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JS28F00AP33BFA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 128MB 64 M x 16 2.3V 31mA 3.6V 40MHz Parallel 16bit TSOP-56 贴片安装
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标准整包数: 0
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F00AP33BFA

JS28F00AP33BFA概述

    Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)

    产品简介


    Micron的Parallel NOR Flash嵌入式存储器系列提供了多种存储容量选择,包括512Mb、1Gb和2Gb。这些芯片专为高性能需求设计,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。通过高密度多层单元(MLC)技术,它们以较低的成本提供最高的存储密度。此外,Micron的P33-65nm系列还支持易用的BGA封装和TSOP封装,使其适用于不同的设计需求。

    技术参数


    - 工作频率:最高可达52MHz(对于Easy BGA封装)
    - 初始访问时间:95ns(512Mb, 1Gb Easy BGA),100ns(2Gb Easy BGA),105ns(512Mb, 1Gb TSOP)
    - 数据读取速度:最高17ns(同步突发模式)
    - 工作电压范围:VCC(核心电压)2.3V到3.6V,VCCQ(I/O电压)2.3V到3.6V
    - 功耗:待机电流70µA(512Mb)、75µA(1Gb)
    - 最大电流消耗:52MHz连续同步读取电流24mA
    - 擦写次数:每个块至少100,000次
    - 工作温度范围:-40°C到+85°C
    - 密度:512Mb、1Gb、2Gb
    - 封装形式:56-引脚TSOP,64-球Easy BGA
    - 数据总线宽度:16位宽的数据总线

    产品特点和优势


    1. 高性能:支持高达52MHz的工作频率和低至17ns的时钟到数据输出延迟。
    2. 易于使用:提供易用的BGA和TSOP封装,简化了安装过程。
    3. 多功能性:支持多种数据读取模式,包括单字节读取、页模式读取和同步突发模式读取。
    4. 安全性:支持硬件级别的保护机制,如绝对写保护和独立块锁定。
    5. 成本效益:采用MLC技术,以较低的成本提供较高的存储密度。

    应用案例和使用建议


    Micron的Parallel NOR Flash嵌入式存储器在消费电子产品(如手机、平板电脑)中得到了广泛应用,同时也用于汽车电子系统(如车身控制系统)。以下是一些具体的应用案例及使用建议:
    - 智能手表:选择合适密度和封装的芯片以满足小尺寸设计的需求,同时保证快速的数据读取速度。
    - 汽车导航系统:选用具有高可靠性、耐高温特性的存储器芯片,确保长期稳定运行。
    - 工业控制器:使用高密度MLC芯片,以实现大容量数据存储需求,并确保可靠的长时间使用。

    兼容性和支持


    Micron的Parallel NOR Flash嵌入式存储器具有良好的兼容性,可以与其他常见的微处理器和接口控制器无缝对接。Micron公司提供详尽的技术文档和用户支持,包括产品规格书、设计指南和售后技术支持。如有需要,用户可直接联系Micron的销售代表获取更多定制化服务。

    常见问题与解决方案


    1. 无法正确擦写数据:
    - 检查电源电压是否符合规范,确认VCC和VCCQ均在规定的范围内。
    - 确保编程命令正确无误,使用适当的编程指令。
    - 验证是否进行了正确的复位操作。
    2. 读取速度慢:
    - 确认是否使用了同步模式而非异步模式。
    - 检查时钟信号的质量,确保其频率稳定且幅度适中。

    总结和推荐


    综上所述,Micron的Parallel NOR Flash嵌入式存储器系列凭借其出色的性能、多样化的功能和良好的兼容性,在多个应用领域展现出强大的竞争力。尤其是其卓越的可靠性和低成本高密度的特点,使其成为众多高端应用的理想选择。因此,我们强烈推荐此系列产品用于需要高性能存储解决方案的项目中。

JS28F00AP33BFA参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 128MB
最大供电电流 31mA
最大时钟频率 40MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.3V
组织 64 M x 16
数据总线宽度 16bit
通用封装 TSOP-56
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JS28F00AP33BFA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F00AP33BFA数据手册

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JS28F00AP33BFA封装设计

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