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NXV40UNR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 340mW(Ta),2.1W(Tc) 8V 950mV@ 250µA 9nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 50mΩ@ 2.5A,4.5V 2.5A 347pF@10V TO-236AB 贴片安装
供应商型号: 3617840
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NXV40UNR

NXV40UNR概述

    # Nexperia NXV40UN 20 V N-channel Trench MOSFET 技术详解

    1. 产品简介


    Nexperia NXV40UN 是一款小型化的表面贴装器件(SMD),采用 SOT23 封装形式的 N 沟道增强型场效应晶体管(FET)。它通过 Trench MOSFET 技术实现了低导通电阻和快速开关速度,适合应用于高能效和高速运行的电路中。
    主要功能:
    - 支持高频率开关操作
    - 具备极快的开关响应能力
    - 可用于驱动继电器、高速线驱动器、下拉负载开关及各类开关电路
    应用领域:
    - 继电器驱动电路
    - 高速数字信号传输
    - 电源管理中的低侧开关
    - 各类电源转换和控制模块

    2. 技术参数


    以下是 NXV40UN 的关键技术参数和电气特性:
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源击穿电压 | - | - | 20 | - | V |
    | VGS | 栅源电压 | Tj = 25°C | -8 | ±8 | - | V |
    | ID | 漏极电流 | VGS = 4.5V, Tamb = 25°C | - | 2.5 | - | A |
    | RDSon | 导通电阻 | VGS = 4.5V, ID = 2.5A, Tj = 25°C | - | 41 | 50 | mΩ |
    | QG(tot) | 总栅电荷 | - | - | 6~9 | - | nC |
    工作环境:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围:-65°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    NXV40UN 的显著特点和优势使其在现代电子设计中具有很高的实用价值:
    - 低阈值电压:使得门极驱动更容易,降低了驱动功耗。
    - 极快的开关速度:有助于减少延迟和开关损耗,提高效率。
    - 卓越的热稳定性:得益于 Trench MOSFET 技术,即使在高温条件下也能保持高性能。
    - 紧凑封装:SOT23 封装设计非常适用于空间受限的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    1. 继电器驱动电路:NXV40UN 可以快速切换大电流,非常适合继电器驱动,同时具备较低的导通压降。
    2. 高速线驱动器:由于其快速开关特性和低导通电阻,能够有效支持高频信号的稳定传输。
    使用建议:
    - 在高频开关电路中,需确保驱动电路提供足够的栅极电压和合适的上升时间。
    - 在大电流应用场景中,应配合散热片以避免因过热导致的失效。
    - 为防止栅极振荡,在 PCB 设计时应注意布线的合理性,缩短走线长度。

    5. 兼容性和支持


    NXV40UN 的 SOT23 封装标准与同类产品完全兼容,因此可以直接替换传统型号。此外,Nexperia 提供全面的技术支持服务,包括详尽的数据手册和应用指南,帮助工程师快速完成设计并进行故障排查。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见问题及其对应的解决方案:
    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关速度不足 | 检查驱动电路是否满足要求,增加驱动功率。 |
    | 发热严重 | 增加散热措施或降低负载电流。 |
    | 导通电阻偏大 | 确保 VGS 足够高,调整电路参数。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    NXV40UN 是一款兼具高性能与紧凑设计的 N 沟道 Trench MOSFET,尤其适合高能效、高频率的开关应用。其低阈值电压、快速开关和卓越的热稳定性使其在市场上极具竞争力。
    推荐使用:
    强烈推荐在需要快速开关和高效性能的电路设计中使用 NXV40UN,特别是继电器驱动、高速线驱动和低侧开关等应用场景。
    NXV40UN 数据表由 Nexperia 官方发布,更多详细信息可访问 Nexperia 官网查询。
    © Nexperia B.V. 2020. All rights reserved.

NXV40UNR参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 950mV@ 250µA
最大功率耗散 340mW(Ta),2.1W(Tc)
配置 -
Id-连续漏极电流 2.5A
栅极电荷 9nC@ 4.5 V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 347pF@10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 8V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 2.5A,4.5V
通用封装 TO-236AB
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NXV40UNR厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

NXV40UNR数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA NXV40UNR NXV40UNR数据手册

NXV40UNR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.02
50+ ¥ 0.9149
100+ ¥ 0.7728
500+ ¥ 0.6924
1500+ ¥ 0.6924
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