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JS28F256M29EWLA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 32MB 16M x 16 位,32M x 8 位 2.7V 31mA 3.6V Parallel TSOP-56 贴片安装 14mm*18.4mm*1mm
供应商型号: 15D-JS28F256M29EWLA
供应商: 国内现货
标准整包数: 576
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F256M29EWLA

JS28F256M29EWLA概述

    平行NOR闪存嵌入式存储器——JS28F256M29EWxx, PC28F256M29EWxx, RC28F256M29EWxx 等



    产品简介




    平行NOR闪存嵌入式存储器 是一种用于高效存储和访问数据的集成电路。它采用异步随机页读取和快速编程技术,适用于需要高性能、高可靠性的应用领域,如移动设备、消费电子产品和工业控制设备等。


    技术参数




    - 供电电压:
    - VCC = 2.7–3.6V (用于程序、擦除和读取)
    - VCCQ = 1.65–3.6V (用于I/O缓冲区)

    - 读取方式:
    - 异步随机/页读取
    - 页大小:16字或32字节
    - 页访问时间:25ns
    - 随机访问时间:100ns(强化BGA);110ns(TSOP)

    - 编程方式:
    - 缓冲程序:512字节编程缓冲区
    - 编程时间:每字节0.88μs(1.14 MB/s)(典型值)

    - 内存组织:
    - 统一块:128-Kbytes 或 64-Kwords 每个

    - 擦写功能:
    - 支持程序/擦除控制器,包括嵌入式字/字节编程算法
    - 支持擦除/编程挂起和恢复能力
    - 快速缓冲/批处理编程
    - 快速块/芯片擦除

    - 保护功能:
    - 软件保护(易失性和非易失性保护)
    - 密码保护和访问

    - 扩展内存块:
    - 128字(256字节)块用于永久、安全的身份识别
    - 可由工厂或客户编程或锁定

    - 环境条件:
    - 工作温度范围:-40°C 到 +85°C

    - 耐久性:
    - 擦写周期:每个块至少100,000次
    - 数据保留时间:典型值20年


    产品特点和优势




    该系列闪存具有多方面优势,包括但不限于:
    - 强大的数据保护功能,如密码保护和硬件保护。
    - 高耐久性,支持100,000次擦写循环。
    - 长数据保留时间,确保数据长时间稳定保存。
    - 快速的随机访问和编程能力,适合高效率的数据处理需求。
    - 支持多种封装形式(TSOP 和 Fortified BGA),满足不同应用的需求。


    应用案例和使用建议




    - 移动设备:
    - 使用该闪存可以提高设备的数据处理速度和存储容量。
    - 建议在设计时考虑到数据保护机制,确保关键数据的安全性。

    - 工业控制设备:
    - 适用于需要长时间数据存储的应用场景,如工业自动化控制系统。
    - 推荐配置适当的保护机制以防止误操作或意外的数据损失。

    - 其他应用:
    - 如智能家电、医疗设备等,均可通过选用合适的封装形式来实现灵活的安装。


    兼容性和支持




    - 兼容性:
    - 该系列产品提供多种封装选项(TSOP 和 Fortified BGA),兼容广泛的电路板设计。

    - 技术支持:
    - Micron Technology 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源和本地销售代表的技术支持。


    常见问题与解决方案




    - 问题1: 设备无法正常启动。
    - 解决方案: 检查供电电压是否符合要求,确认硬件连接无误。

    - 问题2: 存储数据丢失。
    - 解决方案: 检查存储器的擦写保护设置,确保没有未经授权的操作。


    总结和推荐




    总体来看,平行NOR闪存嵌入式存储器以其卓越的性能、高可靠性及丰富的功能,在众多应用领域展现出强大的竞争力。对于追求高性能和高可靠性的项目,我们强烈推荐使用该系列的产品。Micron Technology 的持续技术支持和服务也将为用户的项目开发带来极大的便利。

JS28F256M29EWLA参数

参数
最大供电电流 31mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 16M x 16 位,32M x 8 位
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 32MB
长*宽*高 14mm*18.4mm*1mm
通用封装 TSOP-56
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JS28F256M29EWLA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F256M29EWLA数据手册

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JS28F256M29EWLA封装设计

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