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JANTXV2N2907A

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: MICROSEMI
产品描述: 1.6V@ 50mA,500mA PNP 500mW 5V 50nA 60V 60V 600mA TO-18-3 通孔安装
供应商型号: CSCS-JANTXV2N2907A
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICROSEMI 三极管(BJT) JANTXV2N2907A

JANTXV2N2907A概述


    产品简介


    Microsemi公司生产的PNP小型信号硅晶体管,型号为2N2906A和2N2907A。这些晶体管主要用于各种电子设备中,提供放大、开关等功能。它们适用于广泛的工业和消费电子应用,如通信设备、汽车电子、医疗设备以及工业自动化系统。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO 60 Vdc
    - 集电极-基极电压:VCBO 60 Vdc
    - 发射极-基极电压:VEBO 5.0 Vdc
    - 集电极电流:IC 600 mAdc
    - 总功率耗散(TA = +25°C):PT 0.5 W
    - 工作及存储结温范围:Top, Tstg -65 to +200 °C
    - 电气特性(TA = +25°C)
    - 关断特性
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO 60 Vdc
    - 集电极-基极截止电流:ICBO 10 μAdc
    - 发射极-基极截止电流:IEBO 50 μAdc
    - 集电极-发射极截止电流:ICES 50 μAdc
    - 开启特性
    - 正向电流传输比(IC = 0.1mAdc, VCE = 10Vdc):hFE 40-75
    - 正向电流传输比(IC = 1.0mAdc, VCE = 10Vdc):hFE 40-100
    - 正向电流传输比(IC = 10mAdc, VCE = 10Vdc):hFE 40-100
    - 正向电流传输比(IC = 150mAdc, VCE = 10Vdc):hFE 40-120
    - 正向电流传输比(IC = 500mAdc, VCE = 10Vdc):hFE 40-50
    - 动态特性
    - 开关时间(VCC = 30Vdc; IC = 150mAdc; IB1 = 50mAdc):ton 45 ηs
    - 关闭时间(VCC = 30Vdc; IC = 150mAdc; IB1 = -IB2 = 50mAdc):toff 300 ηs

    产品特点和优势


    - 可靠性高:这些晶体管经过MIL-PRF-19500/291标准认证,确保在恶劣环境下依然可靠。
    - 宽温度范围:可在-65到+200 °C的温度范围内正常工作,适用于各种严苛的环境。
    - 高效能:具备出色的电流传输能力和低饱和电压,能够有效降低功耗。
    - 快速开关:具有良好的动态特性,能够快速响应,适用于需要高频开关的应用场合。

    应用案例和使用建议


    这些晶体管广泛应用于各类电子设备中,如音频放大器、开关电源和各种控制电路。对于需要在高温环境中工作的应用,例如汽车电子或航空航天设备,这些晶体管能够表现出色。为了更好地发挥其性能,建议在设计电路时充分考虑其电气特性和热管理要求。

    兼容性和支持


    这些晶体管提供多种封装形式,包括TO-18、TO-206AA、以及表面贴装版本(如UA、UB、UBC)。这些封装方式提供了灵活的选择,便于集成到不同的电路板设计中。Microsemi公司提供了详尽的技术支持文档和售后服务,以帮助客户解决可能遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问:这些晶体管的工作温度范围是多少?
    - 答:工作温度范围为-65至+200 °C,适用于广泛的工业和消费电子产品。
    2. 问:如何选择合适的封装类型?
    - 答:根据应用需求选择合适的封装类型,如TO-18适合一般应用,而表面贴装版本(UA、UB、UBC)则适用于更紧凑的设计。
    3. 问:如何解决晶体管发热问题?
    - 答:合理布置散热片,并结合良好的电路设计以提高散热效率。如果必要,可以使用外部散热器进行辅助散热。

    总结和推荐


    综上所述,Microsemi公司的2N2906A和2N2907A晶体管具备出色的技术参数和广泛的应用范围,适用于多种工业和消费电子应用。其高可靠性、宽温度范围以及高效的电气特性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐使用这些晶体管,特别是对于需要在恶劣环境下稳定运行的场合。

JANTXV2N2907A参数

参数
晶体管类型 PNP
VEBO-最大发射极基极电压 5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.6V@ 50mA,500mA
配置 独立式
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大功率耗散 500mW
集电极电流 600mA
VCBO-最大集电极基极电压 60V
最大集电极发射极饱和电压 0.4
集电极截止电流 50nA
通用封装 TO-18-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JANTXV2N2907A厂商介绍

Microsemi是一家全球领先的高性能模拟和混合信号半导体解决方案供应商,专注于为****和**、通信、数据中心和工业市场提供创新的解决方案。公司的产品线涵盖FPGA、ASIC、SoC、模拟、RF、功率管理和时钟管理等。

Microsemi的产品主要分为以下几类:
1. FPGA:提供高性能、低功耗的FPGA解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
2. ASIC/SoC:定制化的ASIC和SoC解决方案,满足客户在性能、功耗和成本方面的特定需求。
3. 模拟:包括电源管理、信号链和接口解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
4. RF:提供高性能的RF解决方案,包括射频收发器、功率放大器和滤波器等。
5. 时钟管理:提供高精度的时钟和同步解决方案,满足通信和数据中心等领域的需求。

Microsemi的优势在于其在高性能模拟和混合信号领域的深厚技术积累,以及对客户需求的深刻理解。公司致力于为客户提供高性能、低功耗和高可靠性的解决方案,以满足日益严苛的应用需求。

JANTXV2N2907A数据手册

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JANTXV2N2907A封装设计

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