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JANTX2N5666

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 1.2W 6V 200nA 250V 200V 5A TO-5 通孔安装
供应商型号: NA-JANTX2N5666
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTX2N5666

JANTX2N5666概述

    # NPN Power Silicon Switching Transistor 技术手册

    产品简介


    本手册介绍了Microsemi公司的NPN功率硅开关晶体管系列产品,包括型号2N5664、2N5665、2N5666、2N5666S、2N5666U3、2N5667、2N5667S等。这些晶体管是适用于各种电力电子应用的关键组件,可用于开关电源、电机驱动、逆变器等场合。由于其高性能和可靠性,它们广泛应用于航空航天、军事和工业控制领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 200Vdc (2N5664), 300Vdc (2N5666, S)
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 250Vdc (2N5664, 2N5665), 400Vdc (2N5666, S)
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 6.0Vdc
    - 基极电流 (IB): 1.0Adc
    - 集电极电流 (IC): 5.0Adc
    功率消耗
    - 额定功率 (PT):
    - @TA = +25°C: 2.5W (2N5664), 1.2W (2N5665), 3.0W (2N5666, S)
    - @TC = +100°C: 30W (2N5664), 15W (2N5665), 35W (2N5666, S)
    工作及存储温度范围
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg): -65°C 到 +200°C
    电气特性
    - 在+25°C时:
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CER): 250Vdc (2N5664, 2N5666), 400Vdc (2N5665, 2N5667)
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): 6.0Vdc
    - 集电极-发射极截止电流 (ICES): 0.2μAdc (2N5664, 2N5666), 0.2mAdc (2N5665, 2N5667)
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): 0.1μAdc (2N5664, 2N5666), 0.1mAdc (2N5665, 2N5667)

    产品特点和优势


    1. 高耐压能力: 这些晶体管的集电极-发射极电压高达300Vdc,适合需要高电压的应用。
    2. 大电流处理能力: 集电极电流最高可达5.0Adc,满足大多数电力应用需求。
    3. 宽工作温度范围: 能够在-65°C到+200°C的极端环境下稳定工作。
    4. 快速开关特性: 具有出色的动态特性,能够实现高速开关,降低功耗并提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源: 利用其高耐压能力和大电流处理能力,用于直流到交流的转换。
    - 电机驱动: 在电机控制系统中作为开关元件,控制电机的启停和调速。
    - 逆变器: 用于将直流电转换为交流电,特别是在可再生能源系统中。
    使用建议
    - 热管理: 在高功率应用中,确保良好的散热设计,以避免过热。
    - 电路布局: 注意PCB布局,减少寄生电感和电容的影响,确保开关过程中的稳定性。

    兼容性和支持


    - 这些晶体管与多种封装形式(如TO-66、TO-5、TO-39)兼容,便于安装和集成。
    - Microsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括技术文档、设计指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题
    - 解决方案: 选择合适的散热片,并保持良好的空气流通。必要时使用散热风扇。
    2. 开启时间过长
    - 解决方案: 确保基极驱动电流足够大,同时优化电路布局,减少寄生电感和电容的影响。
    3. 电磁干扰问题
    - 解决方案: 添加滤波器或采用屏蔽措施,减少电磁干扰。

    总结和推荐


    总的来说,Microsemi的NPN功率硅开关晶体管具有出色的性能和广泛的适用范围。无论是在恶劣的工作环境中还是在复杂的应用场景下,这些晶体管都能够提供卓越的可靠性和稳定性。对于那些寻求高性能开关元件的工程师来说,这是值得考虑的选择。因此,我强烈推荐这些晶体管在您的下一个项目中使用。

JANTX2N5666参数

参数
晶体管类型 NPN
VCBO-最大集电极基极电压 250V
最大集电极发射极饱和电压 1V@ 1A,5A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 200nA
集电极电流 5A
配置 -
最大功率耗散 1.2W
VCEO-集电极-发射极最大电压 200V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
通用封装 TO-5
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTX2N5666厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTX2N5666数据手册

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JANTX2N5666封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 16.0488 ¥ 138.6616
100+ $ 14.7744 ¥ 127.6508
500+ $ 14.04 ¥ 121.3056
800+ $ 13.6944 ¥ 118.3196
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