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JANTXV2N5153U3

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 1W 5.5V 1mA 100V 80V 1mA SMD-3P 贴片安装
供应商型号: TEL-JANTXV2N5153U3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTXV2N5153U3

JANTXV2N5153U3概述

    PNP Power Silicon Transistor Technical Overview

    1. 产品简介


    Microsemi公司生产的PNP功率硅晶体管(型号:2N5151、2N5153)是一种广泛应用于各类电子设备中的关键元器件。这些晶体管主要应用于需要高功率驱动的应用场合,如通信系统、汽车电子、工业控制等领域。该产品符合MIL-PRF-19500/545标准,适用于军事和商业领域的高可靠性需求。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 80 Vdc
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 100 Vdc
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 5.5 Vdc
    - 集电极电流 (IC): 2.0 Adc
    - 总功耗 @ TA = +25°C (1): 1.0 W
    - 总功耗 @ TC = +25°C (2): 10 W
    - 工作及存储结温范围 (TJ, Tstg): -65 to +200 °C
    - 热阻 (RθJC): 10 °C/W (2N5151L, 2N5153L), 1.75 °C/W (U3)
    - 电气特性
    - 离态特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 80 Vdc
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): 1.0 µAdc
    - 集电极-发射极截止电流 (ICES): 1.0 µAdc
    - 集电极-基极截止电流 (ICEO): 50 µAdc
    - 开启特性:
    - 正向电流转移比 (hFE):
    - IC = 50mAdc, VCE = 5Vdc: 20
    - IC = 2.5Adc, VCE = 5Vdc: 50
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):
    - IC = 2.5Adc, IB = 250mAdc: 0.75 Vdc
    - IC = 5.0Adc, IB = 500mAdc: 1.5 Vdc
    - 基极-发射极非饱和电压 (VBE): 1.45 Vdc
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)):
    - IC = 2.5Adc, IB = 250mAdc: 1.45 Vdc
    - IC = 5.0Adc, IB = 500mAdc: 2.2 Vdc
    - 动态特性
    - 共发射极小信号短路状态下的正向电流转移比 (|hfe|):
    - IC = 500mAdc, VCE = 5Vdc, f = 10MHz:
    - 2N5151: 6
    - 2N5153: 7
    - 输出电容 (Cobo): 250 pF
    - 开关特性
    - 开通时间 (ton): 0.5 μs
    - 关断时间 (toff): 1.5 μs
    - 存储时间 (ts): 1.4 μs
    - 下降时间 (tf): 0.5 μs

    3. 产品特点和优势


    2N5151和2N5153系列PNP功率硅晶体管具备以下独特功能和优势:
    - 高可靠性和稳定性: 符合MIL-PRF-19500/545标准,确保在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 高击穿电压和大电流能力: VCEO可达80Vdc,集电极电流高达2.0Adc,适用于高电压和大电流应用。
    - 宽温度范围: 能够在-65°C到+200°C的范围内工作,适用于各种恶劣环境。
    - 良好的热管理: 热阻低,能够有效散热,保证长时间运行的稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管广泛应用于通信系统、汽车电子、工业控制系统等领域。例如,在通信系统中,可以用于放大高频信号;在汽车电子中,可以用于电池管理系统。使用时建议根据具体应用选择合适的封装形式(TO-5、TO-39、U-3),并注意散热设计,以确保晶体管的正常工作。

    5. 兼容性和支持


    该晶体管与其他电子元件具有良好的兼容性,可以灵活集成到不同的电路板设计中。Microsemi公司提供了全面的技术支持和服务,包括详细的安装指南和技术咨询,帮助用户解决可能出现的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 晶体管在高温环境下工作不稳定。
    - 解决办法: 确保适当的散热措施,如使用散热片或风扇来降低工作温度。
    - 问题2: 晶体管电流过载。
    - 解决办法: 使用适当的限流电阻,确保集电极电流不超过规定值。
    - 问题3: 晶体管开关速度慢。
    - 解决办法: 检查驱动电路的设计,确保有足够的驱动电流以提高开关速度。

    7. 总结和推荐


    总体来说,Microsemi公司的2N5151和2N5153系列PNP功率硅晶体管在性能、稳定性和可靠性方面表现出色。特别是在高电压、大电流以及恶劣环境下的应用中,这些晶体管表现出色。因此,强烈推荐这些产品用于各种高要求的应用场合。
    综上所述,这些晶体管是电子工程师的优秀选择,特别是对于那些对可靠性、稳定性有较高要求的应用。

JANTXV2N5153U3参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 1mA
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 500mA,5A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 1W
配置 -
集电极电流 1mA
VCBO-最大集电极基极电压 100V
VEBO-最大发射极基极电压 5.5V
通用封装 SMD-3P
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTXV2N5153U3厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N5153U3数据手册

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JANTXV2N5153U3封装设计

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