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JS28F128M29EWLA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 16MB 2.7V 25mA 3.6V Parallel TSOP-56 贴片安装 14mm*18.4mm*1mm
供应商型号: JS28F128M29EWLA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F128M29EWLA

JS28F128M29EWLA概述

    并行NOR闪存嵌入式存储器



    产品简介



    并行NOR闪存嵌入式存储器(Parallel NOR Flash Embedded Memory)是一种高性能的嵌入式存储解决方案,适用于需要快速随机访问的系统中。此系列包括不同容量的存储器,如32Mb、64Mb和128Mb,可以满足不同的应用需求。其主要功能是提供高速的数据读写能力,并支持多种保护机制以确保数据安全。


    技术参数



    - 电源电压:VCC = 2.7–3.6V(编程、擦除、读取),VCCQ = 1.65–3.6V(I/O缓冲器)
    - 异步随机或页读:页大小为8字或16字节;页访问时间为25ns;随机访问时间(VCCQ = 2.7–3.6V):BGA封装为60ns,TSOP封装为70ns
    - 缓存程序:最大缓存程序为256字
    - 程序时间:0.56μs/字节(1.8 MB/s,典型值),0.31μs/字节(3.2 MB/s,典型值)
    - 内存组织:32Mb:64个主块,每个64KB,或8个8KB启动块(顶部或底部)和63个主块,每个64KB;64Mb:128个主块,每个64KB,或8个8KB启动块(顶部或底部)和127个主块,每个64KB;128Mb:128个主块,每个128KB
    - 程序/擦除控制器:嵌入式字/字程序算法
    - 程序/擦除挂起和恢复功能
    - 空检查操作:验证擦除块
    - 解锁旁路、块擦除、芯片擦除和缓冲区写入功能
    - VPP/WP#引脚保护
    - 软件保护:易失性保护、非易失性保护、密码保护、密码访问
    - 低功耗:待机模式
    - JESD47H标准:每个块至少100,000次擦写循环,数据保留时间:20年(典型值)
    - 65nm单晶体管单元工艺技术
    - 封装:56引脚TSOP、48引脚TSOP、64球FBGA、48球BGA
    - 环保包装:RoHS合规、无卤素
    - 工作温度:-40°C至+85°C


    产品特点和优势



    该并行NOR闪存嵌入式存储器具有高效的数据处理能力和多重保护机制,能够保证数据的安全性和可靠性。其独特之处在于支持高速随机读取和编程操作,能够在各种复杂环境下保持高性能表现。其卓越的擦写循环次数和长时间的数据保留能力,使其成为高可靠性应用的理想选择。此外,其丰富的保护功能,如易失性保护、非易失性保护和密码保护,提供了强大的数据安全措施,适合各种对安全性要求高的应用场景。


    应用案例和使用建议



    这些存储器广泛应用于各种嵌入式系统中,如汽车电子、工业控制、通信设备和消费电子等领域。例如,在汽车电子系统中,它被用于存储关键的配置数据和系统固件,确保系统的稳定运行。为了提高系统的可靠性,建议采用双缓冲区策略进行编程操作,以减少编程过程中出现错误的概率。此外,对于频繁的擦写操作,应定期进行块保护检查,以确保数据的安全性和完整性。


    兼容性和支持



    这些存储器支持多种封装形式,包括TSOP和BGA,以便于不同类型的设备集成。制造商Micron Technology提供了全面的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。此外,可以通过联系Micron的销售代表获取更多详细信息和定制化服务。


    常见问题与解决方案



    - 问题:如何检查一个块是否为空?
    解决方法:使用BLANK CHECK命令进行操作,该命令可以验证指定块是否已被擦除。
    - 问题:如何防止数据未经授权的访问?
    解决方法:启用非易失性保护功能,并设置密码保护,确保只有授权用户才能访问存储器中的数据。
    - 问题:如何加速编程过程?
    解决方法:将VPPH电压施加到VPP引脚上,这将加快编程速度,尤其是在大容量块编程时效果明显。


    总结和推荐



    总体来说,这些并行NOR闪存嵌入式存储器以其高效的数据处理能力、可靠的保护机制和广泛的适用性,成为了一种非常优秀的嵌入式存储解决方案。无论是用于高可靠性的工业应用还是消费电子产品,都是值得推荐的选择。用户可以根据具体的应用需求选择合适的容量和封装形式,充分发挥其性能优势。

JS28F128M29EWLA参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 16MB
最大供电电流 25mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
长*宽*高 14mm*18.4mm*1mm
通用封装 TSOP-56
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JS28F128M29EWLA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F128M29EWLA数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JS28F128M29EWLA JS28F128M29EWLA数据手册

JS28F128M29EWLA封装设计

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