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AONS66917

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 215W 20V 2.8V 80nC@ 10V,35nC@ 4.5V 100V 3.5mΩ@ 10V 5.94nF@ 50V
供应商型号: 785-AONS66917DKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) AONS66917

AONS66917概述

    # AONS66917 N-Channel AlphaSGT™ MOSFET 技术手册

    产品简介


    AONS66917 是一款高性能的 N 沟道 AlphaSGT™ MOSFET,专为高速开关应用设计。它采用了先进的沟槽功率 AlphaSGT™ 技术,具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷的特点。该器件广泛应用于直流-直流(DC/DC)和交流-直流(AC/DC)转换器中的同步整流,以及工业和电机驱动系统中。
    主要特点
    - 漏源电压(VDS):100V
    - 连续漏极电流(ID):100A
    - 导通电阻(RDS(ON)):在 VGS=10V 时小于 3.5mΩ,在 VGS=4.5V 时小于 5.0mΩ
    - 优化的开关性能
    - 符合 RoHS 和无卤素标准
    应用领域
    - 工业控制
    - 电机驱动
    - 同步整流
    - 电源管理

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 100 | V |
    | 连续漏极电流(ID) | 100 | A |
    | 导通电阻(RDS(ON)) | <3.5 | mΩ |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 | V |
    | 最大功耗(PD) | 86 | W |
    | 热阻抗(RqJC) | 0.58 | °C/W |
    | 热阻抗(RqJA) | 50 | °C/W |
    | 额定温度范围(TJ, TSTG) | -55 至 150 | °C |

    产品特点和优势


    特点
    1. 低导通电阻:RDS(ON) 在 VGS=10V 时仅为 3.5mΩ,显著降低了功耗。
    2. 高电流处理能力:连续漏极电流高达 100A,适合大功率应用。
    3. 快速开关性能:低栅极电荷(Qg)和短的开关时间(tr、tf),提高了效率。
    4. 高可靠性:100% UIS 和 Rg 测试,确保产品在恶劣条件下的稳定运行。
    优势
    - 高效能:低 RDS(ON) 和低栅极电荷相结合,减少了能量损耗。
    - 广泛兼容性:适用于多种工业和消费电子应用。
    - 环保合规:符合 RoHS 和无卤素标准,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC 转换器:AONS66917 可用于高频开关模式电源(SMPS),提高转换效率。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,该器件可提供高效的能量转换,延长电机寿命。
    使用建议
    1. 散热设计:由于高功率密度,建议使用良好的散热设计以避免过热。
    2. 栅极驱动:选择合适的栅极驱动器,确保开关速度和稳定性。
    3. 电路保护:添加必要的保护电路(如瞬态电压抑制二极管 TVS)以防止过压损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    AONS66917 可与其他主流电子元器件无缝集成,广泛应用于各种模块化设计中。
    支持
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持服务。
    - 提供样品测试和定制化解决方案。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 减少开关频率或改进散热设计 |
    | 导通电阻异常升高 | 检查驱动电压是否达到额定值 |
    | 瞬态电压超出范围 | 添加 TVS 二极管进行保护 |

    总结和推荐


    综合评估
    AONS66917 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,其低导通电阻和快速开关性能使其成为许多应用的理想选择。其广泛的适用性和良好的技术支持使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐使用
    我们强烈推荐 AONS66917 用于需要高效能和高可靠性的应用场景,特别是工业和电机驱动领域。对于追求低功耗和高性能的设计工程师来说,这款器件是一个理想的选择。
    联系方式
    如需更多详细信息,请访问 [AOS 官方网站](http://www.aosmd.com) 或联系技术支持团队。
    版权所有 © 2024 AOS Microsystems, Inc.

AONS66917参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
栅极电荷 80nC@ 10V,35nC@ 4.5V
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.94nF@ 50V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
最大功率耗散 215W
通道数量 -
包装方式 卷带包装

AONS66917厂商介绍

Alpha & Omega Semiconductor(简称AOS)是一家全球领先的功率半导体公司,专注于开发和制造高性能的电源管理解决方案。AOS的产品广泛应用于各种市场,包括工业、消费电子、计算机和通信设备。

AOS的主营产品分类包括:
1. 功率MOSFETs:用于控制电源开关和调节电压。
2. IGBTs(绝缘栅双极晶体管):用于高功率应用,如电动汽车和太阳能逆变器。
3. 电源管理ICs:集成了多个功能,以提高能效和简化设计。
4. 模拟ICs:包括运算放大器、比较器和接口产品。

AOS的产品在以下应用领域中发挥着重要作用:
- 电源转换和分配
- 电机控制
- 电池管理
- 照明
- 消费电子

Alpha & Omega Semiconductor的优势在于:
- 高性能产品:提供高效率、低功耗和高可靠性的解决方案。
- 广泛的产品线:满足不同市场和应用的需求。
- 技术创新:持续投资研发,推动行业技术进步。
- 客户支持:提供定制化解决方案和技术支持,以满足客户的特定需求。

AONS66917数据手册

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ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONS66917 AONS66917数据手册

AONS66917封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 4.806 ¥ 40.6107
10+ $ 3.0576 ¥ 25.5883
100+ $ 2.163 ¥ 18.1015
500+ $ 1.7814 ¥ 14.9084
1000+ $ 1.6589 ¥ 13.883
库存: 891
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