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PDTC115ET,215

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 150mV@ 250µA,5mA NPN - Pre-Biased 250mW 10V 1μA 50V 20mA TO-236AB 贴片安装 3mm*1.4mm*1mm
供应商型号: A-PDTC115ET,215
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
NEXPERIA 三极管(BJT) PDTC115ET,215

PDTC115ET,215概述

    PDTC115E 系列 NPN 电阻内置晶体管技术手册

    产品简介


    PDTC115E 系列 是一款 NPN 电阻内置晶体管,由 Nexperia 生产。这类晶体管在电路设计中可以简化设计复杂度,并减少组件数量。适用于通用开关、放大电路,逆变器及接口电路中作为驱动器。产品编号后缀指明了制造地点:香港(标记为“p”)、马来西亚(标记为“t”)和中国(标记为“W”)。

    技术参数


    - 基本特性
    - 内置偏置电阻
    - 简化电路设计
    - 减少组件数量
    - 降低选件和装配成本
    - 型号及封装
    - PDTC115EE: SOT416 封装
    - PDTC115EEF: SOT490 封装
    - PDTC115EK: SOT346 封装
    - PDTC115EM: SOT883 封装
    - PDTC115ES: SOT54 (TO-92) 封装
    - PDTC115ET: SOT23 封装
    - PDTC115EU: SOT323 封装
    - 技术规格
    - 最大电压:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): -50 V
    - 集电极-基极电压 (VCBO): -50 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): -10 V
    - 电流特性:
    - 输出电流 (IO): -20 mA
    - 峰值集电极电流 (ICM): -100 mA
    - 热特性:
    - 结温 (Tj): -150 °C
    - 工作环境温度 (Tamb): -65 +150 °C
    - 总功率耗散:
    - SOT54 封装: 500 mW
    - SOT23 封装: 250 mW
    - SOT346 封装: 250 mW
    - SOT323 封装: 200 mW
    - SOT416 封装: 150 mW
    - SOT883 封装: 250 mW
    - SOT490 封装: 250 mW
    - 输入电阻:
    - R1 输入电阻: 100 kΩ
    - R2 输入电阻: 100 kΩ

    产品特点和优势


    PDTC115E 系列 NPN 电阻内置晶体管具有多项优势:
    - 简化电路设计: 通过内置电阻,减少了外部电阻的使用,简化了电路设计。
    - 减少组件数量: 集成的电阻有助于减少电路中的组件数量,降低整体成本。
    - 降低成本: 由于减少了外部组件的需求,有助于降低选件和装配成本。
    - 高可靠性: 具备良好的热稳定性,可在广泛的温度范围内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 通用开关和放大器: 适用于需要简单、高效的电路设计中。
    - 逆变器和接口电路: 可作为简单的信号放大器或驱动器。
    - 电路驱动器: 可用于驱动小型负载,如LED、小型电机等。
    使用建议:
    - 在设计电路时,建议考虑PDTC115E系列晶体管的工作电压范围,确保不超过最大电压限制。
    - 在高温环境下使用时,注意散热,避免过热损坏。
    - 根据具体应用需求选择合适的封装形式。

    兼容性和支持


    - 兼容性: PDTC115E系列晶体管与大多数标准电路板设计兼容,无需特殊适配。
    - 支持服务: Nexperia 提供详尽的技术文档和支持服务。如有疑问,可通过邮件或电话联系其最近的销售办事处。

    常见问题与解决方案


    1. 问: 如何正确焊接PDTC115E晶体管?
    - 答: 建议使用回流焊接工艺。不推荐手工焊接,以避免过高的温度导致损坏。

    2. 问: 在高湿度环境下,如何确保PDTC115E晶体管的稳定性?
    - 答: 在设计电路时增加适当的保护措施,如防潮密封。建议在高湿度环境中定期检查电路状态。

    总结和推荐


    总体评价:
    PDTC115E 系列 NPN 电阻内置晶体管在设计简单、性能可靠方面表现突出,适用于多种应用场合。其内置电阻设计有助于简化电路设计并减少组件数量,降低了选件和装配成本。
    推荐意见:
    鉴于其优秀的性能和低成本的优势,我们强烈推荐使用PDTC115E系列晶体管,尤其适用于对成本敏感但又要求高性能的应用。对于电路设计师来说,这是非常理想的选择。

PDTC115ET,215参数

参数
集电极截止电流 1μA
最大集电极发射极饱和电压 150mV@ 250µA,5mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 150mV@ 250µA,5mA
最大功率耗散 250mW
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 10V
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
集电极电流 20mA
长*宽*高 3mm*1.4mm*1mm
通用封装 TO-236AB
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

PDTC115ET,215厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PDTC115ET,215数据手册

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NEXPERIA 三极管(BJT) NEXPERIA PDTC115ET,215 PDTC115ET,215数据手册

PDTC115ET,215封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 0.1943
100+ ¥ 0.1439
1000+ ¥ 0.1115
1500+ ¥ 0.0914
3000+ ¥ 0.0795
库存: 2300
起订量: 10 增量: 10
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