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AOD4189

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W(Ta),62.5W(Tc) 20V 3V@ 250µA 41nC@ 10 V 1个P沟道 40V 22mΩ@ 12A,10V 40A 1.87nF@20V DPAK,TO-252 贴片安装 6.6mm*6.1mm*2.29mm
供应商型号: MIK-AOD4189
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) AOD4189

AOD4189概述

    AOD4189 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

    1. 产品简介


    AOD4189 是一款采用先进沟槽技术设计的P沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)。它具有出色的低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷特性。AOD4189适用于高电流负载的应用,例如电源管理和电机驱动系统,尤其适合于需要紧凑和高效解决方案的设计。

    2. 技术参数


    以下是AOD4189的关键技术规格:
    - VDS(漏源电压): 最大值为-40V
    - IDM(最大连续漏极电流): -40A(VGS = -10V)
    - RDS(ON)(导通电阻): 在VGS = -10V时小于22mΩ,在VGS = -4.5V时小于29mΩ
    - 热阻抗RθJC(结至外壳): 2°C/W 至 2.4°C/W
    - 热阻抗RθJA(结至环境): 2.5°C/W 至 1.6°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 到 175°C
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS): -40V
    - 栅源电压(VGS): ±20V
    - 栅极源极泄漏电流(IGSS): ±100nA
    - 最大功率耗散(PDSM): 62.5W(TJ=25°C),基于结至外壳热阻测量
    - 最大结温(TJ): 175°C

    3. 产品特点和优势


    AOD4189的主要特点是:
    - 高可靠性:所有样品均经过UIS(无钳位电感开关)测试和Rg(栅极电阻)测试。
    - 热阻抗低:通过DPAK封装实现优秀的热管理。
    - 导通电阻低:不同栅源电压下,导通电阻RDS(ON)显著降低,特别是在高频应用中表现出色。
    - 绿色环保:完全符合RoHS标准且无卤素。
    这些特性使得AOD4189在高电流应用中表现出色,尤其是在紧凑和高性能要求的设计中。

    4. 应用案例和使用建议


    AOD4189非常适合用于各种高电流应用,例如:
    - 电源管理系统: 可用于降压或升压转换器,由于其低导通电阻,可以提高效率并减少功耗。
    - 电机驱动系统: 在电机控制应用中,能够提供稳定的电流控制和快速响应。
    - 工业控制系统: 具有广泛的工作温度范围,适用于严苛环境下的应用。
    使用建议:
    - 在选择栅极电阻时,确保其能够有效控制栅极电荷,以提高系统的稳定性和可靠性。
    - 在高频率开关应用中,注意散热管理,使用适当的散热器来避免过热。

    5. 兼容性和支持


    AOD4189采用DPAK封装,具有良好的机械稳定性和电气性能。对于其他电子元器件或设备,需要注意保证电压和电流参数的匹配,以确保系统稳定运行。Alpha & Omega Semiconductor 提供了详细的技术文档和支持服务,包括设计指南和应用笔记。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 系统过热导致器件失效
    - 解决方案: 使用合适的散热器,增加热沉,并保持良好的空气流通。
    - 问题2: 开关频率过高导致效率下降
    - 解决方案: 优化电路设计,减小栅极电阻以加快开关速度,但需注意不要过快而导致栅极振荡。
    - 问题3: 电流超过最大额定值导致器件损坏
    - 解决方案: 在设计阶段严格控制电流,添加保护电路如过流保护电路。

    7. 总结和推荐


    AOD4189凭借其优异的性能参数、出色的导通电阻和低栅极电荷,使其成为高电流应用的理想选择。它不仅适用于电源管理、电机驱动等应用,而且在严格的工业环境中也能表现出色。对于需要高性能和可靠性的设计项目,强烈推荐使用AOD4189。
    本文对AOD4189 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor进行了全面介绍,涵盖了基本功能、技术规格、应用案例、使用建议等方面。希望对您的设计选型有所帮助。

AOD4189参数

参数
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 2.5W(Ta),62.5W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.87nF@20V
栅极电荷 41nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 12A,10V
Id-连续漏极电流 40A
长*宽*高 6.6mm*6.1mm*2.29mm
通用封装 DPAK,TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AOD4189厂商介绍

Alpha & Omega Semiconductor(简称AOS)是一家全球领先的功率半导体公司,专注于开发和制造高性能的电源管理解决方案。AOS的产品广泛应用于各种市场,包括工业、消费电子、计算机和通信设备。

AOS的主营产品分类包括:
1. 功率MOSFETs:用于控制电源开关和调节电压。
2. IGBTs(绝缘栅双极晶体管):用于高功率应用,如电动汽车和太阳能逆变器。
3. 电源管理ICs:集成了多个功能,以提高能效和简化设计。
4. 模拟ICs:包括运算放大器、比较器和接口产品。

AOS的产品在以下应用领域中发挥着重要作用:
- 电源转换和分配
- 电机控制
- 电池管理
- 照明
- 消费电子

Alpha & Omega Semiconductor的优势在于:
- 高性能产品:提供高效率、低功耗和高可靠性的解决方案。
- 广泛的产品线:满足不同市场和应用的需求。
- 技术创新:持续投资研发,推动行业技术进步。
- 客户支持:提供定制化解决方案和技术支持,以满足客户的特定需求。

AOD4189数据手册

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ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD4189 AOD4189数据手册

AOD4189封装设计

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