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PMV55ENEAR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: Nexperia N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 3.1 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 11M-PMV55ENEAR
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PMV55ENEAR

PMV55ENEAR概述

    Nexperia PMV55ENEA:一款高性能N沟道Trench MOSFET

    产品简介


    Nexperia PMV55ENEA是一款采用Trench MOSFET技术的小型SOT23封装(TO-236AB)表面贴装场效应晶体管(FET)。其作为N沟道增强模式场效应晶体管(FET),能够在多种高要求的应用场景中发挥重要作用,包括继电器驱动、高速线驱动、低侧负载开关和开关电路等。

    技术参数


    以下是Nexperia PMV55ENEA的主要技术规格及性能参数:
    - 额定电压:VDS (漏源电压) = 60 V
    - 额定电流:
    - VGS = 10 V时的最大漏极电流(ID) = 3.1 A
    - 瞬态峰值漏极电流(IDM) = 12.6 A(在25°C)
    - 电阻参数:
    - 导通电阻(RDSon):
    - VGS = 10 V, ID = 3.1 A时,Tj = 25°C下典型值为46 mΩ
    - VGS = 10 V, ID = 3.1 A时,Tj = 150°C下典型值为92 mΩ
    - 其他电气特性:
    - 开启延迟时间(td(on)) = 9 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)) = 33 ns
    - 热特性:
    - 结点到环境的热阻(Rth(j-a))在自由空气中 = 227 K/W(最小值)
    - 结点到焊点的热阻(Rth(j-sp)) = 13 K/W

    产品特点和优势


    1. 逻辑电平兼容:使其适用于需要精确控制信号的应用。
    2. 快速切换:低开关损耗使它适合高速应用。
    3. 强大的ESD保护:HBM超过2 kV,确保在生产过程中不受静电损伤。
    4. 高质量认证:通过了AEC-Q101汽车电子认证,适合汽车应用。
    5. 紧凑封装:采用SOT23小型封装,节省空间且便于装配。

    应用案例和使用建议


    - 继电器驱动:适用于需要频繁通断的场合。
    - 高速线驱动:适合通信应用,对速度和响应时间有较高要求。
    - 低侧负载开关:用于电源管理电路。
    - 开关电路:广泛应用于各种数字和模拟电路中。
    在使用时应注意,为了最大化产品性能,应正确选择散热措施。对于高电流情况,建议使用大面积的散热铜箔,并遵循制造商提供的焊接指南。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可以与其他标准的N沟道MOSFET和外围电路很好地配合使用。
    - 支持:Nexperia提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用笔记和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定产品是否满足特定应用需求?
    答:首先检查产品手册中的技术参数是否符合您的设计要求。如需更多帮助,可以联系当地的销售代表或技术支持团队。

    2. 问:产品过热问题怎么处理?
    答:适当增加散热片,使用合适的散热材料(如导热硅脂),并确保PCB布线合理,以改善散热效果。

    总结和推荐


    Nexperia PMV55ENEA以其卓越的电气特性和高效的热管理,在众多应用场景中表现出色。无论是继电器驱动还是高速信号处理,都能展现出其在市场上的强大竞争力。对于追求高可靠性和高效率的设计项目,推荐选用此款MOSFET。结合其优质的AEC-Q101认证和广泛的兼容性,它将是许多工程师的理想选择。

PMV55ENEAR参数

参数
栅极电荷 19nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 3.1A,10V
最大功率耗散 478mW(Ta),8.36W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 646pF@30V
Id-连续漏极电流 3.1A
Vgs-栅源极电压 20V
3mm(Max)
1.4mm(Max)
1.1mm(Max)
通用封装 TO-236AB
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

PMV55ENEAR厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PMV55ENEAR数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PMV55ENEAR PMV55ENEAR数据手册

PMV55ENEAR封装设计

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