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LND150N3-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Microchip N沟道耗尽型MOS管, Vds=500 V, 30 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 8293250
供应商: 海外现货
标准整包数: 20
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) LND150N3-G

LND150N3-G概述

    LND150 N-Channel Depletion-Mode DMOS FET 技术手册

    1. 产品简介


    LND150 是由 Supertex Inc. 生产的一款高电压 N 沟道耗尽型(通常为开启)场效应晶体管(FET),采用横向双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术。这款器件适用于高压开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大等多种应用场合。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源击穿电压 (BVDSX): 500 V
    - 栅漏击穿电压 (BVDGX): ±20 V
    - 栅源额定电压: ±20 V
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 850 Ω 至 1000 Ω (VGS=0V, ID=0.5mA)
    - 饱和漏源电流 (IDSS): 1.0 mA 至 3.0 mA (VGS=0V, VDS=25V)
    - 输入电容 (CISS): 7.5 pF 至 10 pF (VGS=-10V, VDS=25V, f=1.0MHz)

    3. 产品特点和优势


    - 无二次击穿风险: 这种特性提高了器件的安全性和可靠性。
    - 低功耗驱动需求: 减少了电路的整体功耗。
    - 易于并联: 支持多器件并联使用,提高了系统设计的灵活性。
    - 卓越的热稳定性: 适合各种苛刻的环境条件。
    - 内置源漏二极管: 提高了系统的整体性能和可靠性。
    - 高输入阻抗和低 CISS: 有助于提高信号传输效率。
    - ESD 栅极保护: 增强了器件的耐用性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 固态继电器: LND150 可用于构建固态继电器,实现高效可靠的电流控制。
    - 常开开关: 在需要常开状态的应用中,如电源管理电路中,LND150 能够提供出色的性能。
    - 转换器: 适用于各种直流-直流转换器,确保稳定的输出。
    - 电源供应电路: 可用于高精度的电源管理系统,确保稳定的输出电压。
    使用建议:
    - 在使用 LND150 构建电路时,注意匹配合适的栅极电阻,以确保安全可靠的操作。
    - 对于高电流应用,考虑使用多个器件并联,以减少单个器件的负担,提高整体可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 封装选项: LND150 提供多种封装选项,包括 TO-236AB (SOT-23)、TO-92 和 TO-243AA (SOT-89),适用于不同的应用需求。
    - 环保认证: LND150 符合 RoHS 标准,确保环境友好。
    - 技术支持: Supertex Inc. 提供详尽的技术支持,包括数据手册、应用笔记和技术咨询,帮助客户顺利使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 设备无法正常工作
    - A: 确认电源电压和输入信号正确无误。检查电路接线是否有误。

    - Q: 设备过热
    - A: 检查散热措施是否到位。考虑增加散热片或采用更大的封装。

    - Q: 设备在高温环境下工作不稳
    - A: 确保电路设计符合器件的热稳定性要求。考虑使用具有更好热稳定性的封装。

    7. 总结和推荐


    LND150 是一款功能强大且用途广泛的高电压 N 沟道耗尽型 DMOS FET。其独特的特性和优势使其成为高压开关、电源管理和信号处理等多种应用的理想选择。无论是在可靠性还是热稳定性方面,LND150 都表现出色。推荐在需要高性能、高可靠性应用中使用该器件。
    通过以上内容,我们可以清晰地了解 LND150 的主要特性和优势,以及如何在不同应用场景中有效地使用它。希望这篇技术手册能帮助您更好地理解和应用 LND150。

LND150N3-G参数

参数
配置 独立式
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 740mW(Ta)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 20nC
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 30mA
Rds(On)-漏源导通电阻 1KΩ@ 500µA,0V
5.21mm(Max)
4.19mm(Max)
5.33mm(Max)
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,袋装

LND150N3-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

LND150N3-G数据手册

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LND150N3-G封装设计

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