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2N2907AUB

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: MICROSEMI
产品描述: 1.6V@ 50mA,500mA PNP 1W 5V 50nA 60V 60V 600mA TO-18-3 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
MICROSEMI 三极管(BJT) 2N2907AUB

2N2907AUB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本技术手册介绍了Microsemi公司生产的PNP小信号硅晶体管系列产品,型号为2N2906A和2N2907A。该系列晶体管主要用于小信号放大和开关应用,广泛应用于通信、工业控制、消费电子等领域。该产品符合MIL-PRF-19500/291标准,保证了其在恶劣环境下的可靠性和稳定性。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:60 Vdc
    - 集电极-基极电压:60 Vdc
    - 发射极-基极电压:5.0 Vdc
    - 集电极电流:600 mAdc
    - 总功率耗散(TA = +25°C):0.5 W
    - 工作及存储结温范围:-65°C 到 +200°C
    - 电气特性
    - 离态特性
    - 集电极-发射极击穿电压:60 Vdc
    - 集电极-基极截止电流:10 μAdc
    - 发射极-基极截止电流:50 μAdc
    - 集电极-发射极截止电流:50 μAdc
    - 导通特性
    - 正向电流转移比:
    - IC = 0.1 mAdc, VCE = 10 Vdc:40
    - IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc:40 - 100
    - IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc:40
    - IC = 150 mAdc, VCE = 10 Vdc:40 - 100
    - IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc:40
    - 集电极-发射极饱和电压:0.4 - 1.6 Vdc
    - 基极-发射极饱和电压:0.6 - 2.6 Vdc
    - 动态特性
    - 正向电流转移比:40 - 100
    - 小信号正向电流转移比:2.0
    - 输出电容:8.0 pF
    - 输入电容:30 pF

    产品特点和优势


    2N2906A和2N2907A系列晶体管具有高可靠性、稳定的工作性能和宽广的应用范围。它们能够在极端温度环境下正常工作,适合各种严苛条件下的应用。此外,这些晶体管具备较低的功耗和良好的动态特性,使其在高频和低噪声应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    这些晶体管可以用于多种应用场合,例如放大电路、振荡器、电源管理等。在放大电路中,它们可以实现信号的放大,提高系统的灵敏度。在电源管理方面,它们可以用作开关器件,实现高效的电源转换。
    建议在设计电路时考虑其电气特性和工作环境,确保电路的稳定性和可靠性。在高频应用中,应注意输出电容和输入电容对性能的影响。此外,合理选择驱动电路参数,以确保晶体管的正常工作。

    兼容性和支持


    这些晶体管提供了多种封装选项,包括TO-18(TO-206AA)、2N2906AUA、2N2907AUA、2N2906AUB、2N2907AUB、2N2906AUBC、2N2907AUBC等。这些不同的封装形式使得它们能够兼容各种应用需求。Microsemi公司还提供了详尽的技术支持和维护服务,以帮助用户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何避免过热?
    - 解决办法: 确保电路的设计中集电极电流和总功率耗散不超过规定的极限值,必要时增加散热措施。

    - 问题2: 在高频应用中,如何优化动态特性?
    - 解决办法: 适当降低输出电容和输入电容,减少寄生效应,提高高频响应能力。
    - 问题3: 如何改善放大性能?
    - 解决办法: 调整基极偏置电阻,以优化正向电流转移比和基极-发射极饱和电压,从而提高放大效果。

    总结和推荐


    总体而言,2N2906A和2N2907A系列晶体管是一款高性能的小信号硅晶体管,具有广泛的适用性和优良的电气特性。对于需要高可靠性和良好性能的应用,这些晶体管是理想的选择。Microsemi公司提供了全面的支持和服务,使用户能够轻松地集成这些组件到他们的设计中。因此,我强烈推荐这些产品给需要高性能晶体管的工程师和设计师。

2N2907AUB参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大集电极发射极饱和电压 1.6V@ 50mA,500mA
VCBO-最大集电极基极电压 60V
集电极电流 600mA
晶体管类型 PNP
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.6V@ 50mA,500mA
集电极截止电流 50nA
最大功率耗散 1W
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
配置 独立式
通用封装 TO-18-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装

2N2907AUB厂商介绍

Microsemi是一家全球领先的高性能模拟和混合信号半导体解决方案供应商,专注于为****和**、通信、数据中心和工业市场提供创新的解决方案。公司的产品线涵盖FPGA、ASIC、SoC、模拟、RF、功率管理和时钟管理等。

Microsemi的产品主要分为以下几类:
1. FPGA:提供高性能、低功耗的FPGA解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
2. ASIC/SoC:定制化的ASIC和SoC解决方案,满足客户在性能、功耗和成本方面的特定需求。
3. 模拟:包括电源管理、信号链和接口解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
4. RF:提供高性能的RF解决方案,包括射频收发器、功率放大器和滤波器等。
5. 时钟管理:提供高精度的时钟和同步解决方案,满足通信和数据中心等领域的需求。

Microsemi的优势在于其在高性能模拟和混合信号领域的深厚技术积累,以及对客户需求的深刻理解。公司致力于为客户提供高性能、低功耗和高可靠性的解决方案,以满足日益严苛的应用需求。

2N2907AUB数据手册

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MICROSEMI 三极管(BJT) MICROSEMI 2N2907AUB 2N2907AUB数据手册

2N2907AUB封装设计

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