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JAN2N6193

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 1W 6V 100μA 100V 100V 5A TO-205AD,TO-39 通孔安装
供应商型号: 1086-21086-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JAN2N6193

JAN2N6193概述

    2N6193 PNP Medium Power Silicon Transistor 技术手册

    产品简介


    2N6193 是一款 PNP 中功率硅晶体管,适用于多种应用场合。该产品通过 MIL-PRF-19500/561 认证,符合 JANTX 和 JANTXV 标准。其典型应用包括电源管理、音频放大、驱动电路及开关电路等领域。2N6193 拥有良好的热稳定性和可靠性,适合在极端环境条件下使用。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \(V{CEO}\): 100 Vdc
    - 集电极-基极电压 \(V{CBO}\): 100 Vdc
    - 发射极-基极电压 \(V{EBO}\): 6.0 Vdc
    - 集电极电流 \(IC\): 5.0 Adc
    - 基极电流 \(IB\): 1.0 Adc
    - 总功耗 \(PT\)(环境温度 25℃时): 1.0 W
    - 总功耗 \(PT\)(集电极温度 25℃时): 10 W
    - 工作及存储温度范围 \(T{op}\), \(T{stg}\): -65℃ 至 +200℃
    - 热特性
    - 结到外壳热阻 \(R{θJC}\): 17.5 ℃/W
    - 环境温度超过 25℃时,线性降额:5.71mW/℃
    - 集电极温度超过 25℃时,线性降额:57.1mW/℃
    - 电气特性(环境温度 25℃时)
    - 关断特性
    - 集电极-发射极保持电压 \(V{CEO(sus)}\): 100 Vdc
    - 集电极-发射极截止电流 \(I{CEO}\): 100 μAdc
    - 发射极-基极截止电流 \(I{EBO}\): 100 μAdc
    - 集电极-发射极截止电流 \(I{CEX}\): 10 μAdc
    - 集电极-基极截止电流 \(I{CBO}\): 10 μAdc
    - 接通特性
    - 直流电流增益 \(h{FE}\)
    - \(IC = 0.5 Adc\), \(V{CE} = 2.0 Vdc\): 60
    - \(IC = 2.0 Adc\), \(V{CE} = 2.0 Vdc\): 60
    - \(IC = 5.0 Adc\), \(V{CE} = 2.0 Vdc\): 40
    - \(IC = 2.0 Adc\), \(V{CE} = 2.0 Vdc\): 240
    - 集电极-发射极饱和电压 \(V{CE(sat)}\)
    - \(IC = 2.0 Adc\), \(IB = 0.2 Adc\): 0.7 Vdc
    - \(IC = 5.0 Adc\), \(IB = 0.5 Adc\): 1.2 Vdc
    - 基极-发射极饱和电压 \(V{BE(sat)}\)
    - \(IC = 2.0 Adc\), \(IB = 0.2 Adc\): 1.2 Vdc
    - \(IC = 5.0 Adc\), \(IB = 0.5 Adc\): 1.8 Vdc
    - 动态特性
    - 共发射极小信号短路电流放大倍数 \(\lvert h{fe} \rvert\)
    - \(IC = 0.5 Adc\), \(V{CE} = 10 Vdc\), \(f = 10 MHz\): 3.0 至 15
    - 输出电容 \(C{obo}\)
    - \(V{CB} = 10 Vdc\), \(IE = 0\), 100 kHz ≤ \(f\) ≤ 1.0 MHz: 300 pF
    - 输出电容 \(C{ibo}\)
    - \(V{BE} = 2.0 Vdc\), \(IC = 0\), 100 kHz ≤ \(f\) ≤ 1.0 MHz: 1250 pF
    - 开关特性
    - 延迟时间 \(td\): 100 ns
    - 上升时间 \(tr\): 100 ns
    - 存储时间 \(ts\): 2.0 μs
    - 下降时间 \(tf\): 200 ns

    产品特点和优势


    2N6193 具有以下显著特点和优势:
    - 高电压承受能力,适用于高压应用场合。
    - 优异的热稳定性,确保长期可靠运行。
    - 高直流电流增益,增强信号处理能力。
    - 出色的动态和开关特性,适用于高频应用。
    - 良好的截止和饱和特性,确保在开关状态下的稳定表现。
    这些特点使其在多种应用中表现出卓越的性能,尤其是在需要高可靠性、高效能和广泛应用温度范围的环境中。

    应用案例和使用建议


    2N6193 广泛应用于电源管理、音频放大、驱动电路及开关电路。例如,在音频放大电路中,它能够提供高增益和低噪声特性;在开关电源设计中,它可以实现快速开关响应和低损耗。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意线性降额,避免过载。
    - 选择合适的散热片以提高热传导效率,保证长期稳定运行。
    - 确保正确的电路布局和布线,以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    2N6193 与多种电路设计兼容,尤其适用于需要高可靠性、高增益和高电流处理能力的应用。制造商提供了详细的技术支持文档和客户支持服务,以帮助用户进行选型、安装和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热
    - 解决办法: 选择合适尺寸的散热片,或调整电路布局以降低功耗。
    - 问题: 开关特性不佳
    - 解决办法: 确认所有连接正确无误,且使用合适的驱动信号。
    - 问题: 增益不一致
    - 解决办法: 检查基极和发射极之间的电压是否满足要求。

    总结和推荐


    总体而言,2N6193 PNP 中功率硅晶体管以其高可靠性、良好的电气特性和广泛的工作温度范围成为市场上极具竞争力的产品。其优异的性能和多样的应用场景使其成为电源管理、音频放大和其他应用的理想选择。推荐给需要高性能晶体管的设计工程师和技术人员。
    希望这篇技术手册能帮助您更好地了解 2N6193 的功能和用途,并在您的项目中发挥重要作用。

JAN2N6193参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大集电极发射极饱和电压 1.2V@ 500mA,5A
集电极电流 5A
晶体管类型 PNP
配置 -
集电极截止电流 100μA
最大功率耗散 1W
VCBO-最大集电极基极电压 100V
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
通用封装 TO-205AD,TO-39
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装

JAN2N6193厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JAN2N6193数据手册

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JAN2N6193封装设计

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