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JS28F256P33TFE

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 32MB 2.3V 31mA 3.6V Parallel SOP 贴片安装 14mm*18.4mm*1mm
供应商型号: JS28F256P33TFE
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F256P33TFE

JS28F256P33TFE概述

    Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) 技术手册概述

    1. 产品简介


    Micron的P33-65nm系列Parallel NOR Flash嵌入式存储器产品提供了高效能和高密度的存储解决方案。该系列产品主要包括多种型号,如RC28F256P33TFE, RC28F256P33BFE, RC28F256P33BFF, PC28F256P33TFE, PC28F256P33BFE, PC28F256P33BFF, PC28F256P33BFR, RC48F4400P0TB0EJ, PC48F4400P0TB0EE, PC48F4400P0TB0EH, JS28F256P33TFE, JS28F256P33BFE。这些产品适用于各种嵌入式系统和高要求的应用场景,如汽车电子、工业控制、网络通信等领域。

    2. 技术参数


    - 初始访问时间:Easy BGA为95ns,TSOP为105ns
    - 异步页读模式:25ns(16字)
    - 同步突发读模式:最高52MHz,17ns时钟到数据输出延迟
    - 支持的突发模式:4、8、16位及连续字选项
    - 编程缓冲区:最大2MB/s(512字缓冲区),3.0V下1.14MB/s(512字缓冲区)
    - 核心电压:2.3V到3.6V
    - I/O电压:2.3V到3.6V
    - 待机电流:256Mb时典型值为65μA
    - 持续同步读电流:典型值为21mA,最大值为24mA
    - 安全特性:64位一次编程寄存器,2112位客户可编程
    - 擦写循环次数:每块至少10万次
    - 温度范围:-40°C到+85°C

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:出色的初始访问时间和高速突发读模式,适用于高要求的应用场景。
    - MLC架构:提供最高的密度以最低的成本,支持高达512Mb的存储容量。
    - 多种封装选择:提供TSOP、Easy BGA等多种封装方式,适用于不同的安装需求。
    - 强大的安全特性:包括多种保护机制,如OTP寄存器、绝对写保护等,确保数据的安全性。
    - 广泛的适用性:适用于各种嵌入式系统和高要求的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 车载信息娱乐系统:利用其高性能和可靠的安全特性,适合用于车载导航和信息娱乐系统中。
    - 工业控制系统:高耐久性使其非常适合在工业环境中长时间稳定运行。
    - 网络通信设备:通过其强大的数据处理能力,可应用于路由器和交换机等通信设备中。
    - 使用建议:为了充分发挥其性能,建议在设计中合理配置电源和信号路径,避免干扰。同时,定期进行数据备份和恢复操作,确保数据安全。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持多种封装和配置,可以与其他Micron的Flash存储器产品无缝集成。
    - 支持:Micron公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。建议联系当地销售代表获取更多技术支持和相关信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何验证产品的兼容性?
    A:参考产品手册中的详细说明,确保所选产品符合所需的电压、封装和配置要求。
    - Q:如何处理读写错误?
    A:首先检查供电和信号路径是否正确配置,必要时重新初始化设备。如果问题依旧,可尝试更换备用芯片。
    - Q:如何锁定特定的数据块?
    A:使用BLOCK LOCK命令将需要锁定的块设置为锁定状态,以防止意外写入。

    7. 总结和推荐


    Micron的P33-65nm系列Parallel NOR Flash嵌入式存储器是一款集高性能、高可靠性和安全性于一体的优秀产品。其丰富的特性和多样的封装选择使其适用于各种高要求的应用场景。强烈推荐给那些寻求高效、可靠的嵌入式存储解决方案的设计工程师们。

JS28F256P33TFE参数

参数
最小工作供电电压 2.3V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 32MB
最大供电电流 31mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
长*宽*高 14mm*18.4mm*1mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
包装方式 托盘

JS28F256P33TFE厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F256P33TFE数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JS28F256P33TFE JS28F256P33TFE数据手册

JS28F256P33TFE封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 27.612
50+ ¥ 26.1252
100+ ¥ 25.2756
500+ ¥ 24.426
1000+ ¥ 23.7888
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