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TN2640LG-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.3W(Ta) 20V 2V@2mA 1个N沟道 400V 5Ω@ 500mA,10V 260mA 225pF@25V SOP 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.65mm
供应商型号: TN2640LG-G
供应商: Master
标准整包数: 250
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) TN2640LG-G

TN2640LG-G概述

    TN2640 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 技术手册解析

    产品简介


    TN2640是一款由Microchip公司生产的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET)。它具有低阈值电压、高输入阻抗、低输入电容、快速开关速度和低导通电阻等特点。这些特性使其非常适合于逻辑电平接口、固态继电器、电池供电系统、光伏驱动、模拟开关、通用线驱动器和电信交换等应用领域。

    技术参数


    根据技术手册,TN2640的主要技术规格如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | - | - | 400 | V | VGS = 0V, ID = 1 mA |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 0.8 | - | 2 | V | VGS = VDS, ID = 2 mA |
    | 输入电容 | CISS | - | 210 | 225 | pF
    | 导通电阻 | RDS(ON) | - | 3.2 | 5 | Ω | VGS = 4.5V, ID = 500 mA |
    | 翻转延时时间 | td(ON) | - | 4 | 15 | ns
    | 上升时间 | tr | - | 15 | 20 | ns
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 极限工作条件下的最大漏极-源极电压:400V
    - 最大栅极-源极电压:±20V

    产品特点和优势


    TN2640的独特功能包括:
    - 2V的最大低阈值电压,保证了极低的开启电压需求;
    - 高输入阻抗和低输入电容,减少了外部电路的干扰和负载;
    - 快速开关速度,适合高频应用场合;
    - 低导通电阻(RDS(ON)),减小导通损耗,提高效率;
    - 免于二次击穿,提高了可靠性。
    这些特点使TN2640在众多领域内表现出色,尤其是在需要高速、高效能的应用环境中,如电信交换系统和固态继电器。

    应用案例和使用建议


    TN2640被广泛应用于逻辑电平接口、固态继电器、电池供电系统和光伏驱动等领域。具体使用建议包括:
    - 在电池供电系统中,利用其低功耗特性以延长电池寿命;
    - 在高速信号传输应用中,通过其快速开关速度减少信号延迟。
    使用优化建议:
    - 确保正确的电路布局以减少寄生电感和电容的影响;
    - 考虑采用散热设计以确保长期稳定性。

    兼容性和支持


    TN2640提供了多种封装选择,包括3引脚TO-252(D-Pak)、8引脚SOIC和3引脚TO-92。厂商提供了详尽的技术支持文档,并可通过Microchip官方网站获得产品详细信息和最新版本的技术手册。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的信息,常见的用户问题及其解决方法包括:
    - 问题:如何正确安装和焊接器件?
    解决方案:遵循正确的焊接步骤,并确保焊接温度不超过器件的极限值。
    - 问题:器件在高电流下工作时发热严重。
    解决方案:检查散热设计是否充分,必要时增加散热片或采用散热膏。

    总结和推荐


    TN2640凭借其高性能、多功能和广泛的适用性,在逻辑电平接口、固态继电器及电信交换等领域展现出强大的竞争力。建议在需要高速、低损耗的应用环境中使用TN2640,尤其是在要求严格的工作条件下。
    综上所述,TN2640是一款非常值得推荐的产品,它能够满足大多数高要求应用的严格标准。

TN2640LG-G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@2mA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 400V
配置 独立式quaddrain
栅极电荷 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 225pF@25V
Id-连续漏极电流 260mA
最大功率耗散 1.3W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 500mA,10V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.65mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

TN2640LG-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

TN2640LG-G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY TN2640LG-G TN2640LG-G数据手册

TN2640LG-G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
250+ $ 1.9511 ¥ 16.2226
500+ $ 1.8868 ¥ 15.6797
1000+ $ 1.8674 ¥ 15.2917
3300+ $ 1.8568 ¥ 15.2053
6600+ $ 1.8463 ¥ 15.119
9900+ $ 1.8357 ¥ 15.0326
13200+ $ 1.8357 ¥ 15.0326
库存: 3300
起订量: 250 增量: 0
交货地:
最小起订量为:250
合计: ¥ 4055.65
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