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JS28F064M29EWHA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 8MB 8 M x 8,4 M x 16 2.7V 25mA 3.6V Parallel 8bit,16bit TSOP-56 贴片安装
供应商型号: 15D-JS28F064M29EWHA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F064M29EWHA

JS28F064M29EWHA概述


    产品简介


    产品名称: Parallel NOR Flash Embedded Memory
    产品类型: 嵌入式并行NOR闪存
    主要功能: 提供高速的数据存储和读取功能,适用于嵌入式系统及复杂的应用场景,如固件存储、代码执行等。
    应用领域: 广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备、汽车电子、医疗设备等多个领域。

    技术参数


    - 供电电压:
    - VCC = 2.7–3.6V(用于程序、擦除、读取)
    - VCCQ = 1.65–3.6V(用于I/O缓冲)
    - 读取速度:
    - 异步随机或分页读取
    - 分页大小:8字或16字节
    - 分页访问时间:25ns
    - 随机访问(VCCQ = 2.7–3.6V):60ns(BGA);70ns(TSOP)
    - 编程时间:
    - 每字节 0.56µs(典型值为1.8 MB/s,使用256字节缓存)
    - 每字节 0.31µs(典型值为3.2 MB/s,使用256字节缓存)
    - 存储组织:
    - 32Mb:64个主块,每个64KB;或者8个8KB启动块(顶部或底部),加63个主块,每个64KB
    - 64Mb:128个主块,每个64KB;或者8个8KB启动块(顶部或底部),加127个主块,每个64KB
    - 128Mb:128个主块,每个128KB
    - 操作环境:
    - 环境温度:-40°C至+85°C

    产品特点和优势


    特点:
    - 多种存储密度选项(32Mb、64Mb、128Mb)
    - 支持异步随机或分页读取,提高了读取效率
    - 高速缓存编程功能(最大256字节)
    - 内置程序/擦除控制器,支持快速块和芯片擦除
    - 软件保护机制,包括易失性保护、非易失性保护、密码保护
    - 长期可靠的数据保留能力(20年)
    - 采用65nm单比特单元工艺技术
    - 多种封装选择,符合RoHS标准
    优势:
    - 在高性能嵌入式系统中具有较高的灵活性和可靠性
    - 适合对数据完整性要求高的应用场合
    - 具备良好的温度适应性和低功耗特性

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 适用于工业控制系统的固件存储和实时数据处理
    - 适用于消费电子产品如智能手表、智能手机的代码执行和存储
    使用建议:
    - 确保供电电压在规定范围内,避免过压或欠压导致数据损坏
    - 适当使用高速缓存编程功能,以提高编程效率
    - 注意温度范围限制,确保设备在规定的环境温度内运行

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与各种标准接口兼容,如并行NOR接口,适合与不同类型的处理器和其他组件协同工作
    - 支持: 提供详尽的技术文档和支持服务,包括JESD47H合规性验证,确保产品的长期稳定性和可靠性

    常见问题与解决方案


    - Q1: 电源电压不匹配怎么办?
    - A1: 请确认供电电压在规定范围内(2.7–3.6V),否则可能导致设备损坏。
    - Q2: 如何提高编程速度?
    - A2: 使用256字节缓存进行批量编程,可以显著提高编程速度。
    - Q3: 如何确保数据安全性?
    - A3: 可以启用密码保护和软件保护机制,确保数据安全。

    总结和推荐


    这款Parallel NOR Flash Embedded Memory以其出色的性能和高可靠性在嵌入式系统中具有广泛的适用性和竞争力。特别是其高效的编程速度和强大的软件保护机制,使其成为工业控制和消费电子应用的理想选择。总体而言,这款产品值得推荐,尤其对于那些对数据完整性和存储性能要求较高的应用场景。

JS28F064M29EWHA参数

参数
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 8 M x 8,4 M x 16
数据总线宽度 8bit,16bit
接口类型 Parallel
存储容量 8MB
最大供电电流 25mA
最大时钟频率 -
通用封装 TSOP-56
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 托盘

JS28F064M29EWHA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F064M29EWHA数据手册

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JS28F064M29EWHA封装设计

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