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MT9KSF51272HZ-1G6P1

产品分类: 存储器模块
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 4GB 512Mx72 1.283V,1.425V 909mA 1.45V,1.451.575 1.6GHz 72bit 贴片安装 67.75mm*30.15mm*3.8mm
供应商型号: MT9KSF51272HZ-1G6P1-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 存储器模块 MT9KSF51272HZ-1G6P1

MT9KSF51272HZ-1G6P1概述

    1.35V DDR3L SDRAM SODIMM MT9KSF51272HZ – 4GB 技术手册

    产品简介


    MT9KSF51272HZ – 4GB 是一款容量为4GB的DDR3L SDRAM SODIMM模块,符合JEDEC标准,支持多种频率和延迟等级。该模块主要功能包括支持DDR3L规范和操作、具备错误检测与纠正功能(ECC)、提供高速数据传输率(PC3-12800),并具有单通道结构(Single-rank)。主要应用于服务器、工作站、工作站存储扩展等领域。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 容量 | 4GB (512M x 72) |
    | 接口类型 | 204-pin DDR3L SODIMM |
    | 供电电压 | 1.35V (1.283-1.45V) / 1.5V (1.425-1.575V) |
    | 数据传输率 | PC3-12800 |
    | 刷新计数 | 8K |
    | 时钟频率 | 1600 MHz |
    | CAS延迟 | 11/10/9/8/7/6/5 ns |
    | 时序参数 | 13.125/48.125 ns |
    | 温度范围 | 商用:0°C 至 70°C |

    产品特点和优势


    1. 高数据传输率:支持高达1600 MT/s的数据传输率,使得该模块能够处理高速数据传输需求。
    2. 错误检测与纠正:集成ECC功能,确保数据完整性并减少系统出错率。
    3. 后向兼容:支持1.35V及1.5V两种电压供电,后向兼容至1.5V,提高了系统的灵活性和可靠性。
    4. 飞线拓扑结构:采用飞线拓扑结构,提高信号质量和稳定性。
    5. 集成温度传感器:内部集成温度传感器,有助于实时监控并管理模块的工作温度。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器环境中,此模块可以作为主存储扩展,增加内存容量以提升系统整体性能。
    - 在工作站存储扩展中,该模块可快速升级现有系统内存,从而提升运行速度和多任务处理能力。
    使用建议:
    - 确保安装环境通风良好,避免过热影响模块的正常工作。
    - 使用时注意模块供电电压范围,以确保最佳性能和稳定性。
    - 在系统配置中合理分配内存资源,以最大化利用模块的高性能。

    兼容性和支持


    该模块与大多数遵循JEDEC标准的服务器和工作站系统兼容,具备良好的互操作性。厂商提供了详尽的技术支持和文档资料,确保用户能够顺利安装和使用。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 模块无法识别 | 确认安装正确,检查供电电压是否符合要求。 |
    | 运行速度慢 | 检查系统配置是否匹配模块的最佳性能,调整设置。 |
    | 出现错误 | 开启ECC功能,定期检查系统日志。 |

    总结和推荐


    总结:
    - 容量大:4GB容量,适用于需要大量内存的应用场景。
    - 速度快:支持高达1600 MT/s的数据传输率,确保高速数据处理。
    - 稳定性好:ECC功能保证数据完整性,内置温度传感器有助于延长使用寿命。
    - 兼容性强:与多数服务器和工作站系统兼容,适用范围广。
    推荐:
    鉴于其出色的性能、可靠的稳定性和广泛的兼容性,该模块是一款值得推荐的高性能存储解决方案,适用于需要高效能、高可靠性的各种计算平台。

MT9KSF51272HZ-1G6P1参数

参数
接口类型 -
组织 512Mx72
数据总线宽度 72bit
最大时钟频率 1.6GHz
最大供电电流 909mA
最大工作供电电压 1.45V,1.451.575
编程电压 -
存储容量 4GB
最小工作供电电压 1.283V,1.425V
长*宽*高 67.75mm*30.15mm*3.8mm
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

MT9KSF51272HZ-1G6P1厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

MT9KSF51272HZ-1G6P1数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 存储器模块 MICRON TECHNOLOGY MT9KSF51272HZ-1G6P1 MT9KSF51272HZ-1G6P1数据手册

MT9KSF51272HZ-1G6P1封装设计

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