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JANTX2N5039

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 140W 7V 1μA 125V 75V 20A TO-204AA,TO-3 通孔安装
供应商型号: 1086-16141-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 100
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTX2N5039

JANTX2N5039概述

    NPN High Power Silicon Transistor: 2N5038 and 2N5039

    1. 产品简介


    2N5038和2N5039是高功率硅晶体管,符合MIL-PRF-19500/439标准,用于军事级别的应用。这类晶体管主要用于需要高可靠性的环境,例如航空航天、军事通信、工业控制等。它们具有卓越的电气特性和稳定的热性能,适合在恶劣环境中稳定工作。

    2. 技术参数


    以下是2N5038和2N5039的技术规格和性能参数:
    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 90 V (2N5038), 75 V (2N5039)
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 150 V (2N5038), 125 V (2N5039)
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 7.0 V
    - 基极电流 (IB): 5.0 A
    - 集电极电流 (IC): 20 A
    - 总功率耗散 (PT): 140 W (@ TC = +25°C)
    - 工作及存储温度范围 (Top, Tstg): -65 to +200°C
    - 热特性:
    - 热阻,结到外壳 (RθJC): 1.25 °C/W
    - 电气特性(TA = 25°C):
    - OFF状态特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 90 V (2N5038), 75 V (2N5039)
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): 7.0 V
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): 1.0 μA
    - 集电极-发射极截止电流 (ICEO): 1.0 μA
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): 1.0 μA
    - 集电极-发射极截止电流 (ICEX): 5.0 μA
    - ON状态特性:
    - 电流转移比 (hFE): 30-200
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 1.0-2.5 V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 3.3 V
    - 基极-发射极电压 (VBE): 1.8 V
    - 动态特性:
    - 电流转移比 (hFE): 12-48
    - 输出电容 (Cobo): 500 pF
    - 开关特性:
    - 开启时间 (ton): 0.5 μs
    - 关闭时间 (toff): 2.0 μs

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 符合军用标准MIL-PRF-19500/439,适用于军事和航空等对可靠性要求极高的应用。
    - 高功率处理能力: 能够承受高达140 W的总功率耗散,适合大功率应用。
    - 宽温操作范围: 温度范围覆盖-65°C至+200°C,适用于极端环境。
    - 高电流和电压耐受能力: 高达20 A的集电极电流和75-90 V的电压耐受,确保在各种负载条件下稳定工作。
    - 快速开关特性: 开启时间为0.5 μs,关闭时间为2.0 μs,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管广泛应用于航空航天、军事通信、工业控制系统等领域。具体应用案例包括:
    - 航空航天: 作为飞行控制系统的功率驱动器。
    - 军事通信: 用于电台和雷达系统中的信号放大和转换。
    - 工业自动化: 用于电机控制和电源管理。
    使用建议:
    - 在选择2N5038或2N5039时,应考虑具体应用的电流和电压需求。
    - 使用时应注意散热设计,以避免因过热导致的性能下降。
    - 可结合热敏电阻进行温度监测,以确保安全运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 这些晶体管与常见的接口标准兼容,如TO-3封装,易于集成到现有系统中。
    - 支持: 提供详尽的技术手册和技术支持,帮助用户正确安装和使用。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在高温环境下表现不稳定。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,并结合外部冷却措施如散热片或风扇。
    - 问题: 开关过程中存在显著延迟。
    - 解决方案: 检查电路布局和布线,确保电源供应稳定,减少杂散电感和电容的影响。
    - 问题: 性能不一致。
    - 解决方案: 核实所有组件和连接是否符合规格,进行必要的校准和测试。

    7. 总结和推荐


    2N5038和2N5039是高可靠性的高功率晶体管,适合于各种苛刻的应用环境。其优越的电气特性和广泛的温度适应性使其成为航空航天、军事通信和工业控制领域的理想选择。强烈推荐这些晶体管用于需要高可靠性和大功率处理能力的项目。

JANTX2N5039参数

参数
最大功率耗散 140W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 1μA
VEBO-最大发射极基极电压 7V
配置 -
集电极电流 20A
最大集电极发射极饱和电压 1V@ 1A,10A
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 75V
VCBO-最大集电极基极电压 125V
通用封装 TO-204AA,TO-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTX2N5039厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTX2N5039数据手册

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JANTX2N5039封装设计

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