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TP2522N8-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.6W(Ta) 20V 2.4V@1mA 1个P沟道 220V 12Ω@ 200mA,10V 260mA 125pF@25V SOT-89,TO-243AA 贴片安装 4.6mm*2.6mm*1.6mm
供应商型号: 689-TP2522N8-G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) TP2522N8-G

TP2522N8-G概述


    产品简介


    TP2522是一款由Microchip Technology Inc.生产的P沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET)。它主要用于逻辑电平接口、固态继电器、电池驱动系统、光伏驱动装置、模拟开关、通用线路驱动器以及电信交换设备等应用领域。TP2522具有低阈值电压、高输入阻抗和正温度系数等特性,使其在广泛的开关和放大应用中表现出色。

    技术参数


    电气特性:
    - 最大栅极-源极电压:±20V
    - 工作环境温度范围:-55°C至+150°C
    - 存储温度范围:-55°C至+150°C
    直流电气特性:
    - 漏极-源极击穿电压:-220V
    - 栅极阈值电压:-2.4V(最大)
    - 栅体泄漏电流:-100nA
    - 零栅压漏极电流:-10μA
    - 导通状态漏极电流:-0.7A(@VGS = -10V, VDS = -25V)
    - 静态漏极-源极导通电阻:12Ω(@VGS = -10V, ID = -200mA)
    交流电气特性:
    - 正向跨导:100至250 mmho(@VDS = -25V, ID = -200mA)
    - 输入电容:75至125 pF(@VGS = 0V, VDS = -25V, f = 1 MHz)
    - 输出电容:20至85 pF
    - 反向传输电容:10至35 pF
    - 开启延迟时间:10ns
    - 关闭延迟时间:20ns
    温度特性:
    - 最大结温:150°C
    - 结到环境热阻:133°C/W(@TA = 25°C)

    产品特点和优势


    特点:
    - 最大低阈值电压为-2.4V,适用于多种应用。
    - 高输入阻抗,减少外部信号对内部电路的影响。
    - 低输入电容(最大125 pF),降低信号延迟。
    - 快速开关速度,适合高频应用。
    - 低导通电阻(最大12Ω),提高效率。
    - 免于二次击穿,可靠性高。
    优势:
    - 在逻辑电平接口和电池驱动系统中表现出色,特别适用于要求低功耗的应用。
    - 高输入阻抗和正温度系数确保了良好的温度稳定性和可靠性。
    - 快速开关速度和低输入电容使得TP2522成为高速信号处理的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 逻辑电平接口:TP2522可用于连接不同逻辑电平的设备,如TTL和CMOS。
    - 固态继电器:用于实现无触点开关,常用于电信设备中。
    - 电池驱动系统:适合便携式设备,如笔记本电脑和手机充电器。
    - 电信交换设备:TP2522可提高电信系统的信号完整性。
    使用建议:
    - 确保环境温度不超出规定范围,避免长时间暴露在高温环境下。
    - 由于TP2522具有高输入阻抗,需注意信号源的匹配以避免反射干扰。
    - 在高速信号处理应用中,注意引线电感对开关性能的影响。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - TP2522与大多数标准逻辑电平和电源接口兼容。
    - 适用于各种工业标准封装,如SOT-89。
    支持:
    - Microchip提供详细的技术文档和支持服务,包括产品选型指南、设计工具和在线技术支持。
    - 用户可以通过访问Microchip官网获取更多资源和培训材料。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 如何确保TP2522的正常工作?
    - 确保工作温度在规定的范围内,避免过载。
    - 开关速度慢怎么办?
    - 检查信号源和负载是否匹配,确保电源稳定。
    - 发热严重如何处理?
    - 使用散热片或风扇辅助散热,避免长时间连续工作。

    总结和推荐


    综合评估:
    TP2522具备出色的电气特性和可靠性,适用于多种电子系统的设计和应用。其高输入阻抗、低导通电阻和快速开关速度使得它在逻辑电平接口、电池驱动系统和电信交换设备等领域具有明显优势。
    推荐使用:
    鉴于TP2522的优异性能和广泛的应用场景,强烈推荐将其作为高要求电子系统的首选电子元器件。无论是在消费电子还是工业自动化领域,TP2522都是一个可靠且高效的选择。

TP2522N8-G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 125pF@25V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 12Ω@ 200mA,10V
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
Vds-漏源极击穿电压 220V
最大功率耗散 1.6W(Ta)
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 260mA
长*宽*高 4.6mm*2.6mm*1.6mm
通用封装 SOT-89,TO-243AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TP2522N8-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

TP2522N8-G数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY TP2522N8-G TP2522N8-G数据手册

TP2522N8-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.1275 ¥ 17.9774
25+ $ 1.705 ¥ 14.4073
100+ $ 1.5012 ¥ 12.6851
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