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VN0550N3-G P013

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W(Tc) 20V 4V@1mA 1个N沟道 500V 60Ω@ 50mA,10V 50mA 55pF@25V TO-92-3 通孔安装 5.21mm*4.19mm*5.33mm
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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VN0550N3-G P013

VN0550N3-G P013概述

    VN0550 Enhancement-Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    VN0550 是一种增强型(通常为非导通)场效应晶体管(FET),采用垂直双扩散金属氧化物半导体(DMOS)结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种组合使其具备双极晶体管的功率处理能力,同时保留了金属氧化物半导体(MOS)器件的高输入阻抗和正温度系数。此器件特别适合用于电机控制、转换器、放大器、开关、电源电路及驱动器等应用场合。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (BVDSS): 500V
    - 栅漏电压 (BVDGS): 20V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 工作环境温度 (TA): –55°C 至 +150°C
    - 存储温度 (TS): –55°C 至 +150°C
    - 直流电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 500V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 2V ~ 4V
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ≤100nA (VGS = ±20V, VDS = 0V)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): ≤10µA (VGS = 0V)
    - 导通漏极电流 (ID(ON)): 100mA (VGS = 5V, VDS = 25V)
    - 交流电气特性
    - 前向跨导 (GFS): 50 ~ 100mmho
    - 输入电容 (CISS): 45 ~ 55pF
    - 输出电容 (COSS): 8 ~ 10pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 2 ~ 5pF
    - 热特性
    - 热阻 (θJA): 132°C/W
    - 最大安全操作区 (SOA): 依赖于具体操作条件

    3. 产品特点和优势


    - 无二次击穿:由于其 MOS 结构特性,不存在热失控和因热引起的二次击穿问题。
    - 低功耗驱动需求:相比其他晶体管,驱动功耗较低。
    - 并联简易性:便于多个器件并联使用,提高输出电流。
    - 低输入电容和快速开关速度:低输入电容和高速切换能力。
    - 优异的热稳定性:在宽广的温度范围内保持稳定性能。
    - 集成源-漏二极管:内置源漏二极管,方便设计。
    - 高输入阻抗和高增益:适合各种放大和开关应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机控制:广泛应用于各类电动机控制系统,如风扇、泵等。
    - 转换器:适用于各种电源转换器,如 DC-DC 转换器。
    - 放大器:可用于功率放大器和信号放大。
    - 开关:适用于开关电源和负载开关。
    - 电源电路:可作为电源管理的核心器件。
    使用建议:对于需要高效率和高可靠性的应用,VN0550 是理想的选择。在使用时应注意其绝对最大额定值,确保操作温度和电压范围内的稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    VN0550 支持标准 3 引脚 TO-92 封装,适用于各种标准电路板设计。Microchip 提供全面的技术支持和维护服务,可通过官方网站获取最新的产品文档和更新信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何确保在高温环境下正常工作?
    解决方案:请遵守产品的绝对最大额定值,确保在规定的温度范围内使用。

    - 问题 2:出现异常发热现象怎么办?
    解决方案:检查散热系统是否足够,适当增大散热片面积或使用散热膏。

    7. 总结和推荐


    VN0550 是一款具有多种优势的高性能 MOSFET,其出色的热稳定性、低功耗驱动能力和快速开关速度使其成为许多应用的理想选择。推荐在需要高可靠性、高效率和优良热性能的应用场合使用此产品。无论是电机控制、电源转换还是信号放大,VN0550 都能提供卓越的性能表现。

VN0550N3-G P013参数

参数
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 55pF@25V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 50mA
通道数量 1
最大功率耗散 1W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 60Ω@ 50mA,10V
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,卷带包装

VN0550N3-G P013厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VN0550N3-G P013数据手册

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VN0550N3-G P013封装设计

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