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VN2460N8-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Microchip N沟道增强型MOS管 VN2460系列, Vds=600 V, 200 mA, TO-243AA封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: VN2460N8-G
供应商: Master
标准整包数: 500
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VN2460N8-G

VN2460N8-G概述

    VN2460 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

    1. 产品简介


    VN2460 是一款由 Microchip Technology Inc. 生产的 N 沟道增强型垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET)。这种晶体管结合了双扩散金属氧化物结构和成熟的硅栅制造工艺,使其具备极佳的功率处理能力和 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。产品广泛应用于电机控制、转换器、放大器、开关和电源电路等领域。

    2. 技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( BVDSS \): 600V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 栅漏电压 \( BVDGS \):
    - 工作环境温度 \( TA \): -55°C 至 +150°C
    - 存储温度 \( TS \): -55°C 至 +150°C
    直流电气特性
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \): 600V
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \): 1.5V 至 4V
    - 温度变化下的栅阈电压 \( \Delta V{GS(th)} \): -5.5mV/°C
    - 零栅电压下的漏电流 \( I{DSS} \): 10µA (最大)
    - 开启状态漏电流 \( ID(ON) \): 250mA (最小)
    - 导通电阻 \( R{DS(ON)} \): 25Ω (典型值)
    - 电阻随温度变化 \( \Delta R{DS(ON)} \): 1.7%/°C
    交流电气特性
    - 前向跨导 \( G{FS} \): 50mmho (典型值)
    - 输入电容 \( C{ISS} \): 150pF (典型值)
    - 输出电容 \( C{OSS} \): 50pF (典型值)
    - 反向转移电容 \( C{RSS} \): 25pF (典型值)
    热特性
    - 热阻 \( \theta{JA} \): 132°C/W (TO-92) / 133°C/W (SOT-89)

    3. 产品特点和优势


    - 无二次击穿:这一特性使得 VN2460 在高电流应用中更加稳定可靠。
    - 低功耗驱动需求:降低系统整体能耗。
    - 并联方便:易于实现并联应用,提高灵活性。
    - 低 CISS 和快速开关速度:保证高速开关操作。
    - 优异的热稳定性:能够在广泛的温度范围内保持稳定性能。
    - 内置源-漏二极管:简化电路设计,降低成本。
    - 高输入阻抗和增益:提供更好的信号处理能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机控制:用于电机调速和启动。
    - 电源电路:在电源转换和稳压中表现出色。
    - 驱动器:如继电器、锤子、螺线管、灯泡等。
    - 实际使用场景:在电动工具、自动化设备、汽车电子等领域得到广泛应用。
    - 使用建议:在使用时,建议严格遵守额定参数,避免过载运行;在散热方面需要考虑合适的散热设计以确保长期可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 封装兼容性:VN2460 提供两种封装形式:3-lead TO-92 和 3-lead SOT-89,能够适应不同应用需求。
    - 支持和维护:Microchip 提供详尽的技术文档和专业支持,包括在线技术支持和应用指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:采用良好的散热措施,例如使用散热片或风扇。
    - 问题 2:过高的电压导致损坏。
    - 解决方案:确保外部电路的设计不会超过其最大额定值。
    - 问题 3:开关频率过高引起振荡。
    - 解决方案:优化外部元件选择,减小寄生电容和电感的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,VN2460 作为一款高性能的 N 沟道增强型垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管,其在电力电子和驱动应用中表现优异,特别是其出色的耐温性和低损耗特性。强烈推荐使用该产品在相关领域的设计中。通过严格的品质管理和持续的研发投入,Microchip 确保了 VN2460 的高可靠性,使其成为同类产品的佼佼者。

VN2460N8-G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 150pF@25V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 20Ω@ 100mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@2mA
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 200mA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
最大功率耗散 1.6W(Ta)
栅极电荷 -
长*宽*高 4.6mm*2.6mm*1.6mm
通用封装 SOT-89,TO-243AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

VN2460N8-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VN2460N8-G数据手册

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VN2460N8-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 1.3144 ¥ 10.9229
1000+ $ 1.2766 ¥ 10.4537
1500+ $ 1.266 ¥ 10.3673
2000+ $ 1.2555 ¥ 10.2809
4000+ $ 1.2555 ¥ 10.2809
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