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M29W400DB70N6E

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 512KB 256KX16 2.7V 10mA 3.6V Parallel 16bit TSOP-48 贴片安装 12mm*18.4mm*1.2mm
供应商型号: UA-M29W400DB70N6E
供应商: 海外现货
标准整包数: 96
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) M29W400DB70N6E

M29W400DB70N6E概述


    产品简介


    产品名称:M29W400DT 和 M29W400DB
    产品类型:
    M29W400DT 和 M29W400DB 是 4 Mbit(512 K x 8 或 256 K x 16)非易失性存储器,提供单电压供电下的读取、擦除和重编程功能。
    主要功能:
    - 支持 2.7 V 至 3.6 V 的单电压操作。
    - 分为多个独立可擦除的存储块,便于数据管理和保护。
    - 具备嵌入式编程/擦除控制器,简化编程过程。
    - 可检测程序或擦除操作的结束状态,并识别错误条件。
    应用领域:
    适用于需要非易失性存储的应用场景,例如微处理器初始化、参数存储、应用程序存储等。

    技术参数


    技术规格:
    - 存储容量:4 Mbit(512 K x 8 或 256 K x 16)
    - 供电电压:2.7 V 至 3.6 V
    - 访问时间:45 ns、55 ns、70 ns
    - 编程时间:每字节/词 10 μs
    - 块数量:11 个(1 个启动块,2 个参数块,8 个主块)
    电气特性:
    - 遵循 JEDEC 标准的命令集
    - 支持 VCC 电源电压输入
    - 支持接地(VSS)输入
    工作环境:
    - 汽车级设备等级 3:温度范围为 -40°C 至 125°C

    产品特点和优势


    特点和优势:
    - 多块结构:存储器分为多个独立可擦除的存储块,可以保留有效数据同时擦除旧数据。
    - 保护机制:每个块可以独立保护,防止意外编程或擦除。
    - 低功耗:具备待机模式和自动待机模式,支持低功耗操作。
    - 高可靠性:每个块支持高达 100,000 次编程/擦除周期。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 微处理器初始化:16 Kbyte 启动块用于微处理器的初始化代码。
    - 参数存储:两个 8 Kbyte 参数块用于参数存储。
    - 应用程序存储:剩余的 32 Kbyte 主块用于存储应用程序。
    使用建议:
    - 在进行编程或擦除操作前,确保所有相关信号正确设置,例如芯片使能(E)、输出使能(G)和写使能(W)。
    - 使用时建议定期检查状态寄存器以确保数据完整性。
    - 在高温度环境下使用时,应确保设备处于汽车级认证范围内,以保证稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持 SO44、TSOP48 和 TFBGA48 封装。
    - 符合 RoHS 标准,无铅封装。
    支持和服务:
    - 提供详细的命令接口文档和状态寄存器说明,帮助用户快速上手。
    - 提供丰富的技术支持资源,如示例代码、数据表和应用指南。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题:编程过程中出现错误。
    - 解决办法: 检查编程命令是否正确设置,确保编程电压符合要求,必要时重新编程。

    2. 问题:擦除操作无法完成。
    - 解决办法: 检查是否有块被锁定,如果锁定则需解锁后重新尝试擦除。
    3. 问题:存储器读取速度慢。
    - 解决办法: 检查地址和数据线连接是否良好,确保外部负载不超过额定值。

    总结和推荐


    总结:
    M29W400DT 和 M29W400DB 非常适合需要高可靠性和低功耗特性的应用场合。其独特的多块结构和保护机制使其在数据管理方面具有明显优势。此外,完善的命令接口和详细的技术文档使得用户能够轻松上手并充分利用该存储器的功能。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐在需要高可靠性和灵活性的数据存储解决方案中使用 M29W400DT 和 M29W400DB。

M29W400DB70N6E参数

参数
组织 256KX16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 512KB
最大供电电流 10mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
长*宽*高 12mm*18.4mm*1.2mm
通用封装 TSOP-48
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 托盘

M29W400DB70N6E厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

M29W400DB70N6E数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY M29W400DB70N6E M29W400DB70N6E数据手册

M29W400DB70N6E封装设计

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