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JS28F064M29EWLA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 8MB 8 M x 8,4 M x 16 2.7V 25mA 3.6V Parallel 8bit,16bit TSOP-56 贴片安装 18.4mm*14mm*1mm
供应商型号: JS28F064M29EWLA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F064M29EWLA

JS28F064M29EWLA概述

    Parallel NOR Flash Embedded Memory

    1. 产品简介


    Parallel NOR Flash嵌入式存储器是一种高度集成且可靠的存储解决方案,适用于多种应用场景。这些存储器以32Mb、64Mb和128Mb的密度提供,支持并行NOR接口,具有高可靠性、高速读取能力和低功耗等特点。广泛应用于网络通信设备、工业控制、消费电子、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 描述 |

    | 供电电压 | VCC:2.7V至3.6V(编程、擦除、读取)
    VCCQ:1.65V至3.6V(I/O缓冲) |
    | 随机或分页读取 | 分页大小:8字或16字节
    分页访问时间:25ns
    随机访问时间:60ns(BGA),70ns(TSOP) |
    | 缓冲编程 | 最大编程缓冲区:256字 |
    | 编程时间 | 无VPPH时:0.56μs/字节(1.8MB/s)
    有VPPH时:0.31μs/字节(3.2MB/s) |
    | 存储组织 | 32Mb:64个主块(64KB/块),或8个引导块(8KB/块)
    64Mb:128个主块(64KB/块),或8个引导块(8KB/块)
    128Mb:128个主块(128KB/块) |
    | 程序/擦除控制器 | 嵌入式字/字编程算法 |
    | 擦除/编程挂起与恢复 | 可在擦除过程中进行读取或编程 |
    | 空白检查 | 验证已擦除的块 |
    | VPP/WP#保护 | VPPH电压加速编程
    保护最高/最低块或顶部/底部两块 |
    | 软件保护 | 挥发性保护
    非挥发性保护
    密码保护
    密码访问 |
    | 扩展内存块 | 128字(256字节)用于永久安全识别
    工厂或客户编程/锁定 |
    | 功耗 | 备用模式下低功耗 |
    | 电气标准 | 符合JESD47H标准:
    - 擦除周期:100,000次/块
    - 数据保持:20年(典型) |
    | 工艺技术 | 65nm单比特单元工艺 |
    | 封装类型 | 56针TSOP(128Mb,64Mb)
    48针TSOP(64Mb,32Mb)
    64球FBGA(128Mb,64Mb)
    48球BGA(64Mb,32Mb) |

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:支持异步随机或分页读取,具备高速缓存编程功能。
    - 低功耗:备用模式下的低功耗设计,延长设备运行时间。
    - 高可靠性:符合JESD47H标准,具有高擦除次数和数据保持能力。
    - 安全性:提供多种保护机制,如硬件和软件保护,确保数据安全。
    - 扩展性:可扩展的内存组织,支持多种密度选择。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:这种嵌入式存储器在汽车电子系统中广泛应用,用于存储关键的车辆配置信息。
    - 使用建议:为了提高性能,建议在进行批量编程时利用缓冲编程功能。对于需要频繁擦除的应用,应定期进行空白检查以确保数据完整性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与多种封装类型兼容,包括56针TSOP、48针TSOP、64球FBGA和48球BGA。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和维护服务,用户可以联系当地销售代表获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备无法正常启动。
    - 解决方案:检查电源电压是否符合要求,确认所有连接正确无误。
    - 问题2:编程失败。
    - 解决方案:检查VPPH电压设置,确保缓冲区正确使用。
    - 问题3:擦除操作不成功。
    - 解决方案:执行擦除悬停和恢复命令,确保操作过程无干扰。

    7. 总结和推荐


    总结:该款Parallel NOR Flash嵌入式存储器以其高可靠性、高性能和低功耗而著称,适用于多种高端应用场景。
    推荐:鉴于其卓越的性能和丰富的功能,强烈推荐在对存储可靠性要求高的场合使用。同时,为确保最佳性能,建议结合具体应用需求选择合适的封装类型。

JS28F064M29EWLA参数

参数
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 8 M x 8,4 M x 16
数据总线宽度 8bit,16bit
接口类型 Parallel
存储容量 8MB
最大供电电流 25mA
最大时钟频率 -
长*宽*高 18.4mm*14mm*1mm
通用封装 TSOP-56
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JS28F064M29EWLA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F064M29EWLA数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JS28F064M29EWLA JS28F064M29EWLA数据手册

JS28F064M29EWLA封装设计

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