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JS28F256M29EWLB

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 32MB 2.7V 31mA 3.6V Parallel SOP 贴片安装 14mm*18.4mm*1mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F256M29EWLB

JS28F256M29EWLB概述

    Parallel NOR Flash Embedded Memory 技术手册概述

    产品简介


    Parallel NOR Flash Embedded Memory 是一种用于嵌入式系统中的闪存存储器,主要用于非易失性数据存储。它支持异步随机/分页读取操作,具有高速缓冲编程功能,适合需要快速访问和大量数据存储的应用场景。这些设备主要包括 256Mb、512Mb、1Gb 和 2Gb 的密度,采用 3V 的核心电压,以满足不同应用场景的需求。

    技术参数


    - 供电电压
    - VCC:2.7V 至 3.6V(编程、擦除和读取)
    - VCCQ:1.65V 至 VCC(I/O 缓冲)
    - 随机/分页读取
    - 分页大小:16 个字(32 字节)
    - 分页访问时间:25ns
    - 随机访问时间:100ns(强化 BGA);110ns(TSOP)
    - 缓冲编程
    - 缓冲程序:512 字节编程缓冲区
    - 编程时间
    - 每字节 0.88µs(典型值),即 1.14MB/s(当使用全 512 字节缓冲区时)
    - 内存组织
    - 均匀块:每个 128-Kbytes 或 64-Kwords
    - 程序/擦除控制器
    - 内置字(8 位)/词(16 位)编程算法
    - 程序/擦除挂起和恢复功能
    - 在程序挂起期间可以从另一块读取
    - 在擦除挂起期间可以从另一块读取或编程
    - 擦除验证操作
    - 可以验证已擦除的块
    - 保护功能
    - 通过 VPP/WP# 引脚保护
    - 软件保护:易失性保护、非易失性保护、密码保护
    - 扩展内存块
    - 128 个字(256 字节)用于永久、安全的标识
    - 低功耗
    - 待机模式
    - 环境温度
    - -40°C 至 +85°C
    - 封装
    - 56 针 TSOP,尺寸为 14 x 20mm
    - 64 球强化 BGA,尺寸为 13 x 11mm
    - 符合标准
    - 符合 JESD47 标准,提供 100,000 次擦除周期和 20 年的数据保留期

    产品特点和优势


    - 高密度存储:支持高达 2Gb 的存储容量,适用于大型数据存储需求。
    - 高性能:高速缓存编程和快速块/芯片擦除功能提高了数据处理效率。
    - 灵活的保护机制:多种保护模式确保数据的安全性,包括硬件和软件保护。
    - 良好的兼容性:兼容各种封装类型(TSOP 和 BGA),便于集成到不同的硬件设计中。
    - 低功耗:待机模式减少了能耗,适合电池供电的设备。
    - 长寿命:20 年的数据保留期和 100,000 次擦除周期延长了使用寿命。

    应用案例和使用建议


    - 工业控制:由于其高密度和高可靠性,适用于工业自动化和控制系统中。
    - 汽车电子:支持宽温范围(-40°C 至 +85°C),适合车载电子设备。
    - 消费电子:在各种消费电子产品中,如智能电视、机顶盒等,需要大容量存储和快速数据访问的应用场合。

    使用建议:
    - 在程序执行过程中,合理利用缓冲区进行批量编程可以显著提高效率。
    - 配合外部电源管理单元使用,可进一步降低功耗,延长设备寿命。
    - 定期进行擦除和写入操作,避免数据损坏的风险。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:提供两种封装选项,TSOP 和 BGA,适用于不同的电路板布局需求。
    - 技术支持:Micron 提供详尽的技术文档和在线支持,帮助客户解决问题和优化设计。

    常见问题与解决方案


    1. 如何设置密码保护?
    - 参考技术手册中的 PASSWORD PROTECTION 命令部分,按照流程进行设置。

    2. 如何验证擦除操作是否成功?
    - 使用 BLANK CHECK 命令进行验证,确保擦除后的块为擦除状态。
    3. 如何解锁并跳过写保护?
    - 执行 UNLOCK BYPASS 命令即可解除写保护。

    总结和推荐


    Parallel NOR Flash Embedded Memory 是一款功能强大且高度可靠的存储设备,尤其适用于需要大容量存储和快速数据访问的应用场景。它的高性能、多种保护机制和广泛的兼容性使其在市场上具有很强的竞争力。综上所述,推荐在需要高性能、高可靠性的嵌入式系统中使用此产品。

JS28F256M29EWLB参数

参数
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 32MB
最大供电电流 31mA
长*宽*高 14mm*18.4mm*1mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

JS28F256M29EWLB厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F256M29EWLB数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JS28F256M29EWLB JS28F256M29EWLB数据手册

JS28F256M29EWLB封装设计

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