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JANTXV2N3507

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 1W 5V 80V 50V 3A TO-205AD,TO-39 通孔安装
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MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTXV2N3507

JANTXV2N3507概述

    电子元器件产品技术手册:2N3506至2N3507A NPN中功率硅晶体管

    1. 产品简介


    2N3506至2N3507A是一系列高频率、外延平面型NPN中功率硅晶体管,具有低饱和电压的特点。这些晶体管提供多种封装选项,包括TO-5(长引脚)、TO-39(也称为TO-205AD)和表面贴装U4封装。2N3506至2N3507A广泛应用于需要高频开关和低封装轮廓的中功率应用场景,如军用和其他高可靠性应用。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 40 V (2N3506), 50 V (2N3507)
    - 集电极-基极电压:VCBO = 60 V (2N3506), 80 V (2N3507)
    - 发射极-基极电压:VEBO = 5.0 V
    - 结温范围:-65°C 至 +200°C
    - 热阻:RӨJA = 175 °C/W, RӨJC = 18 °C/W
    - 电气特性:
    - 饱和电压:VCE(sat) = 0.5 V (IC = 500 mA),1.0 V (IC = 1.5 A),1.5 V (IC = 2.5 A)
    - 转移比 (hFE):
    - IC = 500 mA, VCE = 1 V: 50 (2N3506), 35 (2N3507)
    - IC = 1.5 A, VCE = 2 V: 40 (2N3506), 30 (2N3507)
    - 上升时间:tr = 30 ns (IC = 1.5 A, IB1 = 150 mA)
    - 下降时间:tf = 35 ns (IC = 1.5 A, IB1 = IB2 = 150 mA)
    - 动态特性:
    - 输出电容:Cobo = 40 pF (VCB = 10 V, IE = 0)
    - 输入电容:Cibo = 300 pF (VEB = 3.0 V, IC = 0)
    - 开关特性:
    - 延迟时间:td = 15 ns (IC = 1.5 A, IB1 = 150 mA)
    - 存储时间:ts = 55 ns (IC = 1.5 A, IB1 = IB2 = 150 mA)

    3. 产品特点和优势


    - 低饱和电压:VCE(sat)仅为0.5 V(IC = 500 mA),这有助于提高能效。
    - 高可靠性:符合MIL-PRF-19500/349标准,适用于军事和高可靠性应用。
    - 多封装选择:提供TO-5(长引脚)、TO-39(TO-205AD)和U4(表面贴装)等多种封装方式,适用于不同应用场景。
    - 高转移比 (hFE):在高频应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:2N3506至2N3507A广泛应用于需要高频开关的中功率电路,例如电源管理和驱动控制电路。
    - 使用建议:
    - 在高频率应用中,应确保散热良好,避免因过热导致性能下降。
    - 在大电流应用中,需注意散热设计,特别是在高温环境下使用时。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2N3506至2N3507A可与其他标准封装的晶体管互换,支持表面贴装和通孔安装。
    - 支持和服务:Microsemi公司提供了全面的技术支持和产品文档,用户可以在其官网获取最新的产品信息和技术资料。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间运行后晶体管过热。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,确保使用适当的散热措施,如散热片或散热风扇。
    - 问题:晶体管在高频应用中性能不佳。
    - 解决方案:确认电源稳定,减小负载以降低功耗,或者考虑增加外部电容以改善瞬态响应。

    7. 总结和推荐


    综上所述,2N3506至2N3507A系列晶体管具有出色的高频性能、低饱和电压和高可靠性,非常适合需要高频开关的中功率应用场景。由于其广泛的封装选择和良好的散热性能,推荐用于电力管理和驱动控制等领域。用户在选择时应考虑具体的应用需求,确保选择最适合的产品型号。

JANTXV2N3507参数

参数
最大功率耗散 1W
集电极截止电流 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 80V
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 250mA,2.5A
集电极电流 3A
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 5V
通用封装 TO-205AD,TO-39
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTXV2N3507厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N3507数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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JANTXV2N3507封装设计

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