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JANTX2N6770

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: MICROSEMI
产品描述: 4W(Ta),150W(Tc) 20V 4V@ 250µA 120nC@ 10 V 1个N沟道 500V 500mΩ@ 12A,10V TO-3 通孔安装
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MICROSEMI 场效应管(MOSFET) JANTX2N6770

JANTX2N6770概述

    # 2N6764, 2N6766, 2N6768 和 2N6770 N-Channel MOSFET 技术手册解析
    Microsemi Corporation 提供的 2N6764、2N6766、2N6768 和 2N6770 系列 N-Channel MOSFET 是经过 MIL-PRF-19500/543 军用级认证的高可靠性电子元件。这些器件适用于多种工业和军事应用,具备优异的性能表现和广泛的电气特性支持。本文将对这些产品的技术手册进行详细解析,从多个维度展示其技术参数、特点、适用范围以及具体的应用场景。

    1. 产品简介


    产品类型
    2N6764、2N6766、2N6768 和 2N6770 属于 N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(N-Channel MOSFET),是常见的开关晶体管类型。它们采用 TO-3 或 TO-204AE 封装形式,可提供可靠的电路控制和电流切换功能。
    主要功能
    这些器件广泛用于需要高性能和高可靠性的电子系统中,例如军事、航空、汽车电子、通信设备等。它们的功能特性包括高效开关控制、低导通电阻(rDS(on))和较高的耐压能力。
    应用领域
    - 军事与航空航天:由于其 JAN、JANTX 和 JANTXV 的军用等级认证,适合极端环境下的高性能需求。
    - 工业自动化:可应用于工业机器人、电机驱动等领域。
    - 消费电子:支持商业级别的应用,例如开关电源、稳压电路等。

    2. 技术参数


    以下是这些器件的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 (Min.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 耐压 | VDS | 100 | 500 | V |
    | 额定电流 | ID1(@+25°C) | 12 | 38 | A |
    | 导通电阻 | rDS(on) | 0.055 | 0.5 | Ω |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 5.0 | V |
    | 工作温度范围 | TJ & Tstg | -55 | +150 | °C |
    | 最大功耗 | PT | 150 | W |
    衍生版本
    - 商业级:RoHS 兼容,适合消费类电子产品。
    - 军用级:JAN、JANTX、JANTXV 认证,支持恶劣工作环境。

    3. 产品特点和优势


    特点
    1. 军用级别认证:符合 MIL-PRF-19500/543 标准,具有卓越的可靠性和稳定性。
    2. 宽温域适应性:-55°C 至 +150°C 的工作温度范围使其适合严苛的工作环境。
    3. 高效的开关性能:较低的导通电阻(rDS(on))和快速的开关速度有助于提升系统效率。
    4. 多样化的封装选择:TO-3 和 TO-204AE 包装设计满足不同设计需求。
    优势
    - 增强电路可靠性:通过高精度设计和严格测试,确保在复杂环境中长期稳定运行。
    - 降低系统功耗:优秀的导通电阻特性显著减少了热损耗,提高整体能效。
    - 广泛的兼容性:既满足军用要求又覆盖商业应用,适合多种场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 逆变器与变频器:用于高压开关转换,典型应用场景包括工业逆变器和电动汽车充电桩。
    2. 射频放大器:可作为高频功率放大器的核心组件,用于无线通信系统。
    3. 电机驱动器:在工业机器人和自动控制系统中提供精确的电机控制。
    使用建议
    - 在设计时需注意散热管理,尤其是在高温环境下使用时。
    - 为实现最佳性能,建议搭配低阻抗驱动器,减少开关延迟时间。
    - 若用于高频场景,需特别关注开关损耗以避免过热问题。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 这些器件与其他标准的 TO-3 或 TO-204AE 封装元件兼容,易于替换和升级。
    - 支持多种电压范围,适用于多款电路设计。
    厂商支持
    - Microsemi 提供详尽的技术文档和应用指南,用户可通过官网(http://www.microsemi.com)获取最新资料。
    - 提供在线技术支持和售后服务,帮助用户解决使用中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整驱动电路,增加门极驱动电压 |
    | 温度过高导致失效 | 增加散热片或优化电路布局 |
    | 输出电流不足 | 检查连接线路是否完好,调整电路参数 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    2N6764、2N6766、2N6768 和 2N6770 系列 MOSFET 以其高可靠性、优良的电气性能和广泛的应用场景脱颖而出。无论是军用还是商用领域,都能找到其理想的适用位置。尤其适合需要耐高低温、高可靠性的复杂电路设计。
    推荐使用
    强烈推荐在需要高精度、高性能的电子系统中使用这些器件,特别是对于需要长期稳定运行的场景。此外,这些产品的多样封装形式也为工程师提供了极大的设计灵活性。
    通过以上全面解析,相信您已经对该系列 MOSFET 的技术特性和应用场景有了深刻了解。希望本文能为您在实际工程设计中提供有价值的参考!

JANTX2N6770参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 12A,10V
Vds-漏源极击穿电压 500V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 120nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 4W(Ta),150W(Tc)
通用封装 TO-3
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级
零件状态 停产
包装方式 散装

JANTX2N6770厂商介绍

Microsemi是一家全球领先的高性能模拟和混合信号半导体解决方案供应商,专注于为****和**、通信、数据中心和工业市场提供创新的解决方案。公司的产品线涵盖FPGA、ASIC、SoC、模拟、RF、功率管理和时钟管理等。

Microsemi的产品主要分为以下几类:
1. FPGA:提供高性能、低功耗的FPGA解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
2. ASIC/SoC:定制化的ASIC和SoC解决方案,满足客户在性能、功耗和成本方面的特定需求。
3. 模拟:包括电源管理、信号链和接口解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
4. RF:提供高性能的RF解决方案,包括射频收发器、功率放大器和滤波器等。
5. 时钟管理:提供高精度的时钟和同步解决方案,满足通信和数据中心等领域的需求。

Microsemi的优势在于其在高性能模拟和混合信号领域的深厚技术积累,以及对客户需求的深刻理解。公司致力于为客户提供高性能、低功耗和高可靠性的解决方案,以满足日益严苛的应用需求。

JANTX2N6770数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICROSEMI 场效应管(MOSFET) MICROSEMI JANTX2N6770 JANTX2N6770数据手册

JANTX2N6770封装设计

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