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JS28F00AM29EWLA

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: MICRON TECHNOLOGY
产品描述: 128MB 128 M x 8,64 M x 16 2.7V 31mA 3.6V Parallel 8bit,16bit TSOP-56 贴片安装
供应商型号: JS28F00AM29EWLA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) JS28F00AM29EWLA

JS28F00AM29EWLA概述

    Parallel NOR Flash Embedded Memory 技术手册

    1. 产品简介


    Parallel NOR Flash Embedded Memory 是一种嵌入式并行NOR闪存,适用于多种高性能嵌入式系统。它提供256Mb、512Mb、1Gb和2Gb的存储容量,具有非易失性的数据存储特性。此款闪存主要应用于需要高速读写操作的领域,例如工业自动化、网络通信、存储设备和消费电子产品等。

    2. 技术参数


    以下为该产品的技术规格及性能参数:
    - 存储容量:256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb
    - 供电电压:
    - VCC: 2.7–3.6V(编程、擦除、读取)
    - VCCQ: 1.65–3.6V(I/O缓冲器)
    - 随机/分页读取:
    - 页大小:16字或32字节
    - 页访问时间:25ns
    - 随机访问时间:100ns(Fortified BGA),110ns(TSOP)
    - 缓冲编程:512字节编程缓冲区
    - 编程时间:0.88μs每字节(全512字节缓冲区时,典型值为1.14MB/s)
    - 内存组织:均匀块,每个128K字节或64K字
    - 程序/擦除控制器:嵌入式字/字编程算法
    - 程序/擦除挂起和恢复能力:
    - 擦除挂起期间可读任意块
    - 擦除挂起期间可读或编程其他块
    - 空检查操作:验证已擦除块
    - 解锁旁路、块擦除、芯片擦除和写入缓冲能力
    - 快速缓冲/批量编程
    - 快速块/芯片擦除
    - VPP/WP#引脚保护:保护第一或最后一个块
    - 软件保护:易失性保护、非易失性保护、密码保护、密码访问
    - 扩展内存块:128字(256字节)块用于永久安全标识
    - 低功耗消耗:待机模式
    - JESD47H合规性:
    - 每块最小100,000次擦除周期
    - 数据保留:20年(典型值)
    - 制造工艺:65nm多级单元(MLC)工艺
    - 封装:Fortified BGA和TSOP封装
    - 环保包装:RoHS合规、无卤素

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:高密度存储和高速随机读取能力,确保系统运行效率。
    - 强大的保护机制:多种软件保护方式,确保数据安全。
    - 灵活性:通过不同配置和封装选项,适应多样化的应用场景。
    - 低功耗:支持待机模式,减少能耗。
    - 可靠性:JESD47H标准确保长期数据保留能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 工业自动化:利用其快速响应特性,可以实现高效的数据处理和存储。
    - 网络通信:作为网络设备中的存储介质,提供可靠的数据存储。
    - 消费电子:适用于移动设备和其他需要快速存储和读取的应用场景。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保电源电压稳定,避免过高或过低导致性能下降。
    - 在进行编程和擦除操作时,建议使用缓冲区以提高效率。
    - 定期进行数据完整性检查,确保数据的安全存储。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:可与多种嵌入式系统和设备配合使用。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持服务,可以通过官网获取更多资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确保数据在多次擦除后仍能完整保存?
    - 解决方案:该产品具有JESD47H标准,确保每次擦除后数据能够保持长达20年的数据保留能力。
    - 问题二:如何设置软件保护机制?
    - 解决方案:通过编程设置锁寄存器和保护寄存器,详细步骤可以在手册中找到。

    7. 总结和推荐


    综上所述,Parallel NOR Flash Embedded Memory 是一款高性能、多功能的嵌入式存储解决方案,适合于需要高速度和高可靠性存储的各类应用。其强大的保护机制和多种配置选项使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在需要高性能存储的项目中使用该产品。

JS28F00AM29EWLA参数

参数
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 128 M x 8,64 M x 16
数据总线宽度 8bit,16bit
接口类型 Parallel
存储容量 128MB
最大供电电流 31mA
最大时钟频率 -
通用封装 TSOP-56
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

JS28F00AM29EWLA厂商介绍

Micron Technology(美光科技)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,成立于1978年,总部位于美国爱达荷州。公司主要生产DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘、CMOS图像传感器等产品。

Micron Technology的产品主要分为以下几类:
1. DRAM:动态随机存取存储器,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机等设备。
2. NAND闪存:一种非易失性存储器,用于存储大量数据,如U盘、固态硬盘等。
3. NOR闪存:一种非易失性存储器,主要用于存储代码和数据,如嵌入式系统。
4. SSD固态硬盘:基于NAND闪存的高速存储设备,用于替代传统机械硬盘。
5. CMOS图像传感器:用于手机、相机等设备的图像捕捉。

Micron Technology的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供多种存储解决方案,满足不同客户的需求。
3. 品质保证:严格的生产和质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:全球销售和服务网络,为客户提供及时的技术支持和解决方案。

JS28F00AM29EWLA数据手册

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MICRON TECHNOLOGY 闪存(Flash) MICRON TECHNOLOGY JS28F00AM29EWLA JS28F00AM29EWLA数据手册

JS28F00AM29EWLA封装设计

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