 1个N沟道 60V 2.8Ω@ 200mA,10V 350mA 23.6pF@10V SOT-883 贴片安装
供应商型号: 30C-NX7002BKMYL DFN-1006-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NX7002BKMYL

NX7002BKMYL概述

    # Nexperia NX7002BKM 技术手册详解

    1. 产品简介


    基本介绍
    NX7002BKM 是一款由Nexperia公司生产的 N 沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚超小型 DFN1006-3(SOT883)表面贴装封装技术。其核心采用了先进的沟槽式 MOSFET 工艺,使其具有出色的开关速度和逻辑兼容性,广泛适用于高速开关电路、继电器驱动器、低侧负载开关等场景。
    主要功能
    - 逻辑电平兼容性:适合与标准逻辑电路直接连接。
    - 极快开关速度:有助于提高系统的响应时间。
    - 静电保护:具备超过 2kV 的人体模型(HBM)抗静电能力。
    应用领域
    - 高可靠性继电器驱动器
    - 高速线驱动器
    - 低侧开关电路

    2. 技术参数


    以下为 NX7002BKM 的关键技术指标,具体参数如下:
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | - | - | 60 | V |
    | VGS | 栅源电压 | Tj = 25°C | -20 | - | 20 | V |
    | ID | 漏电流 | VGS = 10V, Tamb = 25°C | - | 350 | mA |
    | RDS(on) | 导通电阻 | VGS = 10V, ID = 200mA, Tj = 25°C | - | 2.2 | 2.8 | Ω |
    其他性能参数还包括输入电容 Ciss、输出电容 Coss、反向传输电容 Crss 等,分别对应不同的测试条件。

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 先进的沟槽式 MOSFET 工艺:带来更高的电流密度和更低的导通电阻。
    - 优异的热管理性能:典型热阻 Rth(j-a) 为 314 K/W(自由空气条件下),能够有效分散热量。
    - 高度的可靠性:ESD 保护等级大于 2kV HBM。
    优势
    - 极高的开关效率,能显著提升电路的整体能效。
    - 小巧的封装(DFN1006-3,仅 1.0 x 0.6 x 0.5 mm),便于高密度 PCB 设计。
    - 优秀的性价比,适用于消费类电子产品、工业控制和通信系统等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 继电器驱动:适用于汽车电子、家用电器等领域的低功率控制模块。
    - 开关电源:由于其快速开关特性,适合用于高性能直流-直流转换器。
    - 电池管理系统:作为低侧开关元件,负责精准控制电池组的放电路径。
    使用建议
    1. 散热设计:建议在设计时增加适当的铜箔面积以降低热阻。
    2. 防静电措施:确保在组装和操作过程中使用 ESD 防护设备。
    3. 匹配外围元件:根据具体需求调整栅极电阻值以优化开关特性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    NX7002BKM 可与其他同类 N 沟道沟槽式 MOSFET 器件互换使用,但需注意封装尺寸及引脚排列。
    支持信息
    Nexperia 提供详尽的技术文档和技术支持,包括产品数据手册、设计指南和样片供应。此外,技术支持团队可以协助解决复杂的应用问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度过慢 | 检查栅极电阻值是否合理;适当减小阻值。|
    | 导通电阻过高 | 确保工作电压满足最低阈值要求;调整散热措施。|
    | ESD 引发损坏 | 使用防静电手套操作;在 PCB 上添加保护电路。|

    7. 总结和推荐


    综合评估
    NX7002BKM 凭借其紧凑的封装、优越的性能和高可靠性,在多种应用场合中表现出色。它尤其适合需要高效能、低成本的场景。
    推荐结论
    强烈推荐 NX7002BKM 作为 N 沟道沟槽式 MOSFET 的首选器件。无论是从技术指标还是实际应用来看,它都是一款极具竞争力的产品。

NX7002BKMYL参数

参数
配置 -
栅极电荷 1nC@ 10 V
最大功率耗散 350mW(Ta),3.1W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@ 200mA,10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 350mA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23.6pF@10V
FET类型 1个N沟道
1.02mm(Max)
620μm(Max)
470μm(Max)
通用封装 SOT-883
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NX7002BKMYL厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

NX7002BKMYL数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA NX7002BKMYL NX7002BKMYL数据手册

NX7002BKMYL封装设计

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