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JANTXV2N3467

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 1W 5V 100nA 40V 40V 1A TO-205AD,TO-39 通孔安装
供应商型号: JANTXV2N3467
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTXV2N3467

JANTXV2N3467概述


    产品简介




    本技术手册介绍的是TECHNICAL DATA系列中的PNP硅开关晶体管,型号为2N3467、2N3467L、2N3468和2N3468L。这些产品通过MIL-PRF-19500/348认证,适用于高可靠性要求的应用场景。主要功能是作为开关晶体管,广泛应用于军事、航空、工业自动化等领域。


    技术参数




    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 40 V (2N3467), 50 V (2N3467L)
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 40 V (2N3467), 50 V (2N3467L)
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 5.0 V
    - 集电极电流 (IC): 1.0 A
    - 总功耗 (@ TA = +25°C): 1.0 W (2N3467), 5.0 W (2N3467L)
    - 工作及存储结温范围 (Top, Tstg): -55 to +175°C

    - 电气特性:
    - 离态特性(OFF CHARACTERISTICS):
    - 集电极-发射极击穿电流 (V(BR)CBO): 40 V (2N3467, L), 50 V (2N3468, L)
    - 发射极-基极击穿电流 (V(BR)EBO): 5.0 V
    - 基极-集电极截止电流 (ICBO): 100 ηA
    - 基极-发射极截止电流 (ICEX): 100 nA

    - 通态特性(ON CHARACTERISTICS):
    - 正向电流传输比 (hFE): 40 (IC = 150 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.35 V (IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 0.8 V (IC = 150 mAdc, IB = 15 mAdc)

    - 动态特性:
    - 输出电容 (Cobo): 25 pF (VCB = 10 Vdc, IE = 0, 100 kHz ≤ f ≤ 1.0 MHz)
    - 截止频率 (ft): 175 MHz (IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 NHz)

    - 开关特性:
    - 延迟时间 (td): 10 ns (IC = 500 mAdc, IB1 = 50 mAdc, VEB = 2)
    - 上升时间 (tr): 30 ns (IC = 500 mAdc, IB1 = 50 mAdc, VEB = 2)
    - 存储时间 (ts): 60 ns (IC = 500 mAdc, IB1 = IB2 = 50 mAdc)
    - 下降时间 (tf): 30 ns (IC = 100 mAdc, IB1 = IB2 = 50 mAdc)


    产品特点和优势




    - 高可靠性:通过MIL-PRF-19500/348认证,适用于高可靠性的应用场景。
    - 宽温度范围:结温范围从-55°C到+175°C,适用于极端环境条件。
    - 高性能开关特性:低延迟时间、快速上升时间和下降时间,确保优异的开关性能。
    - 高精度电流传输比:提供稳定的电流传输比,适用于各种精密电路设计。


    应用案例和使用建议




    - 应用案例:
    - 军事设备中的信号放大和开关控制。
    - 航空电子系统中的电源管理模块。
    - 工业自动化中的电机驱动控制。

    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热问题,以避免过热损坏。
    - 在高频应用场合下,需考虑寄生电容的影响,选择合适的电路布局以提高整体性能。
    - 当需要快速切换时,建议使用较低的输入阻抗来提高响应速度。


    兼容性和支持




    - 兼容性:
    - 与TO-39和TO-5封装的其他电子元器件具有良好的兼容性。

    - 支持:
    - 厂商提供详细的技术支持文档,包含安装指南、调试建议等。
    - 如有任何问题,可联系厂商获取技术支持和维修服务。


    常见问题与解决方案




    - Q: 在高湿度环境下,该晶体管是否会受到影响?
    - A: 建议在使用前进行适当的防护处理,如使用防潮包装材料或涂抹防潮剂,以避免受潮导致的短路或腐蚀问题。

    - Q: 如何判断晶体管是否达到饱和状态?
    - A: 可通过测量VCE(sat)值,如果其值接近最小值,则表明晶体管处于饱和状态。具体数值可通过手册中提供的电气特性表查得。

    - Q: 晶体管的工作温度超过最大额定值后如何处理?
    - A: 当工作温度超过额定值时,应采取降温措施,如增加散热片或外部风扇冷却。同时,建议按照手册中的降额曲线进行操作。


    总结和推荐




    综上所述,2N3467、2N3467L、2N3468和2N3468L系列PNP硅开关晶体管具备高可靠性、宽温度范围、高性能开关特性和高精度电流传输比的特点。在军事、航空和工业自动化等领域有着广泛的应用前景。鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在上述应用场景中使用该系列产品。

JANTXV2N3467参数

参数
晶体管类型 PNP
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
最大功率耗散 1W
集电极电流 1A
VEBO-最大发射极基极电压 5V
集电极截止电流 100nA
VCBO-最大集电极基极电压 40V
最大集电极发射极饱和电压 1.2V@ 100mA,1A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
通用封装 TO-205AD,TO-39
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTXV2N3467厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N3467数据手册

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JANTXV2N3467封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4075.571
200+ ¥ 4003.437
1000+ ¥ 3967.37
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