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JANSR2N7269U

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: MICROSEMI
产品描述: 150W(Tc) 4V@1mA 170nC@ 12 V 1个N沟道 200V 110mΩ@ 26A,12V 贴片安装
供应商型号: JANSR2N7269U
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
MICROSEMI 场效应管(MOSFET) JANSR2N7269U

JANSR2N7269U概述


    产品简介


    本文介绍的是Microsemi公司生产的辐射硬化N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为2N7269系列,符合MIL-PRF-19500/603标准。该系列产品包括2N7269、2N7269U两个等级,适用于军用和航空航天等领域,具备出色的抗辐射能力和高可靠性。这类器件主要用于开关电源、电机驱动和功率转换等应用。

    技术参数


    以下是2N7269系列产品的关键技术和规格参数:
    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压(VGS):±20 Vdc
    - 漏极-源极电压(VDS):200 Vdc
    - 连续漏极电流(TC=+25°C):26.0 A
    - 最大功耗:150 W(线性降额至+25°C以上)
    - 静态漏极-源极导通电阻(Rds(on)):0.100 Ω(VGS=12V,ID=16.0A)
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 预照射电气特性
    - 漏极-源极击穿电压(V(BR)DSS):200 Vdc
    - 门极-源极阈值电压(VGS(th)):2.0V 到 5.0V
    - 门极电流(IGSS):±100 nA
    - 动态和开关特性
    - 开启延迟时间(td(on)):33 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):140 ns
    - 二极管反向恢复时间(trr):820 ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性和抗辐射能力:2N7269系列采用了独特的结构设计,能够承受高剂量的辐射而不会损坏。
    - 高效率和低损耗:静态导通电阻(Rds(on))仅为0.100 Ω,确保了在高功率应用中的低损耗和高效能。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境条件下稳定工作,适用于各种恶劣条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于军事和航空航天领域,用于电源管理和控制系统。在具体应用中,2N7269系列可作为高效的开关器件,尤其是在高功率、高可靠性要求的应用场合。建议在使用时注意以下几个方面:
    - 在选择合适的工作条件时,应注意根据环境温度和负载情况合理设置门极电压(VGS),以确保最佳性能。
    - 要注意散热问题,特别是在连续高功率应用时,应采取适当的散热措施以保证器件正常工作。

    兼容性和支持


    - 2N7269系列与现有的SMD-1封装兼容,可以轻松集成到现有系统中。
    - Microsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,用户可以通过公司网站或授权分销商获取更多技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下无法正常工作
    - 解决方案:检查并优化电路设计,确保适当的散热措施。同时,注意门极电压和负载电流的匹配,以减少功耗。
    2. 问题:产品出现过早失效
    - 解决方案:确认是否符合绝对最大额定值要求,避免超出限制的操作条件。必要时,可以联系Microsemi的技术支持团队进行进一步诊断。

    总结和推荐


    2N7269系列是一款高性能的辐射硬化N沟道MOSFET,具有出色的可靠性和高效率。它非常适合需要高可靠性和抗辐射能力的军用和航空航天应用。无论是从技术参数还是应用场景来看,2N7269系列都是一款值得推荐的产品。如果您正在寻找一个能够适应严苛环境条件的高性能MOSFET,2N7269将是您的不二之选。

JANSR2N7269U参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 170nC@ 12 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 26A,12V
最大功率耗散 150W(Tc)
FET类型 1个N沟道
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JANSR2N7269U厂商介绍

Microsemi是一家全球领先的高性能模拟和混合信号半导体解决方案供应商,专注于为****和**、通信、数据中心和工业市场提供创新的解决方案。公司的产品线涵盖FPGA、ASIC、SoC、模拟、RF、功率管理和时钟管理等。

Microsemi的产品主要分为以下几类:
1. FPGA:提供高性能、低功耗的FPGA解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
2. ASIC/SoC:定制化的ASIC和SoC解决方案,满足客户在性能、功耗和成本方面的特定需求。
3. 模拟:包括电源管理、信号链和接口解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
4. RF:提供高性能的RF解决方案,包括射频收发器、功率放大器和滤波器等。
5. 时钟管理:提供高精度的时钟和同步解决方案,满足通信和数据中心等领域的需求。

Microsemi的优势在于其在高性能模拟和混合信号领域的深厚技术积累,以及对客户需求的深刻理解。公司致力于为客户提供高性能、低功耗和高可靠性的解决方案,以满足日益严苛的应用需求。

JANSR2N7269U数据手册

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MICROSEMI 场效应管(MOSFET) MICROSEMI JANSR2N7269U JANSR2N7269U数据手册

JANSR2N7269U封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ $ 825 ¥ 4840
50+ $ 715 ¥ 4840
100+ $ 660 ¥ 4840
库存: 189
起订量: 10 增量: 0
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