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PXN6R2-25QLJ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: Nexperia N沟道MOS管, Vds=25 V, 13.1 A, MLPAK33.封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: AV-S-PXN6R2-25QLJ
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
NEXPERIA 场效应管(MOSFET) PXN6R2-25QLJ

PXN6R2-25QLJ概述

    PXN6R2-25QL 25 V, N-channel Trench MOSFET 技术手册概览

    1. 产品简介


    产品类型:
    - 类型: N沟道增强模式场效应晶体管(FET)
    - 封装: MLPAK33(SOT8002)表面贴装器件塑料封装
    - 技术: 沟槽MOSFET技术
    主要功能:
    - 兼容逻辑电平
    - 超低QG和QGD,尤其在高开关频率下系统效率高
    - 软恢复超级快
    - 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
    应用领域:
    - 直流到直流转换
    - 电池管理
    - 低侧负载开关
    - 开关电路

    2. 技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | 源极-漏极电压 | - | - | - | 25 | V |
    | VGS | 门极-源极电压 | Tj=25°C | -20 | - | 20 | V |
    | ID | 漏极电流 | VGS=10V, Tamb=25°C, t≤5s | - | - | 22.3 | A |
    | RDSon | 漏极-源极导通电阻 | VGS=10V, ID=13.1A, Tj=25°C | - | 5.3 | 6.2 | mΩ |
    | QG(tot) | 总门极电荷 | VDS=12.5V, ID=11.2A, VGS=4.5V, Tj=25°C | - | 8.1 | 12.2 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 逻辑电平兼容: 使其易于集成到现有的逻辑电平环境中
    - 超低QG和QGD: 在高开关频率下能提高系统效率
    - 软恢复超级快: 减少开关过程中的能量损失,提高整体性能
    - 低尖峰和振铃: 减少电磁干扰,适合低EMI设计

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 直流到直流转换: 高效率的电源转换,减少能量损耗
    - 电池管理: 稳定的电压输出,延长电池寿命
    - 低侧负载开关: 快速响应时间,提升系统的动态性能
    - 开关电路: 可靠的开关操作,减少电磁干扰
    使用建议:
    - 在高频应用中,确保选择合适的栅极电阻以优化性能
    - 通过合理布局散热片来提高热稳定性和可靠性
    - 使用高质量的印刷电路板(FR4 PCB)以保证性能的一致性

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - MLPAK33 封装的引脚配置使得它能够轻松集成到多种标准电路板设计中
    支持信息:
    - Nexperia 提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够获得最佳的应用体验

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过低导致效率降低 | 增加门极驱动电流或调整外部栅极电阻 |
    | 漏电流过高 | 检查焊接质量和电路板布局,确保良好的散热效果 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:
    - 逻辑电平兼容性
    - 超低的QG和QGD
    - 软恢复速度
    - 低EMI设计
    推荐使用:
    - 鉴于其高效率、快速开关能力和低EMI设计,PXN6R2-25QL非常适合在各种高要求的直流转换和电池管理系统中使用。建议在高频应用中进行详细的测试和调优以达到最佳性能。

PXN6R2-25QLJ参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 25V
Id-连续漏极电流 13.1A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@12.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
最大功率耗散 1.7W(Ta),40.3W(Tc)
栅极电荷 25.5nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 6.2mΩ@ 13.1A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
通用封装 MLPAK-33
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

PXN6R2-25QLJ厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PXN6R2-25QLJ数据手册

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NEXPERIA 场效应管(MOSFET) NEXPERIA PXN6R2-25QLJ PXN6R2-25QLJ数据手册

PXN6R2-25QLJ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.2206 ¥ 1.9527
18000+ $ 0.2008 ¥ 1.7771
33000+ $ 0.1868 ¥ 1.6533
63000+ $ 0.1814 ¥ 1.6052
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