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VN0109N3-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W(Tc) 20V 2.4V@1mA 1个N沟道 90V 3Ω@ 1A,10V 350mA 65pF@25V TO-92-3 通孔安装
供应商型号: VN0109N3-G
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VN0109N3-G

VN0109N3-G概述


    产品简介


    VN0109 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
    VN0109是一款采用垂直DMOS结构的增强型(常关)N沟道场效应晶体管(FET),由Supertex公司生产。它结合了垂直DMOS技术和Supertex成熟的硅栅制造工艺,具备高输入阻抗、正温度系数和卓越的热稳定性等特点。VN0109在电机控制、电源转换器、放大器、开关等多种应用场景中表现出色,广泛应用于各类电力电子系统中。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(BVDSS):90V
    - 栅漏电压(BVDGS):±20V
    - 栅源电压(VGSG):±20V
    - 工作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    电气特性(TA = 25°C)
    - 栅阈电压(VGS(th)):0.8V ~ 2.4V
    - 开启状态漏电流(ID(ON)):0.5A ~ 2.5A
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):3.0Ω ~ 5.0Ω
    - 输入电容(CISS):55pF ~ 65pF
    - 共源输出电容(COSS):20pF ~ 25pF
    - 反向转移电容(CRSS):5.0pF ~ 8.0pF
    - 门驱动电荷(QG):0nC ~ 10nC
    - 热阻(θJA):132°C/W

    产品特点和优势


    1. 自由二次击穿:无需担心由于过热导致的器件损坏,适用于恶劣的工作环境。
    2. 低功耗驱动需求:可实现高效能低功耗运行,适用于便携式设备。
    3. 易于并联:支持多个器件并联,提高电路的整体功率处理能力。
    4. 低输入电容和快速开关速度:减少寄生效应,提升电路整体响应速度。
    5. 集成源极-漏极二极管:简化电路设计,提高可靠性。
    6. 高输入阻抗和高增益:适合高灵敏度信号处理应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电机控制:用于驱动步进电机和伺服电机,确保电机稳定运行。
    - 电源转换器:作为电源转换器中的关键元件,提供高效率和低损耗。
    - 放大器:在音频和射频放大器中发挥重要作用,提供高增益和低噪声。
    - 开关:适用于电源管理和电路保护,提供可靠的切换控制。
    使用建议
    - 在选择合适的栅源电压时,应考虑器件的温度特性,确保电压范围在推荐范围内。
    - 在并联多个器件时,应尽量选择具有相似特性的器件,以保证平衡驱动电流。

    兼容性和支持


    VN0109与各种标准电子元件和设备兼容,符合RoHS要求,且有多种封装形式可供选择。Supertex公司提供全面的技术支持,包括详细的技术手册和应用指南,确保客户能够充分利用该器件的优势。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 设备发热严重,如何解决?
    A: 检查电路设计和散热措施,确保合理散热。若需更高功率处理能力,可考虑并联使用多个器件。

    2. Q: 器件输出电流不稳定,如何处理?
    A: 检查栅源电压是否在合适范围内,适当调整驱动电路参数以确保稳定的电流输出。

    3. Q: 器件在高温环境下表现不佳,如何改善?
    A: 优化散热设计,如增加散热片或使用高效的散热材料,确保器件工作在安全温度范围内。

    总结和推荐


    VN0109是一款性能优越、应用广泛的N沟道增强型垂直DMOS FET,具有出色的热稳定性和高输入阻抗,非常适合电机控制、电源转换器、放大器等应用。通过合理的设计和应用,VN0109能够显著提升系统的性能和可靠性。强烈推荐在需要高性能电力电子设备的应用中使用此产品。

VN0109N3-G参数

参数
Id-连续漏极电流 350mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 65pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@ 1A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
最大功率耗散 1W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 90V
通道数量 1
栅极电荷 -
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,袋装

VN0109N3-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VN0109N3-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY VN0109N3-G VN0109N3-G数据手册

VN0109N3-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ ¥ 5.085
20000+ ¥ 4.995
30000+ ¥ 4.95
库存: 17000
起订量: 10000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10000
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