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JANTXV2N5665

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 2.5W 6V 200nA 400V 300V 5A TO-213AA,TO-66 通孔安装
供应商型号: 1086-21063-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 100
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTXV2N5665

JANTXV2N5665概述

    NPN Power Silicon Switching Transistor: Technical Overview

    1. 产品简介


    Microsemi 公司的 NPN 功率硅开关晶体管系列(型号包括 2N5664、2N5665、2N5666、2N5667 等)是专为高可靠性和高性能应用设计的半导体器件。这些晶体管主要用于电力管理和控制电路中,适用于广泛的工业和航空航天领域。它们在高电压和大电流应用中表现出色,具有优良的热稳定性和开关性能。

    2. 技术参数


    以下是该系列产品的一些关键技术参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压:200V(2N5664),300V(2N5666、S)
    - 集电极-基极电压:250V(2N5664),400V(2N5666、S)
    - 发射极-基极电压:6.0V
    - 基极电流:1.0A
    - 集电极电流:5.0A
    - 功率耗散(TA = +25°C):2.5W(2N5664),3.0W(2N5666、S)
    - 电气特性:
    - 关断特性:
    - 集电极-发射极击穿电压:250V(2N5664、2N5666),400V(2N5665、2N5667)
    - 发射极-基极击穿电压:6.0V
    - 集电极-发射极截止电流:0.2μA
    - 集电极-基极截止电流:0.1μA(2N5664、2N5666),1.0μA(2N5665、2N5667)
    - 开启特性:
    - 电流增益(hFE):最小值 25(2N5664、2N5666),最小值 10(2N5665、2N5667)
    - 动态特性:
    - 输出电容:120pF
    - 开关特性:
    - 开启时间:0.25μs
    - 关闭时间:1.5μs(2N5664、2N5666),2.0μs(2N5665、2N5667)
    - 工作环境温度范围:
    - 操作温度范围:-65°C 至 +200°C
    - 存储温度范围:-65°C 至 +200°C

    3. 产品特点和优势


    这些 NPN 功率硅开关晶体管具备以下显著优势:
    - 高可靠性:通过 MIL-PRF-19500/455 认证,确保了在极端环境下的长期稳定运行。
    - 高电压和大电流处理能力:可承受高达 300V 的集电极-发射极电压和 5.0A 的集电极电流,适合高功率应用。
    - 优异的热稳定性:能够在宽泛的温度范围内(-65°C 至 +200°C)保持良好的性能。
    - 快速开关性能:开启时间为 0.25μs,关闭时间为 1.5μs,确保高效的信号传输和处理。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管广泛应用于电力转换、电机控制、电源管理等领域。例如,在电动车辆充电站中,它们可以用于调节输出电压和电流。在工业自动化设备中,这些晶体管可以用于驱动电磁阀或执行器。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高功率应用中。
    - 使用外部散热器时,应遵循制造商的指导进行安装。
    - 在高温环境下,需考虑适当的降额使用,以防止过热。

    5. 兼容性和支持


    这些晶体管兼容多种封装形式,包括 TO-66、TO-5 和 TO-39。Microsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,包括设计指南和故障排除文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:晶体管过热
    - 解决方案:增加散热片或改善冷却系统,降低工作负载或更换更高功率等级的晶体管。

    - 问题:信号延迟
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保基极电流足够且负载阻抗匹配。

    7. 总结和推荐


    综上所述,Microsemi 的 NPN 功率硅开关晶体管系列具有出色的电气特性和广泛的适用性。它们特别适合于需要高可靠性、高电压和大电流处理的应用场合。对于需要高性能和长寿命的工业和航空航天项目,强烈推荐使用这些产品。

JANTXV2N5665参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 200nA
配置 -
集电极电流 5A
最大集电极发射极饱和电压 1V@ 1A,5A
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 300V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大功率耗散 2.5W
VCBO-最大集电极基极电压 400V
通用封装 TO-213AA,TO-66
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTXV2N5665厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N5665数据手册

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JANTXV2N5665封装设计

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