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NT6DM32M16BD-T1I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技
产品描述: 64MB 32Mx16 1.7V 115mA 1.95V 400MHz LVCMOS 16bit VFBGA
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NT6DM32M16BD-T1I

NT6DM32M16BD-T1I参数

参数
最大时钟频率 400MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 32Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 LVCMOS
存储容量 64MB
最大供电电流 115mA
通用封装 VFBGA
应用等级 工业级

NT6DM32M16BD-T1I数据手册

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NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 动态随机存储器(DRAM) NANYA TECHNOLOGY/台湾南亚科技 NT6DM32M16BD-T1I NT6DM32M16BD-T1I数据手册

NT6DM32M16BD-T1I封装设计

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