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JR28F064M29EWBA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 8MB 8 M x 8,4 M x 16 2.7V 25mA 3.6V Parallel 8bit,16bit TSOP-48 贴片安装
供应商型号: JR28F064M29EWBA
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JR28F064M29EWBA

JR28F064M29EWBA概述

    平行NOR闪存嵌入式存储器:M29EW系列技术手册

    产品简介


    Micron Technology, Inc. 提供了一系列高性能的平行NOR闪存嵌入式存储器产品,包括JR28F032M29EWXX、PZ28F032M29EWXX、JS28F064M29EWXX等型号。这些产品主要用于满足各种需要高速读写能力、大容量存储及可靠性的电子设备需求。它们具备页读取、编程、擦除等多种操作模式,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。

    技术参数


    - 供电电压:
    - VCC = 2.7–3.6V(编程、擦除、读取)
    - VCCQ = 1.65–3.6V(I/O缓冲)
    - 异步随机或页读取:
    - 页大小:8字或16字节
    - 页访问时间:25ns
    - 随机访问时间:60ns(BGA),70ns(TSOP)(VCCQ = 2.7–3.6V)
    - 缓存编程:最大缓存编程256字
    - 编程时间:
    - 每字节0.56μs(256字缓存编程无VPPH时,典型速度1.8MB/s)
    - 每字节0.31μs(256字缓存编程带VPPH时,典型速度3.2MB/s)
    - 内存组织:
    - 32Mb:64个主块,每个64KB,或8个8KB启动块(顶部或底部)和63个主块,每个64KB
    - 64Mb:128个主块,每个64KB,或8个8KB启动块(顶部或底部)和127个主块,每个64KB
    - 128Mb:128个主块,每个128KB
    - 程序/擦除控制器:
    - 嵌入式字/字编程算法
    - 程序/擦除暂停和恢复功能:
    - 在编程暂停期间可在其他块上进行读取操作
    - 在擦除暂停期间可在另一块上进行读取或编程操作
    - 空白检查操作:用于验证擦除块
    - VPP/WP#引脚保护:
    - VPPH电压加速编程性能
    - 最高/最低块(H/L均匀)或顶部/底部两块(T/B启动)保护
    - 软件保护:
    - 可变保护
    - 非易失性保护
    - 密码保护
    - 密码访问
    - 低功耗:待机模式
    - 环境温度范围:-40°C至+85°C
    - 封装类型:
    - 56针TSOP(128Mb、64Mb)
    - 48针TSOP(64Mb、32Mb)
    - 64球FBGA(128Mb、64Mb)
    - 48球BGA(64Mb、32Mb)

    产品特点和优势


    这些产品具有卓越的性能和灵活性,能够提供高性能的随机读取和页读取,同时具备高速编程和擦除能力。独特的硬件和软件保护机制使其适用于需要高度安全性的场合。此外,低功耗设计确保了更长的电池寿命和更低的运行成本。

    应用案例和使用建议


    这些产品可广泛应用于消费电子、工业自动化和汽车电子等领域。例如,在汽车电子中,可以作为车载信息娱乐系统或车身控制模块的存储介质。在工业自动化领域,可以用作控制系统的关键数据存储。
    使用建议:
    - 确保供电电压稳定在规定范围内以避免损坏
    - 使用时应注意适当的散热措施,特别是在连续高负载情况下
    - 定期进行维护和检查以确保长期可靠运行

    兼容性和支持


    该系列产品具有广泛的兼容性,支持多种封装类型,方便客户根据具体需求选择合适的型号。Micron Technology提供了全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决问题并确保最佳性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:电源电压超出规定范围
    - 解决方案:确保电源电压稳定在2.7V到3.6V之间,避免电压波动导致的数据丢失或损坏。
    - 问题:编程失败
    - 解决方案:检查供电电压和连接线是否正常,确认命令执行无误后再重新尝试编程。
    - 问题:读取速度慢
    - 解决方案:确保正确的操作模式设置,并优化数据传输路径以提高读取效率。

    总结和推荐


    综上所述,Micron Technology的M29EW系列平行NOR闪存嵌入式存储器在性能、可靠性、安全性方面表现出色,尤其适用于需要高可靠性和高性能的应用场合。强烈推荐用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域。同时,该系列产品得到了全面的技术支持和优质的客户服务,进一步增强了其市场竞争力。

JR28F064M29EWBA参数

参数
最大供电电流 25mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 8 M x 8,4 M x 16
数据总线宽度 8bit,16bit
接口类型 Parallel
存储容量 8MB
通用封装 TSOP-48
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JR28F064M29EWBA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JR28F064M29EWBA数据手册

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JR28F064M29EWBA封装设计

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