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JS28F256P30BFE

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 32MB 1.7V 31mA 2V Parallel SOP 支架安装,贴片安装 14mm(长度)*18.4mm(宽度)
供应商型号: JS28F256P30BFE
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F256P30BFE

JS28F256P30BFE概述

    Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 技术手册解析

    1. 产品简介


    Micron Parallel NOR Flash嵌入式存储器是一种高性能非易失性存储解决方案,适用于各种嵌入式系统。该产品系列包括多种型号,如JS28F256P30B/TFx、RC28F256P30B/TFx、PC28F256P30B/TFx等。它们主要用于数据存储、程序执行和代码更新等领域,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备中。

    2. 技术参数


    该系列存储器的技术参数如下:
    - 性能参数:
    - 初始访问时间:Easy BGA封装为100ns,TSOP封装为110ns。
    - 异步页读模式下的16字读取时间为25ns。
    - 同步突发读模式下,最高频率可达52MHz(Easy BGA),并支持零等待状态。
    - 支持4位、8位、16位和连续字节的突发模式。
    - 缓冲增强工厂编程(BEFP)速度高达2MB/s(TYP),使用512字节缓冲区。
    - 1.8V编程速度为1.14MB/s(TYP),同样使用512字节缓冲区。
    - 架构:
    - 多层单元(MLC):提供最高密度和最低成本。
    - 非对称分块架构。
    - 四个32KB参数块,可配置在顶部或底部。
    - 128KB主块。
    - 支持擦除块验证。
    - 电压和电源:
    - 核心电压(VCC):1.7V至2.0V。
    - I/O电压(VCCQ):1.7V至3.6V。
    - 待机电流:256Mb型号典型值为65μA。
    - 持续同步读取电流:21mA(TYP),最大值为24mA。
    - 安全性:
    - 一次性可编程寄存器:64位OTP,由Micron预编程;2112位OTP可供客户编程。
    - 绝对写保护:VPP = VSS。
    - 功耗转换擦除/编程锁定。
    - 单独零延迟区块锁定。
    - 单独区块锁定。
    - 密码访问。
    - 软件:
    - 编程暂停时间:25μs(TYP)。
    - 擦除暂停时间:25μs(TYP)。
    - Flash Data Integrator优化。
    - 基本命令集和扩展功能接口(EFI)命令集兼容。
    - 兼容通用闪存接口(CFI)。
    - 密度和封装:
    - 56引脚TSOP封装(仅限256Mb)。
    - 64球Easy BGA封装(256Mb、512Mb)。
    - QUAD+和SCSP封装(256Mb、512Mb)。
    - 16位宽数据总线。
    - 质量和可靠性:
    - 符合JESD47标准。
    - 工作温度范围:-40°C至+85°C。
    - 每个区块最小擦除次数为100,000次。
    - 使用65nm工艺技术。

    3. 产品特点和优势


    Micron Parallel NOR Flash嵌入式存储器的主要特点和优势如下:
    - 高性能:初始访问时间和同步突发读模式下的高频率,使其在数据传输和处理速度上具有显著优势。
    - 高密度:采用多层单元(MLC)架构,提供高密度存储能力,同时保持较低的成本。
    - 安全性:丰富的安全特性,包括一次性可编程寄存器、绝对写保护和密码访问,确保数据的安全性。
    - 灵活性:支持多种封装形式和配置选项,满足不同应用需求。
    - 可靠性:符合行业标准,具备良好的温度适应性和长寿命,确保在恶劣环境下稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    该系列存储器广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备中。例如,在消费电子中用于固件存储,在工业控制中用于程序执行,在汽车电子中用于车载导航系统存储等。使用建议包括:
    - 在选择封装形式时,根据具体应用的需求和环境条件进行选择。
    - 在编程和擦除操作中,合理安排暂停和恢复操作,以提高效率和数据完整性。
    - 在安全设置中,正确配置一次性可编程寄存器和区块锁定,确保数据安全。

    5. 兼容性和支持


    Micron Parallel NOR Flash嵌入式存储器与多种电子元器件和设备兼容,支持通用闪存接口(CFI)。Micron公司提供全面的技术支持和服务,包括产品咨询、技术支持和售后服务。用户可以通过Micron官方网站获取更多产品信息和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及其解决方案包括:
    - 问题:编程或擦除过程中出现错误。
    - 解决方案:检查电源电压和信号连接,确保正确配置和操作。
    - 问题:数据读取不一致。
    - 解决方案:检查读取时的时序和信号质量,确保正确的读取操作。
    - 问题:无法进入正常工作状态。
    - 解决方案:检查复位信号和初始化序列,确保设备正常启动。

    7. 总结和推荐


    综上所述,Micron Parallel NOR Flash嵌入式存储器凭借其高性能、高密度、安全性、灵活性和可靠性,成为一款优秀的存储解决方案。它广泛适用于各种嵌入式系统,特别是在需要高性能、可靠性和安全性的场合。强烈推荐在需要高性能存储解决方案的应用中使用该系列产品。

JS28F256P30BFE参数

参数
最大供电电流 31mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 2V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 32MB
长*宽*高 14mm(长度)*18.4mm(宽度)
通用封装 SOP
安装方式 支架安装,贴片安装
包装方式 托盘

JS28F256P30BFE厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F256P30BFE数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JS28F256P30BFE JS28F256P30BFE数据手册

JS28F256P30BFE封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 124.3008
50+ ¥ 112.0434
100+ ¥ 100.9944
500+ ¥ 99.268
1000+ ¥ 98.4048
库存: 1152
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